高频开关制造技术

本发明专利技术涉及高频开关。根据本发明专利技术的高频开关包括：至少一个发送端口(10)、至少一个接收端口(20)、共用端口(30)、发送侧串联开关(40)、发送侧分路开关(50)、接收侧串联开关(60)以及接收侧分路开关(70)。发送端口用于输入发送信号，接收端口用于输出接收信号，共用端口用于发送发送信号或接收接收信号。发送侧串联开关具有接触型FET，连接于发送端口与共用端口之间。发送侧分路开关具有接触型FET，连接于发送端口与接地端之间。接收侧串联开关具有接触型FET，连接于接收端口与共用端口之间。接收侧分路开关具有至少一个浮体型FET，连接于接收端口与接地端之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高频开关。
技术介绍
近来，正在积极进行便携式电话等无线通信设备的小型化。无线通信设备内部具有多个半导体集成电路，因此如果要实现无线通信设备的小型化，则简化或缩小这些半导体集成电路变为尤为重要。作为设置在无线通信设备内部的半导体集成电路，包括在天线与发送/接收电路之间切换高频信号的传输路径的高频半导体开关(下面称为高频开关)。在无线通信系统中，高频开关包括分别连接于多个发送/接收电路的多个高频端口以及连接于天线的共用端口。高频开关在多个高频端口与共用端口之间切换高频信号的传输路径，从而选择连接于高频开关的多个发送/接收电路中的一个与天线电连接(参照下面专利文献I)。根据专利文献I公开的高频开关，作为SOI (Silicon On Insulator,绝缘体上硅)基板上的开关元件，具有多个MOS型场效应晶体管(下面称为M0SFET)，以此切换各高频端口与共用端口之间的高频信号的传输路径。专利文献1:日本专利公开2005-515657号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高频开关，利用形成在SOI基板上的M0SFET，维持高频信号的传输路径上的良好的高频特性，并且缩小了电路规模。本专利技术的上述目的通过以下手段实现。根据本专利技术的一个方面的高频开关包括至少一个发送端口、至少一个接收端口、共用端口、发送侧串联开关、发送侧分路开关、接收侧串联开关以及接收侧分路开关。发送端口用于输入发送信号，接收端 口用于输出接收信号，共用端口用于发送发送信号或接收接收信号。发送侧串联开关具有接触型FET，连接于发送端口与共用端口之间。发送侧分路开关具有接触型FET，连接于发送端口与接地端之间。接收侧串联开关具有接触型FET，连接于接收端口与共用端口之间。接收侧分路开关具有至少一个浮体型FET，连接于接收端口与接地端之间。根据本专利技术的高频开关,能够维持高频信号的传输路径上的良好的高频特性,还能够缩小电路尺寸。并且能够提高接收侧的隔离特性。附图说明图1是根据本专利技术第一实施方式的高频开关电路图。图2是根据本专利技术第一实施方式的高频开关所使用的SOIFET剖面图。图3是根据本专利技术第一实施方式的变形例中的高频开关的简要框图。具体实施方式下面，参照附图对本专利技术的高频开关的第一实施方式进行说明。本专利技术的高频开关广泛应用于 UMTS (Universal Mobile Telecommunications System,通用移动通信系统)、GSM(Global System for Mobile Communications,全球移动通信系统)等无线通信系统的高频开关。(一实施方式)图1是根据本专利技术第一实施方式的高频开关电路图。在本实施方式的高频开关电路中，在施加的高频信号的功率较大的部分配置针对大功率具有良好的高频特性的FET，且在施加的高频信号的功率较低的部分配置电路规模小且插入损耗低的FET。如图1所示，本实施方式的高频开关100包括发送端口 10、接收端口 20、共用端口30、发送侧串联开关40、发送侧分路开关50、接收侧串联开关60以及接收侧分路开关70。发送端口 10是用于输入发送信号的端口。发送端口 10连接于发送侧串联开关40的信号输入端子和发送侧分路开关50的信号输入端子。来自发送电路(未图示)的发送信号通过发送端口 10传输到发送侧串联开关40和发送侧分路开关50。接收端口 20是用于输出接收信号的端口。接收端口 20连接于接收侧串联开关60的信号输出端子和接收侧分路开关70的信号输入端子。来自接收侧串联开关60的接收信号通过接收端口 20传输到接收电路(未图示)。共用端口 30是用于发送发送信号或接收接收信号的端口。共用端口 30连接于发送侧串联开关40的信号输出端子以及接收侧串联开关60的信号输入端子。并且，在本实施方式中，共用端口 30直接连接于天线。但是，共用端口 30也可以通过其他结构连接于天线。发送侧串联开关40用于在发送端口 10与共用端口 30之间确保或断开高频信号的传输路径。发送侧串联开关40具有至少一个接触型(Body Contact) FET,连接于发送端口 10与共用端口 30之间。本实施方式的接触型FET是由SOI技术形成的N-MOSFET。后面详细说明接触型FET的结构以 及特性。并且，在本实施方式中，发送侧串联开关40具有多个接触型FET，其源极/漏极串联连接。因此，如图1所示，如果发送侧串联开关40变为导通(0N)，则从发送端口 10输入的发送信号沿箭头所示路径通过发送侧串联开关40的串联连接的多个接触型FET传输到天线。并且，上述多个接触型FET的栅极分别通过栅极电阻连接于对发送侧串联开关40的0N/0FF进行控制的控制端子GATE_TX1_SE。控制端子GATE_TX1_SE上可施加土数伏左右的电压。并且，可以根据接触型FET的电气内压特性决定发送侧串联开关40所包括的接触型FET的数量。发送侧分路开关50在发送端口 10与接地端之间确保或断开高频信号的传输路径。发送侧分路开关50具有至少一个接触型FET，且连接于发送端口 10与接地端之间。并且，在本实施方式中，发送侧分路开关50具有多个接触型FET，其源极/漏极串联连接。因此，如果发送侧分路开关50变为0N，则从发送端口 10输入的发送信号通过发送侧分路开关50的串联连接的多个接触型FET传输到接地端。其结果，由接地端吸收没有必要的泄漏功率，提高了发送侧的隔离特性。并且，上述多个接触型FET的栅极分别通过栅极电阻连接于对发送侧分路开关50的0N/0FF进行控制的控制端子GATE_TX1_SH。控制端子GATE_TX1_SH上可以施加土数伏左右的电压。并且，可以根据接触型FET的电气内压特性决定发送侧分路开关50所具有的接触型FET的数量。接收侧串联开关60用于在接收端口 20与共用端口 30之间确保或断开高频信号的传输路径。接收侧串联开关60具有至少一个接触型FET，且连接于接收端口 20与共用端口 30之间。并且，在本实施方式中，接收侧串联开关30具有多个接触型FET，其源极/漏极串联连接。因此，如果接收侧串联开关60变为0N，则从天线输入的接收信号通过接收侧串联开关60的串联连接的多个接触型FET，传输到接收端口 20。并且，上述多个接触型FET的栅极分别通过栅极电阻连接于对接收侧串联开关60的0N/0FF进行控制的控制端子GATE_RX1_SE。控制端子GATE_RX1_SE上可施加土数伏电压。并且，可以根据接触型FET的电气内压特性决定接收侧串联开关60所具有的接触型FET的数量。接收侧分路开关70用于在接收端口 20与接地端之间确保或断开高频信号的传输路径。接收侧分路开关70具有至少一个浮体(Floating Body)型FET且连接于接收端口20与接地端之间。本实施方式的浮体型FET是由SOI技术形成的N-MOSFET。如图1所示，浮体型FET的电阻以及布线较少，因此与接触型FET相比，浮体型FET的FET元件规模较小。尤其是，用于接触型FET的电阻具有较大电阻值，布局时占有较大面积。因此在接收侧分路开关70以浮体型FET代替接触型FET，缩小电路尺寸。在后面说明浮体型FET的结构以及特性。在本实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频开关，其特征在于，包括：至少一个发送端口，所述发送端口用于输入发送信号；至少一个接收端口，所述接收端口用于输出接收信号；共用端口，所述共用端口用于发送所述发送信号或接收所述接收信号；发送侧串联开关，具有接触型场效应晶体管，所述发送侧串联开关连接于所述发送端口与所述共用端口之间；发送侧分路开关，具有接触型场效应晶体管，所述发送侧分路开关连接于所述发送端口与地面之间；接收侧串联开关，具有接触型场效应晶体管，所述接收侧串联开关连接于所述接收端口与所述共用端口之间；以及接收侧分路开关，具有至少一个浮体型场效应晶体管，所述接收侧分路开关连接于所述接收端口与地面之间。

【技术特征摘要】
1.一种高频开关，其特征在于，包括: 至少一个发送端口，所述发送端口用于输入发送信号； 至少一个接收端口，所述接收端口用于输出接收信号； 共用端口，所述共用端口用于发送所述发送信号或接收所述接收信号； 发送侧串联开关，具有接触型场效应晶体管，所述发送侧串联开关连接于所述发送端口与所述共用端口之间； 发送侧分路开关，具有接触型场效应晶体管，所述发送侧分路开关连接于所述发送端口与地面之间； 接收侧串联开关，具有接触型场效应晶体管，所述接收侧串联开关连接于所述接收端口与所述共用端口之间；以及 接收侧分路开关，具有至少一个浮体型场效应晶体管，所述接收侧分路开关连接于所述接收端口与地面之间。2.根据权利要求1所述的高频开关，其特征在于， 所述接收侧分路开关具有多个浮体型场效应晶体管，所述多个浮体型场效应晶体管的源极/漏极串联连接，从而确保高频信号从所述接收端口传输到接地端的传输路径。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹治康纪，杉浦毅，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：