薄膜晶体管基板、包括其的显示器及其制造方法技术

本公开涉及薄膜晶体管基板、包括其的显示器及其制造方法，该薄膜晶体管基板用于在同一基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的有机发光二极管显示器。本公开提出了一种有机发光二极管显示器，包括：像素区域，其被设置在基板上；第一薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管，其包括第二栅极、位于第二栅极上的多晶半导体层、第二源极和第二漏极；第一栅绝缘层，其被设置在第一栅极和第二栅极下方并且覆盖氧化物半导体层；第二栅绝缘层，其被设置在多晶半导体层下方并且覆盖第一栅极和第二栅极；以及中间绝缘层，其被设置在第一栅极和多晶半导体层上并且具有氮化物层。

Thin film transistor substrate, display including the same, and method of manufacturing the same

The present invention relates to a thin film transistor substrate, including the display and a method of manufacturing the thin film transistor substrate for organic light emitting diode display with two different types of thin film transistor on the same substrate. This disclosure presents an organic light emitting diode display includes a pixel region, which is arranged on the substrate; a first thin film transistor, which comprises an oxide semiconductor layer, a first gate oxide semiconductor layer, located on the first source and drain first; the second thin film transistor includes a second gate, located in polycrystalline semiconductor layer second, second sources on the gate electrode and a second drain electrode; a first gate insulating layer, which is arranged below the first gate and the second gate oxide semiconductor layer and insulating layer covering the gate; second, which is arranged below the polycrystalline semiconductor layer and covering the first gate and the second gate; and an intermediate insulating layer, which is arranged in the first gate and the polycrystalline semiconductor layer and the nitride layer.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板、包括其的显示器及其制造方法
本公开涉及一种在同一基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的用于有机发光二极管显示器的薄膜晶体管基板及使用该薄膜晶体管基板的显示器。
技术介绍
如今，随着信息社会的发展，对用于表现信息的显示器的需求正日益增长。于是，开发了各种平板显示器(或“FPD”)以用于克服沉重且体积大的阴极射线管(或“CRT”)的许多缺陷。平板显示装置包括液晶显示装置(或“LCD”)、等离子体显示面板(或“PDP”)、有机发光显示装置(或“OLED”)以及电泳显示装置(或“ED”)。平板显示器的显示面板可以包括具有被分配在按照矩阵方式排列的各个像素区域中的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。例如，液晶显示装置(或“LCD”)通过使用电场控制液晶层的透光率来显示图像。OLED通过在按照矩阵方式进行设置的各个像素处形成有机发光二极管来显示图像。作为自发光显示装置，有机发光二极管显示装置(OLED)具有响应速度非常快、亮度非常高以及视角大的优点。使用具有良好的能量效率的有机发光二极管的OLED可以被分类成无源矩阵型有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：像素区域，所述像素区域被设置在基板上；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括氧化物半导体层、位于所述氧化物半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、位于所述第二栅极上的多晶半导体层、第二源极和第二漏极；第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层被设置在所述第一栅极和所述第二栅极下方，并且覆盖所述氧化物半导体层；第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层被设置在所述多晶半导体层下方，并且覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；以及中间绝缘层，所述中间绝缘层被设置在所述第一栅极和所述多晶半导体层上，并且具有氮化物层。

【技术特征摘要】
2015.11.26 KR 10-2015-01664591.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：像素区域，所述像素区域被设置在基板上；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括氧化物半导体层、位于所述氧化物半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、位于所述第二栅极上的多晶半导体层、第二源极和第二漏极；第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层被设置在所述第一栅极和所述第二栅极下方，并且覆盖所述氧化物半导体层；第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层被设置在所述多晶半导体层下方，并且覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；以及中间绝缘层，所述中间绝缘层被设置在所述第一栅极和所述多晶半导体层上，并且具有氮化物层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述中间绝缘层还包括：氧化物层，所述氧化物层位于所述氮化物层下方。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二栅极与所述氧化物半导体层的漏区的一些部分交叠，且所述第二栅极与所述氧化物半导体层之间具有所述第一栅绝缘层，其中，所述第一源极被设置在所述中间绝缘层上，并且经由贯穿所述中间绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层的第一源接触孔来接触所述氧化物半导体层的一侧，并且其中，所述第一漏极被设置在所述中间绝缘层上，并且经由贯穿所述中间绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层的第一漏接触孔来接触所述氧化物半导体层的另一侧。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二源极被设置在所述中间绝缘层上，并且经由贯穿所述中间绝缘层的第二源接触孔来接触所述多晶半导体层的一侧，并且其中，所述第二漏极被设置在所述中间绝缘层上，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴锦美，严惠先，杨仙英，李正仁，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR