磁电器件和互连件制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁电器件和互连件
技术介绍
具有非易失性的芯片上器件能够实现能量和计算效率。非易失性器件的示例是自旋转移矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)。然而，STT-MRAM在位单元的编程(即，写入)期间存在高电压和高电流密度的问题。在STT-MRAM的铁磁体中切换磁化方向的过程可能是缓慢的过程。附图说明根据下文给出的具体实施方式并根据本公开的各实施例的附图，将更充分地理解本公开的实施例，然而，具体实施方式和附图不应被认为是将本公开限制于具体实施例，而是仅用于解释和理解的目的。图1示出了根据一些实施例的具有多铁性材料的器件的截面，其可操作用于通过在铁磁(FM)材料和磁电(ME)材料的界面处交换偏压而生成ME场。图2示出了根据本公开的一些实施例的通过组合隧道结器件和ME器件而形成的三端子(3T)存储器单元的截面。图3示出了根据本公开的一些实施例的由ME器件形成的2T存储器单元的截面。图4示出了根据本公开的一些实施例的在一个端部上具有ME器件并且在另一端部上具有隧道结器件的互连件的截面。图5A-B示出了根据本公开的一些实施例的在互连件的任一端部上具有磁电器件的互连件的截面。图6示出...
【技术保护点】
一种互连件，包括：第一端部，其具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层；以及第二端部，其具有耦合到所述铁磁层的第二磁电材料层，其中，所述铁磁层从所述第一端部延伸到所述第二端部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种互连件，包括：第一端部，其具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层；以及第二端部，其具有耦合到所述铁磁层的第二磁电材料层，其中，所述铁磁层从所述第一端部延伸到所述第二端部。2.根据权利要求1所述的互连件，其中，所述第一端部耦合到向所述第一磁电材料层提供输入电压的驱动器。3.根据权利要求1所述的互连件，其中，所述第一磁电材料层是单层。4.根据权利要求1所述的互连件，其中，所述第一磁电材料层是混合磁电材料层。5.根据权利要求4所述的互连件，其中，所述混合磁电材料层包括对所述铁磁层施加磁致伸缩的压电材料。6.根据权利要求1所述的互连件，其中，所述第二端部耦合到接收器以检测与所述第二磁电材料层相关联的输出电压。7.根据权利要求1所述的互连件，其中，所述第一磁电材料层和所述第二磁电材料层由如下材料之一构成：BiFeO3、BiMnFe3、NiC1、Ni3B7O13Cl或Cr2O3。8.根据权利要求1所述的互连件，其中，所述铁磁层是由如下材料中的一种或多种形成的层：CoFeB；Co、Fe、Ni或Gd合金；或Heusler合金。9.根据权利要求1所述的互连件，其中，当在所述第一磁电材料层上向所述第一端部施加电压时，畴壁横越所述铁磁层。10.根据权利要求1所述的互连件，其中，所述第一端部或所述第二端部耦合到导电线的一个端部，以使得所述导电线的第二端部耦合到另一互连件，所述另一互连件包括：具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部；以及具有耦合到所述铁磁层的第二磁电材料层的第二端部，其中，所述铁磁层从所述另一互连件的第一端部延伸到第二端部。11.根据权利要求1所述的互连件，其中，所述第一端部或所述第二端部耦合到导电线的一个端部，以使得所述导电线的第二端部耦合到开关器件。12.根据权利要求11所述的互连件，其中，所述开关器件是晶体管，并且其中，所述导电线的所述第二端部耦合到所述开关器件的栅极端子。13.根据权利要求12所述的互连件，其中，所述开关器件的源极端子耦合到另一导电线，所述另一导电线耦合到另一互连件，其中，所述另一互连件包括：具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部；以及具有耦合到所述铁磁层的第二磁电材料层的第二端部，其中，所述铁磁层从所述另一互连件的第一端部延伸到所述第二端部。14.一种磁性逻辑门器件，包括：铁磁层；以及耦合到所述铁磁层的第一磁电材料层、第二磁电材料层、第三磁电材料层和第四磁电材料层。15.根据权利要求14所述的磁性逻辑门器件，其中，所述铁磁层被配置成环的形状。1...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·E·尼科诺夫，S·马尼帕特鲁尼，I·A·扬，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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