用于非晶硅沉积的炉管底座制造技术

本发明专利技术揭露了一种用于非晶硅沉积的炉管底座，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座，所述磁流体连接密封盖与基座支架，基座支架与基座连接，还包括支架盖板和固定块，所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间，遮盖住所述基座支架的上表面和侧面，所述固定块位于基座内，覆盖基座底部的开口，所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。本发明专利技术提供的用于非晶硅沉积的炉管底座，可以改善非晶硅沉积工艺中薄膜剥落状的颗粒缺陷的产生，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
用于非晶硅沉积的炉管底座
本专利技术涉及化学气相淀积设备，尤其是涉及一种用于非晶硅沉积的炉管底座。
技术介绍
微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystems，简称MEMS)技术是一个全新的
和产业，主要包括微型机构、微型传感器、微型执行器和相应的处理电路等几部分。与传统集成电路的制造相比，MEMS工艺中由于需要淀积的膜厚往往要厚很多，可以达到传统集成电路制造工艺的几十倍，导致更容易出现peelingdefect(薄膜剥落状的颗粒)。图1为采用低压化学气相淀积(LPCVD)淀积工艺的炉管(Furnace)设备的结构示意图。炉管设备通常包括反应腔室、反应气体源130、真空泵140。其中反应腔室包括反应腔体100、晶舟110和底座120，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖124、磁流体126、基座支架123、基座121以及基座121内的金属盖板122；参照图2，所述晶舟110和基座121上有螺孔，通过两个固定螺栓连接，所述基座支架123和基座121与基座内的金属盖板122上有螺孔，通过三个固定螺栓连接。通常，炉管设备的peelingdefect主要来自反应腔体上的薄膜剥落下来，这是由于在LPCVD的炉管在生产过程反应中，薄膜会逐渐沉积在反应腔体的内壁上。随着薄膜厚度的逐渐增加，这些沉积的薄膜在应力的影响下，会从反应腔体内壁上剥落下来，从而造成产品的缺陷。但是专利技术人在非晶硅工艺的沉积过程中发现即使排除反应腔体内壁上剥落下来的颗粒影响，还会在产品上发现peelingdefect，影响产品的质量和良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于非晶硅沉积的炉管底座，用以改善非晶硅沉积过程中产生剥落颗粒引起产品缺陷的问题。专利技术人经过反复排查，发现多晶硅沉积过程中即使排除了反应腔体内壁的影响，依然会有大量peelingdefect，最终发现污染源来自现有的炉管底座的基座支架和金属盖板部分，专利技术人通过试验分析发现，沉积过程中会在底座的基座支架和金属盖板上形成沉积物，由于现有的基座支架和金属盖板都是金属材质，与非晶硅的热膨胀系数差别很大，因此沉积在基座支架和金属盖板上的非晶硅沉积非常容易剥落，在反应腔内的气流作用下扬起造成产品上产生缺陷。为解决上述问题，本专利技术提供一种用于非晶硅沉积的炉管底座，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座，所述炉管底座还包括支架盖板和固定块，所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间，遮盖住所述基座支架的上表面和侧面，所述固定块位于基座内，覆盖基座底部的开口，所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。可选的，所述支架盖板与所述基座一体成型。可选的，所述固定块与所述基座一体成型。可选的，所述支架盖板的直径为20cm～30cm。可选的，所述支架盖板的高度为2.0cm～5.5cm。可选的，所述固定块的直径为10cm～25cm。可选的，所述固定块的厚度为2cm～5cm。与现有技术相比，本专利技术在基座和基座支架之间设置了覆盖支架基座的碳化硅材质的支架盖板，并且去除了现有的金属盖板，采用碳化硅材质的固定块。这样，在生产过程中不会在金属材质的基座支架上形成薄膜，而碳化硅材质的固定块和支架盖板由于热膨胀系数与非晶硅接近，能够很好的吸附薄膜，避免在产品上产生薄膜剥落状的颗粒缺陷。附图说明图1为现有积淀积工艺的炉管设备的结构示意图；图2为现有积淀积工艺的炉管设备晶舟与底座的结构示意图；图3为本专利技术实施例一的用于非晶硅沉积的炉管底座的结构示意图；图4为本专利技术实施例二的用于非晶硅沉积的炉管底座的结构示意图。具体实施方式本专利技术的核心思想在于，提供一种用于非晶硅沉积的炉管底座，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座，还包括支架盖板和固定块，所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间，遮盖住所述基座支架的上表面和侧面，所述固定块位于基座内，覆盖基座底部的开口，所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。这样在基座和基座支架之间设置了覆盖支架基座的碳化硅材质的支架盖板，并且去除了现有的金属盖板，采用碳化硅材质的固定块。这样，在生产过程中不会在金属材质的基座支架上形成薄膜，而碳化硅材质的固定块和支架盖板由于热膨胀系数与非晶硅接近，能够很好的吸附薄膜，避免在产品上产生薄膜剥落状的颗粒缺陷。以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的用于非晶硅沉积的炉管底座作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。实施例一参考图3，本实例的用于非晶硅沉积的炉管底座，包括密封盖124、磁流体126、基座121、基座支架123，所述磁流体126连接密封盖124与基座支架123，基座支架123与基座121连接，还包括支架盖板226和固定块222，所述支架盖板226位于所述基座121和基座支架123之间，遮盖住所述基座支架123的上表面和侧面，所述固定块222位于基座121内，覆盖基座121底部的开口，所述支架盖板226和固定222块均为碳化硅材质。由于碳化硅材质与非晶硅的热膨胀系数接近，在基座和基座支架之间设置非晶硅材质的支架盖板，并覆盖基座支架的上表面和侧面，这样在生产过程中，非晶硅沉积在支架盖板上，粘附的较牢，不易产生剥落状缺陷。同样的，本实例中将现有的金属盖板取消，同时设置了碳化硅材质的固定块，覆盖基座底部的开口。沉积在固定块上的非晶硅不易剥落在产品上产生缺陷。本实施中公开的支架盖板和固定块的尺寸为适用于8寸的炉管设备的尺寸，可以理解的是，在更大尺寸的工艺或设备(例如12寸或者18寸的工艺或设备)中，本领域技术人员可以根据本专利技术的核心思想对相应的尺寸做出对应的调整。具体的，本实施例中，所述支架盖板的直径为20cm～30cm，以遮蔽所述基座支架的上表面；所述支架盖板的高度为2.0cm～5.5cm，以完全遮蔽所述基座支架的侧面。所述固定块的直径为10cm～25cm、厚度为2cm～5cm。此外，本实施例中支架盖板和固定块上开有螺孔，所述螺孔与现有的用于固定基座和基座支架的螺孔125位置对应，所述支架盖板、基座支架、基座和固定块用螺栓连接固定。这样无需对现有设备的部件进行改造，方便简单，成本较低。实施例二在本实施例中，参考图4，所述用于非晶硅沉积的炉管底座的支架盖板326与基座121是一体成型的，也就是说，基座121在制造成型时就包括了其下方的支架盖板326，支架盖板326遮盖住所述基座支架123的上表面和侧面。可选的，所述固定块322也可是与所述基座一体成型的。所述支架盖板326和固定块322上开有螺孔，所述螺孔与现有的用于连接基座支架的螺孔125位置对应，所述支架盖板、基座支架、基座和固定块用螺栓连接固定。由于所述支架盖板和固定块与基座一体成型，进一步避免在部件之间连接的缝隙处沉积薄膜被炉管反应腔内的气流扬起在产品上形成缺陷。综上所述，本专利技术提供了一种用于非晶硅沉积的炉管底座，所述底座包括密封盖、磁流体、基座、基座支架，还包括支架盖板和固定块，所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间，遮盖住所述基座支架的上表面和侧面，所述固定块位于基座内，覆盖基座底部的开口，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于非晶硅沉积的炉管底座，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座，所述磁流体连接密封盖与基座支架，所述基座支架与基座连接，其特征在于，还包括支架盖板和固定块，所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间，遮盖住所述基座支架的上表面和侧面，所述固定块位于基座内，覆盖基座底部的开口，所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。

【技术特征摘要】
1.一种用于非晶硅沉积的炉管底座，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座，所述磁流体连接密封盖与基座支架，所述基座支架与基座连接，其特征在于，还包括支架盖板和固定块，所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间，遮盖住所述基座支架的上表面和侧面，所述固定块位于基座内，覆盖基座底部的开口，所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。2.如权利要求1所述的用于非晶硅沉积的炉管底座，其特征在于，所述支架盖板和固定块通过固定螺丝与基座固定。3.如权利要求1所述的用于非晶硅沉积的炉管底座，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈建飞，陈腾宏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31