线圈结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种线圈结构及其制造方法。根据本发明专利技术的一些实施例，所述方法包含：在载体上方形成线圈，将所述线圈囊封于囊封材料中，将所述囊封材料的顶部表面平面化直到暴露所述线圈为止，在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层，及形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线。所述多个重布线电耦合到所述线圈。

【技术实现步骤摘要】
线圈结构及其制造方法
本专利技术实施例涉及线圈结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的演进，半导体芯片/裸片正变得越来越小。与此同时，需要将更多功能集成到半导体裸片中。因此，半导体裸片需要将越来越大数目个I/O垫包装到较小区域中，且I/O垫的密度随时间迅速升高。因此，半导体裸片的封装变得更加困难，此对封装的合格率产生负面影响。可将常规封装技术划分为两个类别。在第一类别中，晶片上的裸片是在其被锯割之前封装。此封装技术具有一些有利特征，例如较大生产量及较低成本。此外，需要较少底胶或模塑料。然而，此封装技术还有缺点。由于裸片的大小正变得越来越小，且相应封装仅可为扇入型封装，因此在这种封装中，每一裸片的I/O垫被限制于相应裸片的表面正上方的区。在裸片的有限区域的情况下，由于I/O垫的间距的限制，I/O垫的数目受限制。如果减小垫的间距，那么焊区可彼此桥接，此会导致电路故障。另外，在固定球大小的要求下，焊球必须具有特定大小，此又限制可包装于裸片的表面上的焊球的数目。在另一封装类别中，裸片是在其被封装之前从晶片锯割。此封装技术的有利特征是形成扇出封装的可能性，此意味着可将裸片上的I/O垫重布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线圈结构制造方法，其包括：在载体上方形成线圈；将所述线圈囊封于囊封材料中；将所述囊封材料的顶部表面平面化直到暴露所述线圈为止；在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层；及形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线，其中所述多个重布线电耦合到所述线圈。

【技术特征摘要】
2016.01.29 US 62/289,065;2016.09.01 US 15/254,6711.一种线圈结构制造方法，其包括：在载体上方形成线圈；将所述线圈囊封于囊封材料中；将所述囊封材料的顶部表面平面化直到暴露所述线圈为止；在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层；及形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线，其中所述多个重布线电耦合到所述线圈。2.根据权利要求1所述的线圈结构制造方法，其中形成所述线圈进一步包括将所述线圈的底部表面形成为与所述囊封材料的底部表面基本上共面，且不将除所述线圈之外的额外导电构件囊封于所述囊封材料中。3.根据权利要求1所述的线圈结构制造方法，其进一步包括将AC-DC转换器裸片安置在所述载体上方，其中将所述AC-DC转换器裸片囊封于所述囊封材料中，且其中所述方法进一步包括：通过所述多个重布线的部分将所述线圈电耦合到所述AC-DC转换器裸片；将集成式被动装置接合于所述至少一个介电层上方，其中将所述集成式被动装置电耦合到所述多个重布线；或者，将额外集成式被动装置安置于所述载体上方，其中将所述额外集成式被动装置囊封于所述囊封材料中。4.根据权利要求1所述的线圈结构制造方法，其进一步包括：将铁氧体材料附接到所述至少一个电介质层，其中所述铁氧体材料与所述线圈重叠；或者，执行单粒化以将所述线圈分离到封装中，其中在所述封装中无装置裸片及被动装置。5.一种线圈结构制造方法，其包括：在载体上方形成线圈，其中在所述线圈的俯视图中，所述线圈包括环绕内环的外环；将所述线圈囊封于囊封材料中；研磨所述囊封材料，其中所述线圈的所述外环及所述内环的顶部表面由于所述研磨而暴露；在所述囊封材料及所述线圈上方形成电介质层；将所述电介质层图案化以形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，江宗宪，蔡豪益，郭鸿毅，曾明鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71