高频开关制造技术

实施方式提供一种高频开关，能够减少高频信号的插入损失。实施方式的高频开关具备切换高频信号的路线的开关电路以及控制开关电路的控制电路。开关电路具有多个n型MOSFET。多个n型MOSFET具有源极层、漏极层、在源极层与漏极层之间设置的主体区域、在主体区域之上设置的栅极电极、以及设置为覆盖源极层、漏极层以及栅极电极并且具有拉伸内部应力的氮化硅膜。

High frequency switch

Embodiments provide a high frequency switch capable of reducing insertion loss of high-frequency signals. The high frequency switch of the embodiment has a switching circuit for switching the route of the high frequency signal and a control circuit for controlling the switching circuit. The switching circuit has multiple N type MOSFET. A plurality of N type MOSFET has a source layer, a drain layer, a source layer and a drain layer is arranged between the main area, in the main area is arranged on the gate electrode, and is set to cover the source layer, a drain layer and a gate electrode and has the internal tensile stress of silicon nitride film.

【技术实现步骤摘要】
高频开关关联申请本申请享受以日本专利申请2016－10950号(申请日：2016年1月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部的内容。
本专利技术的实施方式涉及高频开关。
技术介绍
在便携电话等移动通信设备中，高频信号通过天线端子被发送接收。另外，在这样的移动通信设备中设有高频开关。该高频开关具备例如切换高频信号的路线的开关电路、以及控制该开关电路的控制电路。作为构成该开关电路的半导体装置，近年来使用n型MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)。在n型MOSFET被用于上述开关电路的情况下，若n型MOSFET的导通电阻高，则高频信号的插入损失可能会变大。
技术实现思路
本实施方式提供一种能够减少高频信号的插入损失的高频开关。本实施方式涉及的高频开关具备切换高频信号的路线的开关电路以及控制开关电路的控制电路。开关电路具有多个n型MOSFET。多个n型MOSFET具有源极层、漏极层、在源极层与漏极层之间设置的主体区域、在主体区域之上设置的栅极电极、以及设置为覆盖源极层、漏极层以及栅极电极并且具有拉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频开关，具备：开关电路，切换高频信号的路线；以及控制电路，控制上述开关电路，上述开关电路具有多个n型MOSFET，上述多个n型MOSFET具有：源极层；漏极层；主体区域，设置于上述源极层与上述漏极层之间；栅极电极，设置于上述主体区域之上；以及氮化硅膜，设置为覆盖上述源极层、上述漏极层以及上述栅极电极，该氮化硅膜具有拉伸内部应力。

【技术特征摘要】
2016.01.22 JP 2016-0109501.一种高频开关，具备：开关电路，切换高频信号的路线；以及控制电路，控制上述开关电路，上述开关电路具有多个n型MOSFET，上述多个n型MOSFET具有：源极层；漏极层；主体区域，设置于上述源极层与上述漏极层之间；栅极电极，设置于上述主体区域之上；以及氮化硅膜，设置为覆盖上述源极层、上述漏极层以及上述栅极电极，该氮化硅膜具有拉伸内部应力。2.如权利要求1所述的高频开关，其中，上述多个n型MOSFET还具有在上述栅极电极的侧面设置的侧壁绝缘膜，上述氮化硅膜的膜厚为上述侧壁绝缘膜的宽度以上。3.如权利要求1或2所述的高频开关，其中，上述多个n型MOSFET还具有：布线，设置为与构成栅极电极列的多个上述栅极电极成梳状；以及主体电极，在栅极长方向上，设置于比上述布线更靠活性区域端部侧的位...

【专利技术属性】
技术研发人员：西堀一弥，增田敬太，须贺彻，中川贵博，柴田和彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP