一种实现可控硅可靠关断的方法技术

用可控硅控制交流电的导通或判断时，控制信号两端一般通过一小变压器将控制信号引入，但由于变压器为一储能元件，在切出控制信号后，所存贮的能量仍然和主回路感应过来的能量叠加，可能导致控制信号两端电压不能下降到可控硅的不触发电压之下，从而导致可控硅继续导通，处于失控状态，特别是小容量可控硅控制大电流时，此种现象更突出。本发明专利技术正是为了解决此问题而提出。本发明专利技术是一种实现可控硅可靠关断的方法。它是通过在可控硅的控制信号两端接一负载，此负载在导通状态时，阻抗值较大，不影响正常运行；在关断状态时，阻抗值较小，使控制信号两端的电压迅速降低至可控硅的不触发电压之下，从而实现可控硅的可靠关断。本发明专利技术主要应用于可控硅控制电路。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属电子
，应用于在控制信号切出后可靠关断可控硅，避免可控硅处于失控状态。
技术介绍
目前，在用可控硅控制交流电的导通或关断时，一般都是采用一个小变压器将控制信号引入至可控硅的控制信号输入端，但由于变压器固有的储能属性，在切出控制信号后，其所存贮的能量仍然和主回路感应过来的能量叠加，可能导致控制信号两端电压不能下降到可控硅的不触发电压以下，从而导致可控硅继续导通，造成可控硅无法正常关断而处于失控状态。特别是在用小容量可控硅控制大电流的情况下，此种现象更为突出。
技术实现思路
为了克服现有上述所存在的问题，本专利技术提出一种新方法，该方法能有效地解决切出控制信号后可控硅可靠关断的问题。本专利技术所采用的技术方案是在可控硅的控制信号输入两端接一个负载，此负载在可控硅处于导通状态时，其阻抗值较大，不影响可控硅的正常导通；在可控硅处于关断状态时，其阻抗值较小，使控制信号两端的电压迅速降低至可控硅的不触发电压之下，从而保证可控硅能可靠地关断。本专利技术的有益效果是，能够保证在发出切出信号后确保可控硅有效地实现关断，避免可控硅处于失控状态，从而保证了控制的有效性和可靠性。附图说明下面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现可控硅可靠关断的方法，其特征在于：１）可控硅的控制信号两端接一可变负载，此负载的阻抗值随控制信号的状态不同而变化。２）在控制导通状态时，可变负载的阻抗值较大，不改变控制特性，使可控硅实现正常接通。３）在切出控 制信号时，可变负载的阻抗值较小，从而将控制信号两端的电压迅速拉低至可控硅的不触发电压之下，使可控硅实现可靠关断。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚普粮，韦甘铭，付文军，林朝光，
申请(专利权)人：北海市深蓝科技发展有限责任公司，
类型：发明
国别省市：45[中国|广西]