阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
本专利技术涉及阵列基板
，更具体地，涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
如今随着高像素密度(PixelsPerInch，PPI)和高亮度显示装置的市场需求，迫切需要提升显示面板的光线穿透率。而常规的压缩遮光层和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)层尺寸的方式由于受到TFT器件性能需求的限制，对光线穿透率的提升有限，因此简化膜层结构逐渐显现其优势。在常规显示面板中，阵列基板由多膜层结构组成，光线穿透阵列基板需要经过多个膜层界面，而光线在膜层界面处会产生光线损耗，影响显示面板的显示效果。为了减少光线穿透阵列基板的膜层界面数量，减少膜层界面处的光线损耗，提升光线穿透率，现有工艺制程中，在像素显示区域做挖槽设计，也即在像素显示区域将阵列基板中的部分膜层刻蚀，在制作槽结构上方膜层时，此上方膜层的材料沉积在槽内，从而达到减少光线穿透阵列基板的膜层界面数量的目的。但该刻蚀工艺制程会过刻部分位于槽底的膜层，该位于槽底的膜层被部分刻蚀后，其残膜膜厚均一性恶化，必然导致显示面板片内亮度的波...
【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括基板和位于所述基板上的第一绝缘层和第二绝缘层，所述方法包括：在制作所述第一绝缘层之前，制作保护层，其中，所述保护层至少位于所述阵列基板的像素显示区域；在所述像素显示区域，对所述第一绝缘层挖槽，其中，所述槽的槽底位于所述保护层；去除位于所述槽底的保护层；在去除位于所述槽底的保护层之后，制作所述第二绝缘层。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括基板和位于所述基板上的第一绝缘层和第二绝缘层，所述方法包括：在制作所述第一绝缘层之前，制作保护层，其中，所述保护层至少位于所述阵列基板的像素显示区域；在所述像素显示区域，对所述第一绝缘层挖槽，其中，所述槽的槽底位于所述保护层；去除位于所述槽底的保护层；在去除位于所述槽底的保护层之后，制作所述第二绝缘层。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述基板上的薄膜晶体管；所述第一绝缘层为位于所述薄膜晶体管的有源层与所述基板之间的缓冲层、位于所述有源层与所述薄膜晶体管的栅极之间的栅极绝缘层和/或位于所述薄膜晶体管的源漏极与所述栅极绝缘层之间的层间绝缘层。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层；制作所述保护层的步骤具体为：在制作所述缓冲层之前，在所述基板的板面整体覆盖所述保护层；在所述基板上覆盖所述保护层的步骤之后，制作所述阵列基板的缓冲层的步骤之前，所述方法还包括：在所述保护层整体覆盖所述遮光层；对整体覆盖的所述遮光层进行刻蚀形成所述遮光层的图案。4.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层；在制作所述保护层的步骤之前，所述方法还包括：在所述基板的板面整体覆盖所述遮光层；对整体覆盖的所述遮光层进行刻蚀形成所述遮光层的图案；制作所述保护层的步骤具体为：在形成所述遮光层的图案的步骤之后，通过模具在所述像素显示区域的位置制作所述保护层。5.根据权利要求3或4中任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在制作所述遮光层和所述保护层的步骤之后，对所述第一绝缘层挖槽的步骤之前，所述方法还包括：依次制作所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层；对所述第一绝缘层挖槽的步骤具体为：在制作完成所述层间绝缘层后，在所述像素显示区域，对所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层和所述缓冲层进行挖槽；制作所述第二绝缘层的步骤具体为：制作所述阵列基板的平坦化层，其中，所述平坦化层填充所述槽。6.根据权利要求3或4中任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在制作所述遮光层和所述保护层的步骤之后，对所述第一绝缘层挖槽的步骤之前，所述方法还包括：依次制作所述缓冲层和所述栅极绝缘层；对所述第一绝缘层挖槽的步骤具体为：在制作完成所述栅极绝缘层后，在所述像素显示区域，对所述栅极绝缘层和所述缓冲层进行挖槽；在对所述第一绝缘层挖槽的步骤之后，去除位于所述槽底的保护层之前，所述方法还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：李元行，郑丽华，陈国照，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。