一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，涉及显示技术领域，用于在减小薄膜晶体管尺寸的前提下，提高薄膜晶体管的良品率。所述薄膜晶体管形成在衬底基板，所述薄膜晶体管包括栅极和有源层；所述有源层面向所述衬底基板的表面设置第一信号金属层，所述有源层背离所述第一信号金属层的表面设置第二信号金属层；所述有源层包括导电沟道形成区，所述第二信号金属层不覆盖所述有源层的导电沟道形成区。本发明专利技术提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板用于薄膜晶体管的小型化。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板。
技术介绍
近年来，随着大尺寸液晶显示器和有源有机发光二极管的发展，传统的非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管已经很难满足用户需求，而以铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide，简称为IGZO)为代表的透明非晶氧化物半导体因具有迁移率高、均一性好、透明等优点，被广泛用于氧化物薄膜晶体管的有源层，以使得该氧化物薄膜晶体管能够满足新一代显示的用户需求。目前，常见的氧化物薄膜晶体管主要有以下两种类型，一种为刻蚀阻挡型(Etchingstoplayer，以下简称ESL)薄膜晶体管，另一种为背沟道刻蚀型(BackChannelEtched，以下简称BCE)薄膜晶体管。其中，ESL薄膜晶体管的结构如图1所示，其制作通常需要在有源层4上形成刻蚀阻挡层5，并在刻蚀阻挡层5上利用光罩工艺形成用于与源极6和漏极7分别对应的两个过孔，然后在刻蚀阻挡层5上形成源极6和漏极7，使得源极6和漏极7通过刻蚀阻挡层5上对应的过孔分别与有源层4连接。而在刻蚀阻挡层5上形成两个过孔的时候，应尽量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在衬底基板，所述薄膜晶体管包括有源层和栅极；其特征在于，所述有源层面向所述衬底基板的表面设置第一信号金属层，所述有源层背离所述第一信号金属层的表面设置第二信号金属层；所述有源层包括导电沟道形成区，所述第二信号金属层不覆盖所述有源层的导电沟道形成区。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在衬底基板，所述薄膜晶体管包括有源层和栅极；其特征在于，所述有源层面向所述衬底基板的表面设置第一信号金属层，所述有源层背离所述第一信号金属层的表面设置第二信号金属层；所述有源层包括导电沟道形成区，所述第二信号金属层不覆盖所述有源层的导电沟道形成区。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一信号金属层在所述衬底基板的正投影与所述第二信号金属层在所述衬底基板的正投影错开或部分重合。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层与所述衬底基板之间设有第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述第一信号金属层同层设置。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层与所述栅极之间，所述第一信号金属层与所述栅极之间，以及所述第二信号金属层与所述栅极之间，均设置第二绝缘层。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层对应所述第二信号金属层的区域设有过孔，且所述第二绝缘层上还设有像素电极；所述像素电极与所述栅极同层设置，且所述像素电极通过所述过孔与所述第二信号金属层连接。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极位于所述第二绝缘层背离所述有源层的一侧，且所述栅极在所述衬底基板的正投影，覆盖所述有源层的导电沟道形成区在所述衬底基板的正投影。7.根据权利要求1～6任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一信号金属层为源极，所述第二信号金属层为漏极；或，所述第一信号金属层为漏极，所述第二信号金属层为源极。8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成第一信号金属层；在所述第一信号金属层上形成有源层；在所述有源层背离所述第一信号金属层的表面形成第二信号金属层，使得所述第二信号金属层不覆盖所述有源层的导电沟道形成区。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述有源层背离所述第一信号金属层的表面形成第二信号金属层时，还使得所述第二信号金属层在所述衬底基板的正投影与所述第一信号金属层在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓伟，刘勃，黄中浩，樊超，王洋，安亚斌，刘正，
申请(专利权)人：福州京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35