自关断可控硅等效电路制造技术

本发明专利技术的目的在于提供自关断可控硅等效电路，其包括晶体管或复合管或DMOS管Q1、晶体管或复合管或DMOS管Q2、箝位限流保护电路以及开关管Q3，其中：所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的发射极作为阳极A，基极与箝位限流保护电路的一端相连接；所述箝位限流保护电路的另一端与所述阳极A相连接；所述开关管Q3的基极作为控制极G，集电极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的集电极相连接，发射极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q2的基极相连接；所述晶体管或复合管或DMOS管Q2的集电极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的基极相连接，发射极作为阴极K。本发明专利技术所提供的自关断可控硅等效电路可实现电流驱动，只要有无电流就可轻易实现开断，方便进行低压电流的自动化控制，解决了现有技术中在关断时需要反向脉冲，不易关断的缺点。

【技术实现步骤摘要】
自关断可控硅等效电路
本专利技术属于半导体器件
，尤其涉及自关断可控硅等效电路。技术背景现有的可关断可控硅(晶闸管)是一种施加适当“极性”的门极信号，可从通态转换到断态或从断态转换到通态的三端可控硅，一般用GTO表示。GTO有3个引出电极，分别用阳极A、阴极K、门极G表示。GTO的工作原理为正向时，阳极和阴极间加正压，若门极G无电压，则GTO阳极电压低于转折激穿电压时不会导通；若门极G加正压，则GTO在阳极电压小于转折激穿电压时，被门极G触发导通。但GTO的关断，是在门极加一定的负压，抽出负电流，使阴极导通区由接近门极的边缘向阴极中心区收缩，可一直收缩到载流子扩散长度的数量级，因为GTO 的阴极条宽度小，抽流时，P区横向电阻引起的横向压降小于门G、阴极K的反向击穿电压。 此时GTO不能维持内部电流的正反馈，通态电流开始下降，此过程经过一定时间，GTO达到关断，所以在开关驱动控制时，需要提供一定负电压源才行。目前研究的新型功率器件MCT (M0S控制晶闸管)是一种新型MOS/双极符合器件。 它是在普通晶闸管中用集成电路工艺制作大量的MOS开关，通过MOS开关的通断来控制晶闸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林计平，
申请(专利权)人：北京雪迪龙科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：