铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法技术

本发明专利技术涉及一种铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法，所述方法包括以下步骤：1、将固体单晶铟和镓按照一定配比放在石墨坩埚内进行加温熔制；2、熔制过程中使用石英棒适当搅拌直至形成铟和镓的合金；3、停止加热，待铟镓合金物冷却至室温后，将其装入密闭不透光容器内保存；4、选择N型掺杂衬底，晶向＜100＞的硅材料片，在Si表面生长一层SiO2层；5、将生长有SiO2层的一面向上放置在金属台盘上，硅衬底一面与金属台盘接触，开启真空吸附；6、使用毛细吸管从密闭容器中获取铟镓合金，并在SiO2层表面制作一个金属电极；7、旋下金属探针杆，使探针与铟镓合金良好接触；8、在预定的偏置电压下进行扫描，得到C‑V测试结果。

Method for determination of fixed charge in oxide layer using indium gallium alloy as substitute for mercury

The invention relates to a method for indium gallium alloy as mercury in fixed oxide charge in the test, the method comprises the following steps: 1, solid crystal indium and gallium in certain proportion in graphite crucible for heating and melting; 2, melting process using appropriate stirring until the formation of quartz rod alloy indium and gallium; 3, to stop heating, indium gallium alloy material after cooling to room temperature in the airtight opaque container preservation; 4, select the N type doped crystal substrate, to < 100 > silicon films, grown on the surface of Si layer SiO2 layer; 5, growth of SiO2 the side is placed on a metal plate on a silicon substrate in contact with the metal panel, open the vacuum adsorption; 6, the use of capillary Straw obtain indium gallium alloy from the closed container, and in the production of a metal electrode layer on the surface of SiO2; 7, unscrew the metal probe rod The probe, and indium gallium alloy good contact; 8, scanning at predetermined bias voltage, C V test results.

【技术实现步骤摘要】
铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法
本专利技术涉及一种铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法，属于集成电路、分立器件等制造

技术介绍
随着制造业给人们带来舒适、便捷的同时，环境保护一直是人们倡导绿色生活的前提。在半导体制程中，汞作为电极被应用于测试SiO2-Si界面附近的固定电荷环节上面。汞对水质、土壤极易造成污染，同时在常温下即可蒸发形成汞蒸气，积累在皮肤、呼吸道当中，对人的身体健康造成伤害。为此，我们寻求一种可以替代汞作为金属电极的物质，用来检测SiO2-Si界面附近的固定电荷。在本专利技术作出以前，如图1所示，常用的固定电荷检测装置如下：现行装置：压杆抬起，将表面生长有SiO2层的一侧朝向台盘放置，开启真空吸附；硅衬底一面将与压杆所带电极接触，面向下的SiO2层表面与汞电极接触。当压杆压下时，可以在预定的偏置电压下完成一次C-V扫描测试。不足之处在于：1、汞的使用会对环境造成污染。2、汞在使用过程中存在与人体接触的风险，会对操作者造成伤害。3、操作台盘上有时会有汞珠泄露，污染设备。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种铟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤一：将固体单晶铟和镓按照一定配比放在石墨坩埚内进行加温熔制；步骤二：熔制过程中使用石英棒适当搅拌直至形成铟和镓的合金；步骤三：停止加热，待铟镓合金物冷却至室温后，将其装入密闭不透光容器内保存；步骤四：选择N型掺杂衬底，晶向＜100＞的硅材料片，在Si表面生长一层SiO2层；步骤五：将生长有SiO2层的一面向上放置在金属台盘上，硅衬底一面与金属台盘接触，开启真空吸附；步骤六：使用毛细吸管从密闭容器中获取铟镓合金，并在SiO2层表面制作一个金属电极；步骤七：旋下金属探针杆，使探针与铟镓合金良好接触；步骤八：在...

【技术特征摘要】
1.一种铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤一：将固体单晶铟和镓按照一定配比放在石墨坩埚内进行加温熔制；步骤二：熔制过程中使用石英棒适当搅拌直至形成铟和镓的合金；步骤三：停止加热，待铟镓合金物冷却至室温后，将其装入密闭不透光容器内保存；步骤四：选择N型掺杂衬底，晶向＜100＞的硅材料片，在Si表面生长一层SiO2层；步骤五：将生长有SiO2层的一面向上放置在金属台盘上，硅衬底一面与金属台盘接触，开启真空吸附；步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：石坚，龚宇科，孙斌，李建立，潘伟，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32