一种在半导体处理装置中动态调节喷头倾斜的致动器制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
一种在半导体处理装置中动态调节喷头倾斜的致动器
本专利技术涉及用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置，并且可以发现在执行薄膜的化学气相沉积中特别有用。
技术介绍
半导体衬底处理装置用于通过包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、脉冲沉积层(PDL)、分子层沉积(MLD)、等离子体增强脉冲沉积层(PEPDL)处理、蚀刻和抗蚀剂去除的技术处理半导体衬底。例如，用于处理半导体衬底的一种类型的半导体衬底处理装置包括含有喷头模块的反应室和在反应室中支撑半导体衬底的衬底基座模块。喷头模块将工艺气体输送到反应室中，使得可以处理半导体衬底。在这种室中，喷头模块的安装和移除可能是耗时的，此外，如果喷头模块的下表面不平行于衬底基座模块的上表面，则可能发生在衬底处理期间的不均匀的膜沉积(即，方位角变化)。
技术实现思路
本文公开了一种用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置。所述半导体衬底处理装置包括：化学隔离室，在该化学隔离室中处理单个的半导体衬底，其中顶板形成所述化学隔离室的上...
【技术保护点】
一种用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置，其包括：化学隔离室，在该化学隔离室中处理单个的半导体衬底，其中顶板形成所述化学隔离室的上壁；工艺气体源，其与所述化学隔离室流体连通，以将工艺气体供应到所述化学隔离室中；喷头模块，其将来自所述工艺气体源的所述工艺气体输送到所述处理装置的其中处理所述单个的半导体衬底的处理区域中，其中所述喷头模块包括附接到杆的下端的基板，其中面板形成所述基板的下表面，所述面板具有穿过其中的气体通道；衬底基座模块，其被配置为在所述衬底的处理期间在所述面板下方的所述处理区域中支撑所述半导体衬底；和喷头模块调节机构，其支撑在所述顶板中的所述喷头模块，其中所述...
【技术特征摘要】
2015.12.31 US 14/986,1911.一种用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置，其包括：化学隔离室，在该化学隔离室中处理单个的半导体衬底，其中顶板形成所述化学隔离室的上壁；工艺气体源，其与所述化学隔离室流体连通，以将工艺气体供应到所述化学隔离室中；喷头模块，其将来自所述工艺气体源的所述工艺气体输送到所述处理装置的其中处理所述单个的半导体衬底的处理区域中，其中所述喷头模块包括附接到杆的下端的基板，其中面板形成所述基板的下表面，所述面板具有穿过其中的气体通道；衬底基座模块，其被配置为在所述衬底的处理期间在所述面板下方的所述处理区域中支撑所述半导体衬底；和喷头模块调节机构，其支撑在所述顶板中的所述喷头模块，其中所述喷头模块调节机构能动态地操作以相对于所述衬底基座模块的与所述面板邻近的上表面调节所述喷头模块的所述面板的平坦化，其中所述喷头模块调节机构包括至少一个致动器组件。2.根据权利要求1所述的半导体衬底处理装置，其中所述至少一个致动器组件包括：至少一个压电叠堆，其动态地使得所述喷头模块能在至少一个倾斜方向上移动。3.根据权利要求2所述的半导体衬底处理装置，其中，所述至少一个致动器组件还包括：杠杆，其机械地放大所述至少一个压电叠堆的位移，其中刀片形挠曲部是杠杆支点。4.根据权利要求3所述的半导体衬底处理装置，其中所述至少一个致动器组件包括：第一挠曲件，其耦合在所述压电叠堆的第一端和容纳所述压电叠堆的致动器壳体之间，以及第二挠曲件，其耦合在所述压电叠堆的第二端和所述杠杆的一侧之间。5.根...
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