一种含吲哚并咔唑有机半导体材料及其有机发光器件应用制造技术

一种有机半导体材料，其特征是由吲哚并咔唑芳杂环构造成高耐热性、高电荷传输性以及良好加工性。应用于有机发光二极管具有高效、低电压和长工作寿命的特点。

Organic semiconductor material containing indole carbazole and its organic light emitting device application

An organic semiconducting material characterized by high thermal resistance, high charge transport, and good processability by an aromatic heterocyclic ring of indole carbazole. Applied to organic light emitting diode (OLED), it has the characteristics of high efficiency, low voltage and long service life.

【技术实现步骤摘要】
一种含吲哚并咔唑有机半导体材料及其有机发光器件应用
：本专利技术涉及一种有机半导体化合物及其制备的有机电致发光器件应用。采用一种吲哚并咔唑为构造元与发达的有机供电性或受电性单元获得一系列非对称结构有机半导体化合物及带有交联基团的有机半导体化合物，可应用于有机发光OLED器件，改善发光材料的电荷注入和溶解性、加工性，有利于OLED显示器件的规模化生产。
技术介绍
：有机半导体材料属新型光电材料，其大规模研究起源于1977年由白川英树，A.Heeger及A.McDiamid共同发现了导电率可达铜水平的掺杂聚乙炔。随后，1987年Kodak公司的C.Tang等专利技术有机小分子发光二极管(OLED)，和1990年剑桥大学R.Friend及A.Holmes专利技术了聚合物发光二极管P-OLED，以及1998年S.Forrest与M.Thomson专利技术效率更高的有机磷光发光二极管PHOLED。由于有机半导体材料具有结构易调可获得品种多样，能带可调，甚至如塑料薄膜加工一样的低成本好处，加上有机半导体在导电薄膜，静电复印，光伏太阳能电池应用，有机薄膜晶体管逻辑电路，和有机发光OLED平板显示与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机半导体化合物，其特征是所述的化合物具有如下结构：

【技术特征摘要】
1.一种有机半导体化合物，其特征是所述的化合物具有如下结构：或含有具有如下结构通式有机半导体化合物：其中L1－L3独立地为：一化学键，一C5－C60芳基，一C5－C60芳杂环；其中Ar1-3为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，蒽基，取代蒽基，吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，苯并噻吩基，取代苯并噻吩基，苯并呋喃基，取代苯并呋喃基，咔唑基，取代咔唑基，呋喃并咔唑基，取代呋喃并咔唑基，噻吩并咔唑基，取代噻吩并咔唑基，吲哚并咔唑基，取代吲哚并咔唑基，芳胺基－N(Ar1Ar2)；其特征是Ar1-3上独立地连有至少2个交联基团形成交联大分子。2.根据权利要求1所述的有机半导体化合物，其特征是所述的有机半导体化合物包含但不限于如下可交联结构通式：其中L1－L2独立地为：一化学键，一C5－C60芳基，一C5－C60芳杂环；其中Ar1-2为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，蒽基，取代蒽基，吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，苯并噻吩基，取代苯并噻吩基，苯并呋喃基，取代苯并呋喃基，咔唑基，取代咔唑基，呋喃并咔唑基，取代呋喃并咔唑基，噻吩并咔唑基，取代噻吩并咔唑基，吲哚并咔唑基，取代吲哚并咔唑基,芳胺基－N(Ar1Ar2)。3.根据权利要求2所述的有机半导体化合物，其特征是所述的有机半导体化合物包含但不限于如下可交联结构化合物：4.一种有机发光二极管，其特征是所述的有机发光二极管由...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓常，郝望龙，殷正凯，
申请(专利权)人：江西冠能光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36