一种消除信号中漏电的电路装置，包括至少一消除漏电的电路单元，该消除漏电的电路单元包括有一场效应晶体管，该场效应晶体管的源极与一带有漏电的信号线相连，其闸极通过一电阻Ｒ１与直流电源串接，其汲极通过一电阻Ｒ２与直流电源串接，其汲极通过输出端输出已消除了漏电的信号。利用本发明专利技术的电路装置，可降低消除漏电流所需的费用，并能保证原信号线的功能与高低准位不会被改变。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种消除信号中漏电的电路装置，特别是涉及一种采用场效应晶体管来消除信号中漏电的电路装置。
技术介绍
在数字电路设计中，漏电(Electric Leakage)问题一直存在，如图1所示，是带有漏电的信号传输示意图。因为在A系统1存在漏电流，则其通过传输线会传送给B系统2，这些漏电流会造成输至B系统2的信号中存在有不必要的噪声，或由于漏电的电磁效应，而造成B系统2的误操作。为消除这些漏电流，一般需采用专门设计的IC；或者采用用来隔离漏电的通用IC(如7404等)来隔离漏电维持原信号。但由于IC的成本一般比较高，且有时在设计中只须隔离几根漏电信号线，所以采用IC来处理会造成浪费。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题，本专利技术提供了一种简单且低成本的消除信号漏电的电路装置。该消除信号中漏电的电路装置，其可接收前一系统带有漏电的信号，并将已消除漏电的信号传输到下一系统中，该电路装置包括至少一消除漏电的电路单元，该消除漏电的电路单元包括有一场效应晶体管、一输入端、一输出端、一第一电阻及一第二电阻；其中，该输入端与前一系统的一带有漏电的信号线相连，用于接收带有漏电的信号；该场效应晶体管的源极与输入端相连，其闸极通过该第一电阻与一直流电源串接，其汲极通过该第二电阻与该直流电源串接；且该场效应晶体管的汲极与输出端连接，将已消除漏电的信号输出至下一系统。其中，消除信号漏电的电路单元的数目与前一系统中带有漏电的信号线的数目一一对应。其中，场效应晶体管为MOSFET管，其型号为2N7002，第一电阻、第二电阻的阻值均为8.2K。通过本专利技术所提供的电路装置，可降低消除漏电流所需的费用，并能保证原信号线的功能与高低准位不会被改变。附图说明图1是带有漏电的信号传输示意图。图2是本专利技术的实施环境示意图。图3是本专利技术图2中漏电消除电路的电路原理图。具体实施方式如图2所示，是本专利技术的实施环境示意图。在本专利技术所提供的实施例中，是在A系统1与B系统2之间设置一漏电消除电路3来消除来自A系统1的信号中的漏电。从A系统1所输出的带有漏电的信号，经过漏电消除电路3的作用，其中的漏电可被消除掉。如图3所示，是图2中漏电消除电路的电路原理图。在本专利技术中采用场效应管(Field-Effect Transistor，FET)的开关特性来实现漏电的消除，而不是采用三极管(Transistor)，是因为三极管是流控组件，如果采用三极管，则可能因为漏电流的缘故而产生误动作。而场效应管是压控组件，所以其不会受漏电流的输入影响。在本专利技术的实施例中，采用金属氧化物半导体场效应管晶体管(Metallic OxideSemiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)。而所使用的MOSFET的数目，由带有漏电的信号线数目所决定，其为一一对应的关系，即每一颗MOSFET可消除一条信号线上的漏电，当带有漏电的信号线增加，所需要的MOSFET随之增加。在本专利技术的实施例中，采用了两颗MOSFET，对两根信号线的漏电进行消除。在图3中的MOSFET，分别记作Q1和Q2。该电路的具体连接关系如下来自A系统1的一条信号线通过输入端与Q1的源极(Source)相连，该信号线带有漏电。所以带有漏电的信号会从Q1的源极输入至Q1中，Q1会对这些漏电进行消除动作。Q1的闸极(Gate)通过一电阻R1与一直流电源(VCC)相连，而Q1的汲极(Drain)通过一电阻R2与VCC相连，而从其汲极引出一输出线，将已消除漏电的信号传输至B系统2。可以把Q1及与其连接的电阻R1及电阻R2视为一消除漏电的电路单元。而MOSFET管Q2的连接方式与Q1的连接方式类似。Q2的源极与来自A系统1的另一条带有漏电的信号线相连。Q2的闸极通过一电阻R3与VCC相连，而Q2的汲极通过一电阻R4与VCC相连，而从其汲极引出一输出线，将已消除漏电的信号传输至B系统2。在本专利技术的实施例中，Q1和Q2均采用2N7002型号MOSFET管，而R1、R2、R3及R4的阻值选用8.2K欧姆，VCC为+5伏。下面简要叙述其工作原理。在该实施例中，MOSFET作为开关管使用，因为MOSFET的高输入阻抗及压控特性，使消除漏电成为可能。以Q1为例，当输入的信号(来自A系统)为低电平时，则由于Q1的源极为低电平，所以Q1的闸源间电压大于零，则Q1处于导通状态，所以Q1的汲极输出为低电平，传输至B系统；同理，当输入的信号为高电平时，则由于Q1的源极为高电平，所以Q1的闸源间电压小于零，则Q1处于截止状态，因而Q1的汲极输出为高电平(+5伏)，传输至B系统。Q2的工作原理与Q1相同。因为MOSFET具有压控特性，传输至B系统的信号只与原信号的电压有关，而与原信号的电流无关，原信号中的漏电流不会通过MOSFET而传输至B系统中，所以消除了原信号中的漏电。并且该漏电消除电路3不会改变原信号的准位及原有的功能。上述仅提供了本专利技术的一实施例，其中也可选用其它类型的场效应管。其中MOSFET的数目取决于带有漏电的信号线的数目，而不仅仅限定于两颗；Q1与Q2的型号及R1～R4阻值的选择可以根据实际情况进行调整，但需要保证使Q1及Q2工作于开关状态。权利要求1.一种消除信号中漏电的电路装置，其可接收前一系统带有漏电的信号，并将已消除漏电的信号传输到下一系统中，其特征在于该电路装置包括至少一消除漏电的电路单元，该消除漏电的电路单元包括有一场效应晶体管、一输入端、一输出端、一第一电阻及一第二电阻；其中该输入端与前一系统一带有漏电的信号线相连，用于接收带有漏电的信号；该场效应晶体管的源极与输入端相连，其闸极通过该第一电阻与一直流电源串接，其汲极通过该第二电阻与该直流电源串接；且该场效应晶体管的汲极与输出端连接，将已消除漏电的信号输出至该下一系统。2.如权利要求1所述的消除信号中漏电的电路装置，其特征在于，消除信号漏电的电路单元的数目与前一系统中带有漏电的信号线的数目一一对应。3.如权利要求2所述的消除信号中漏电的电路装置，其特征在于，场效应晶体管为MOSFET管。4.如权利要求3所述的消除信号中漏电的电路装置，其特征在于，MOSFET型号为2N7002。5.如权利要求4所述的消除信号中漏电的电路装置，其特征在于，第一电阻、第二电阻的阻值为8.2K。6.如权利要求1所述的消除信号中漏电的电路装置，其特征在于，直流电源为+5伏。7.如权利要求1所述的消除信号中漏电的电路装置，其特征在于，前一系统与下一系统均为电路装置。全文摘要一种消除信号中漏电的电路装置，包括至少一消除漏电的电路单元，该消除漏电的电路单元包括有一场效应晶体管，该场效应晶体管的源极与一带有漏电的信号线相连，其闸极通过一电阻R1与直流电源串接，其汲极通过一电阻R2与直流电源串接，其汲极通过输出端输出已消除了漏电的信号。利用本专利技术的电路装置，可降低消除漏电流所需的费用，并能保证原信号线的功能与高低准位不会被改变。文档编号H03K17/687GK1642007SQ20041001512公开日2005年7月20日 申请日期2004年1月10日 优先权日2004年1月10日专利技术者谢明志 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种消除信号中漏电的电路装置，其可接收前一系统带有漏电的信号，并将已消除漏电的信号传输到下一系统中，其特征在于该电路装置包括：至少一消除漏电的电路单元，该消除漏电的电路单元包括有一场效应晶体管、一输入端、一输出端、一第一电阻及一第二 电阻；其中：该输入端与前一系统一带有漏电的信号线相连，用于接收带有漏电的信号；该场效应晶体管的源极与输入端相连，其闸极通过该第一电阻与一直流电源串接，其汲极通过该第二电阻与该直流电源串接；且该场效应晶体管的汲极与输出端连接，将已消除漏电的信号输出至该下一系统。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢明志，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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