电子设备制造技术

提供了一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器可以包括：钉扎层，其具有钉扎磁化方向；自由层，其具有可变磁化方向；隧道阻挡层，其介于钉扎层与自由层之间，并包括金属氧化物；以及碳基化合物片，其位于钉扎层与隧道阻挡层之间、自由层与隧道阻挡层之间、以及在隧道阻挡层中当中的一处或更多处。

【技术实现步骤摘要】
电子设备相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月30日提交的名称为“电子设备”的韩国专利申请第10-2015-0189319号的优先权，其通过引用整体合并于此。
本专利技术文献涉及一种存储电路或存储器件以及它们在电子设备或系统中的应用。
技术介绍
近来，由于电子产品趋于小型化、低功耗、高性能、多功能等，在本领域中已要求能够在诸如计算机、便携式通信装置等各种电子产品中存储信息的半导体器件，并且已对这类半导体器件进行了研究。这样的半导体器件包括能够使用它们根据被施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换的特性来存储数据的半导体器件，例如，PRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝(E-fuse)等。
技术实现思路
在本专利文献中公开的技术包括存储电路或存储器件以及它们在电子设备或系统中的应用，并且包括能够提升可变电阻元件的特性的半导体存储器的电子设备的各种实施方式。在一个实施方式中，提供一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器可以包括：具有钉扎磁化方向的钉扎层；具有可变磁化方向的自由层；介于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括半导体存储器的电子设备，其中，半导体存储器包括：钉扎层，其具有钉扎磁化方向；自由层，其具有可变磁化方向；隧道阻挡层，其介于钉扎层与自由层之间，并包括金属氧化物；以及碳基化合物片，其位于钉扎层与隧道阻挡层之间、自由层与隧道阻挡层之间、或在隧道阻挡层中。

【技术特征摘要】
2015.12.30 KR 10-2015-01893191.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，半导体存储器包括：钉扎层，其具有钉扎磁化方向；自由层，其具有可变磁化方向；隧道阻挡层，其介于钉扎层与自由层之间，并包括金属氧化物；以及碳基化合物片，其位于钉扎层与隧道阻挡层之间、自由层与隧道阻挡层之间、或在隧道阻挡层中。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，隧道阻挡层具有根据碳基化合物片相对于隧道阻挡层的接触面积而调整的带隙。3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，碳基化合物片包括石墨烯、石墨氧化物或富勒烯。4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，隧道阻挡层包括氧化锌，而碳基化合物片包括石墨烯。5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，碳基化合物片相对于隧道阻挡层的接触面积对应于隧道阻挡层的面积的10％。6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，穿过隧道阻挡层的电子隧穿发生在存在碳基化合物片的区域中。7.根据权利要求7所述的电子设备，其中，在钉扎层或自由层具有多层结构时，多层结构的与隧道阻挡层接触的层包括铁磁材料。8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，隧道阻挡层与自由层的至少一部分互相直接接触，以及隧道阻挡层与钉扎层的至少一部分互相直接接触。9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，半导体存储器还包括底层，该底层用于提高被布置在MTJ结构之下且位于底层之上的层的垂直磁晶态各向异性。10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，半导体存储器还包括用于减少由钉扎层产生的杂散场的影响的磁校正层。11.根据权利要求1所述的电子设备，其还包括处理器，所述处理器包括：核心单元，其被配置为基于从处理器外部输入的命令，通过使用数据执行与所述命令相对应的操作；高速缓冲存储单元，其被配置为存储用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或对其执行操作的数据的地址；以及总线接口，其连接在核心单元与高速缓冲存储单元之间，并被配置为在核心单元与高速缓冲存储单元之间传送数据，其中，半导体存储器是处理器中高速缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正明，金俊緖，林钟久，文廷桓，尹晟准，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR