高频开关制造技术

一种高频开关，具有：　　　　连接于输入输出端口和发送端口之间的第一ＦＥＴ开关；　　　　一端连接于上述输入输出端口和接收端口之间、另一端接地的第二ＦＥＴ开关；　　　　控制第一、第二ＦＥＴ开关的通－断的控制端口；以及　　　　连接于第二ＦＥＴ开关的一端和输入输出端口之间的电气长度与从上述发送端口输入的高频信号的４分之１波长相当的带状线。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及在便携电话的RF(射频)电路中所使用的高频开关(スイツチ)。
技术介绍
一般地，作为在携带电话等高频无线电设备的RF电路中使用的高频开关，已知有在内置有带状线(ストリツプライソ)的多层基板上安装PIN二极管的构成(例如，参照特开平8-97743号公报(第3-4页，图1、图2、图3))。并且现在，希望将配置在周边的高频滤波器、放大器等高频部件集成在这种高频开关中的复合(集成)化不断进展，在这种复合化的进展同时，还希望使安装在多层基板上的部件小型化，在由此产生的空间中安装更多的高频部件，作为将现有的使用PIN型二极管的高频开关小型化的一种方法，已提出了采用使用了场效应晶体管开关(FET开关)的高频开关的方案(例如，参照特开平9-181588号公报(第4页，图1))。但是，在使用FET开关的情况下，必须考虑与从发送端口输入的高频信号相关的构成FET开关的FET的耐电压性，在各FET开关内将各FET设为多达4～8段的多段结构，使高频开关难以充分小型化，结果很难复合(集成)化。
技术实现思路
本专利技术为解决上述问题，提供一种高频开关，具有连接于输入输出端口和发送端口之间的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：栉谷洋，永田康志，安保武雄，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：