磁性元件和存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及磁性元件和存储装置，其中，该磁性元件包括：自由磁化层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在自由磁化层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
磁性元件和存储装置本申请是申请日2012年07月25日、申请号为201210260559.9、专利技术名称为“存储元件和存储装置”的申请的分案申请。
本专利技术涉及包括将铁磁层的磁化状态存储为信息的存储层和磁化方向被固定的磁化固定层，并且存储层的磁化方向通过使电流流动而改变的存储元件，以及包括该存储元件的存储装置。
技术介绍
随着诸如移动终端和大容量服务器的各种信息装置的快速发展，已对诸如各种信息装置中所包括的存储器或逻辑电路的元件研究了诸如高集成度、高速度以及低功耗的高新性能特征。具体地，半导体非易失性存储器已高度先进并且诸如大容量文件存储器的闪存已作为硬盘驱动器被大量生产。另一方面，铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)等在开发中，以将这些存储器发展成代码存储器或工作存储器并且代替目前已有的NOR闪存或DRAM。此外，一些存储器已被投入实际使用。在这些存储器中，MRAM由于数据根据磁体的磁化方向被存储而能够快速地并且几乎是无数次地(1015次以上)重写数据，并且已被用在工业自动化、飞机等领域。从高速操作和可靠性方面来讲，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁性元件，包括自由磁化层，具有1600nm

【技术特征摘要】
2011.08.03 JP 2011-1698671.一种磁性元件，包括自由磁化层，具有1600nm2以下的平面图案的面积，所述自由磁化层包括被配置为待改变的磁化状态；绝缘层，被耦合至所述自由磁化层，所述绝缘层包括非磁性材料；以及磁化固定层，与所述自由磁化层相对地耦合至所述绝缘层，所述磁化固定层包括固定的磁化以便能够用作所述自由磁化层的基准，其中，所述平面图案的区域垂直于所述磁性元件的厚度方向。2.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述非磁性材料包括MgO。3.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层的尺寸等于或者小于所述磁化的方向被同时改变的尺寸。4.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层包括第一铁磁材料。5.根据权利要求4所述的磁性元件，其中，所述第一铁磁材料包括Co、Fe和B。6.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述平面图案的面积是1300nm2以下。7.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层具有45nm以下的横向长度。8.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层具有40nm以下的横向长度。9.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层具有2390nm3以下的体积。10.根据权利要求5所述的磁性元件，其中，所述自由磁化层包括单个第一铁磁材料层。11.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：山根一阳，细见政功，大森广之，别所和宏，肥后丰，浅山徹哉，内田裕行，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP