一种半导体生产工艺及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体生产工艺及装置，其中半导体生产工艺为：提供整片引线框架，在所述引线框架注塑后先进行管脚半切处理，然后依次进行整形处理、电镀处理以及单颗分离处理，所述整形处理可消除管脚半切后产生的内应力和拱曲变形。通过调整生产工艺，使管脚半切后立即进行整形处理，消除管脚半切产生的内应力和拱曲变形，可以顺利进行后续的电镀处理和单颗分离处理，有效的避免了电镀和单颗分离时设备上下料困难、卡料以及分离模具定位不准的问题，提高了产品的良率，同时，还可增大整片引线框架的片宽，提高单颗分离的数量，即提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体生产工艺及装置
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体生产工艺及装置。
技术介绍
半导体(Semiconductor)是指常温下导电性介于导体(Conductor)与绝缘体(Insulator)之间的材料。在半导体封装过程中常采用引线框架作为集成电路的芯片载体，引线框架是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。目前半导体封装产品大多要求在引线框架的管脚侧面镀锡，以提高产品在PCB板上的焊接牢固性，对引线框架采用管脚半切方式处理可以达到该要求。现有的半导体封装中的引线框架的主要工艺流程为：整片引线框架注塑成型-烘烤-管脚半切-电镀-烘烤-分离成单颗的引线框架。此工艺流程具有以下缺陷：在管脚半切后整片引线框架会产生拱曲变形，从而导致电镀和分离单颗产品过程中出现设备上下料困难、卡料以及分离模具定位不准等问题，使得产品报废，且整片引线框架半切后的拱曲变形量与其片宽成正比，即引线框架片宽越宽变形越严重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体生产工艺，其特征在于，提供整片引线框架，在所述引线框架注塑后先进行管脚半切处理，然后依次进行整形处理、电镀处理以及单颗分离处理，所述整形处理可消除管脚半切后产生的内应力和拱曲变形。

【技术特征摘要】
1.一种半导体生产工艺，其特征在于，提供整片引线框架，在所述引线框架注塑后先进行管脚半切处理，然后依次进行整形处理、电镀处理以及单颗分离处理，所述整形处理可消除管脚半切后产生的内应力和拱曲变形。2.根据权利要求1所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述整形处理具体为：在所述引线框架上施加压力，然后对所述引线框架进行烘烤处理。3.根据权利要求2所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述整形处理包括以下步骤：步骤S10、将多个所述引线框架层叠后放置在料盒内；步骤S20、将压块放置在最上层的所述引线框架上；步骤S30、对料盒内的所述引线框架进行烘烤处理。4.根据权利要求3所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述步骤S20中的所述压块施加在所述引线框架上的力均匀分布，且力的大小可调。5.根据权利要求4所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述压块施加在所述引线框架上的压力为5kgf～15kgf；或，所述压块的重量为5kg～15kg。6.根据权利要求3所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述步骤S30中的烘烤处理具体为：将所述料盒、所述引线框架以及所述压块整体移送至烘烤箱内。7.根据权利要求3所述的半导体生产工艺，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄源炜，曹周，桑林波，李韦晓，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44