薄膜晶体管阵列基板制造技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板，其第二导电层为多层结构，所述多层结构的第二导电层还形成为间隔设置的源极和漏极，第二导电层至少包含：第一子层，其位于通道层上且与所述通道层电连接；第二子层，其位于所述第一子层上；第三子层，其位于所述第二子层上；所述第一子层、第三子层包含含有铟和锌的金属氧化物材料；所述第一子层中的铟锌原子比大于所述第三子层中的铟锌原子比；所述第二导电层中形成有一凹槽位于所述源极和所述漏极之间，所述第一子层和所述第三子层铟锌原子比的差异影响蚀刻过程中凹槽的轮廓的形成，导致该凹槽在所述第三子层的宽度大于该凹槽在所述第一子层的宽度。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板
本专利技术涉及一种半导体技术，特别涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
技术介绍
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机电致发光器件(OrganicElectroluminescenceDevice，OELD)，也称为有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)。平板显示装置中，薄膜晶体管(TFT)常用作像素电极的开关元件。一般而言，TFT的源极与漏极通过蚀刻形成，蚀刻过程中，容易形成一些不良的结构，影响装置性能。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供一种可以改善性能的薄膜晶体管阵列基板。该薄膜晶体管阵列基板包括多个薄膜晶体管、第一导电层及第二导电层，该薄膜晶体管包括栅极、通道层、源极和漏极；第一导电层包含栅极；通道层，其与所述栅极绝缘设置；第二导电层，其位于所述通道层一侧，所述第二导电层为多层结构，所述多层结构的第二导电层还形成为间隔设置的源极和漏极，其中，多层结构的第二导电层至少包含：第一子层，其位于通道层上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板包括多个薄膜晶体管、第一导电层及第二导电层，该薄膜晶体管包括栅极、通道层、源极和漏极；第一导电层包含栅极；通道层，其与所述栅极绝缘设置；第二导电层，其位于所述通道层一侧，所述第二导电层为多层结构，所述多层结构的第二导电层还形成为间隔设置的源极和漏极，其中，多层结构的第二导电层至少包含：第一子层，其位于通道层上且与所述通道层电连接；第二子层，其位于所述第一子层上；第三子层，其位于所述第二子层上；所述第一子层、第三子层包含含有铟和锌的金属氧化物材料；所述第一子层中的铟原子个数占铟锌原子个数总量的比重与锌原子个数占铟锌原子个数总量的比重之比大于...

【技术特征摘要】
2016.01.14 US 62/278469;2016.01.14 US 62/278448;201.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板包括多个薄膜晶体管、第一导电层及第二导电层，该薄膜晶体管包括栅极、通道层、源极和漏极；第一导电层包含栅极；通道层，其与所述栅极绝缘设置；第二导电层，其位于所述通道层一侧，所述第二导电层为多层结构，所述多层结构的第二导电层还形成为间隔设置的源极和漏极，其中，多层结构的第二导电层至少包含：第一子层，其位于通道层上且与所述通道层电连接；第二子层，其位于所述第一子层上；第三子层，其位于所述第二子层上；所述第一子层、第三子层包含含有铟和锌的金属氧化物材料；所述第一子层中的铟原子个数占铟锌原子个数总量的比重与锌原子个数占铟锌原子个数总量的比重之比大于所述第三子层中的铟原子个数占铟锌原子个数总量的比重与锌原子个数占铟锌原子个数总量的比重之比；所述第二导电层中形成有一凹槽位于所述源极和所述漏极之间，该凹槽在所述第三子层的宽度大于该凹槽在所述第一子层的宽度。2.如权利要求1中所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第一子层与所述第二子层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高逸群，林欣桦，施博理，张炜炽，陆一民，吴逸蔚，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44