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本发明的目的在于提供自关断可控硅等效电路，其包括晶体管或复合管或DMOS管Q1、晶体管或复合管或DMOS管Q2、箝位限流保护电路以及开关管Q3，其中：所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的发射极作为阳极A，基极与箝位限流保护电路的一端相连接；...
该专利属于北京雪迪龙科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京雪迪龙科技股份有限公司授权不得商用。

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