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本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，其第二导电层为多层结构，所述多层结构的第二导电层还形成为间隔设置的源极和漏极，第二导电层至少包含：第一子层，其位于通道层上且与所述通道层电连接；第二子层，其位于所述第一子层上；第三子层，其位于所述第二子层上...该专利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司授权不得商用。