磁存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
磁存储器件及其制造方法
按照示例实施方式的装置和方法涉及一种半导体器件及其制造方法，具体地，涉及包括磁隧道结的磁存储器件以及制造该磁存储器件的方法。
技术介绍
由于对具有快速和/或低功耗的增加的需求，半导体器件需要快的操作速度和/或低的操作电压。例如，能够提供诸如低延迟和非易失性的技术优点的磁存储器件已经被提出以满足这样的要求。因而，磁存储器件目前被认为是新出现的下一代存储器件。磁存储器件可以包括磁隧道结(MTJ)。MTJ可以包括两个磁性层和插设在两者之间的隧道势垒层。MTJ的电阻可以取决于磁性层的磁化方向而改变。例如，MTJ的电阻可以在磁性层的磁化方向反平行时比当它们平行时更高。电阻的这样的差异可以用于在磁存储器件中存储数据。然而，需要更多的研究以批量生产磁存储器件。
技术实现思路
一个或多个示例实施方式提供一种制造具有改善的磁阻比率的磁存储器件的方法。此外，一个或多个示例实施方式提供一种具有改善的磁阻比率的磁存储器件。根据示例实施方式的一方面，提供一种制造磁存储器件的方法，该方法包括：在基板上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒层；以及在隧道势垒层上形成第二磁性层，隧道势垒层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造磁存储器件的方法，该方法包括：在基板上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成隧道势垒层；以及在所述隧道势垒层上形成第二磁性层，其中所述隧道势垒层的形成包括：在所述第一磁性层上形成第一金属氧化物层；在所述第一金属氧化物层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属氧化物层；以及进行第一热处理工艺以氧化所述第一金属层的至少一部分。

【技术特征摘要】
2015.12.10 KR 10-2015-01760501.一种制造磁存储器件的方法，该方法包括：在基板上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成隧道势垒层；以及在所述隧道势垒层上形成第二磁性层，其中所述隧道势垒层的形成包括：在所述第一磁性层上形成第一金属氧化物层；在所述第一金属氧化物层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属氧化物层；以及进行第一热处理工艺以氧化所述第一金属层的至少一部分。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层包括Mg、Fe、Ti、Ta、Al、W、Hf和V当中的至少一种。3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层的厚度在所述隧道势垒层的厚度的0.1至0.2倍的范围内。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层包括相同的材料，并且其中所述相同的材料包括镁氧化物、钛氧化物、铝氧化物、镁锌氧化物和镁硼氧化物中的至少一种。5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属氧化物层、所述第一金属层和所述第二金属氧化物层在与用于所述第一热处理工艺的相同系统内原位地形成。6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层的每个的形成包括使用多个靶进行射频溅射工艺。7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理工艺在100至500℃的温度进行10至300秒。8.如权利要求7所述的方法，还包括在形成所述第二磁性层之后进行第二热处理工艺。9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二热处理工艺在350至400℃的温度进行30至120分钟。10.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层通过所述第一热处理工...

【专利技术属性】
技术研发人员：金基雄，金柱显，朴容星，吴世忠，李俊明，林佑昶，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR