用以改善线圈和电感器的噪声隔离的旁路环制造技术

公开了用以改善线圈和电感器的噪声隔离的旁路环。集成电路(IC)包括多个金属层；密封环，其被安排在IC边界周围并且被包括在多个金属层的至少一部分中；IC中所包括的第一线圈；以及旁路导线，其被包括在多个金属层的至少一个金属层中并且具有电耦合至密封环的至少第一终端和第二终端以在第一线圈周围形成旁路环。

【技术实现步骤摘要】
用以改善线圈和电感器的噪声隔离的旁路环
实施例是关于设计集成电路。一些实施例是关于减小集成电路晶元中的噪声。
技术介绍
电子设备通常包括一个或多个集成电路(IC)晶元。针对增加小型消费品(例如，智能手机和平板电脑驱动器)中功能的需求使得制造商努力减小IC的特征尺寸并且增加电路的复杂度和密度。设计高密度集成电路的一个挑战是电路之间的串扰问题。由于电路在IC晶元上被越来越紧密地布局，因此增加了来自串扰的噪声的可能性。实现载波聚合的挑战是在信道同时操作期间频道之间的串扰问题。因此，一般需要提供IC电路的所期望的功能并且将电路串扰最小化的设备、系统和方法。
技术实现思路
本专利技术提供了一种集成电路(IC)，包括：多个金属层；密封环，所述密封环被安排在所述IC边界周围并且被布置在所述多个金属层的至少一部分中；所述IC中所包括的第一线圈；以及旁路线圈，所述旁路线圈被布置于所述多个金属层的至少一个金属层中，并且具有被电耦合至所述密封环的至少第一终端和第二终端以在所述第一线圈周围形成旁路环。附图说明图1是根据一些实施例的射频收发机的部分的框图；图2根据一些实施例示出了包括射频收发机电路的集成电路的示例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路(IC)，包括：多个金属层；密封环，所述密封环被安排在所述IC边界周围并且被布置在所述多个金属层的至少一部分中；所述IC中所包括的第一线圈；以及旁路线圈，所述旁路线圈被布置于所述多个金属层的至少一个金属层中，并且具有被电耦合至所述密封环的至少第一终端和第二终端以在所述第一线圈周围形成旁路环。

【技术特征摘要】
2015.12.03 US 14/958,3651.一种集成电路(IC)，包括：多个金属层；密封环，所述密封环被安排在所述IC边界周围并且被布置在所述多个金属层的至少一部分中；所述IC中所包括的第一线圈；以及旁路线圈，所述旁路线圈被布置于所述多个金属层的至少一个金属层中，并且具有被电耦合至所述密封环的至少第一终端和第二终端以在所述第一线圈周围形成旁路环。2.如权利要求1所述的IC，包括以下各项中的至少一项：第二线圈、平衡-不平衡变换器、以及布置于所述旁路环外部的变压器和位于所述旁路环内部的所述第一线圈。3.如权利要求1所述的IC，包括被配置为传导时钟信号的导电线路，其中，所述导电线路被布置于所述旁路环外部，并且所述第一线圈被布置于所述旁路环内部。4.如权利要求1-3中的任意一项中所述的IC，其中，所述第一线圈是布置于所述旁路环内部的第一电感器线圈，并且被布置于射频接收机的本地振荡器电路中，并且其中，所述IC包括布置于所述旁路环外部和所述密封环内部的第二电感器线圈。5.如权利要求3所述的IC，其中，所述IC被包括在IC晶元中，并且其中，所述密封环被布置于所述IC的所述多个金属层的所有金属层中，并且绕着所述IC晶元的外缘。6.如权利要求3所述的IC，其中，所述密封环包括至电接地的多个电连接。7.如权利要求3所述的IC，其中，所述旁路导线被包括在与包括所述密封环的金属层不同的金属层中。8.如权利要求3所述的IC，其中，所述旁路导线的阻抗基本上等于被电耦合至所述旁路导线的第一终端和第二终端的所述密封环的一部分的阻抗。9.如权利要求3所述的IC，其中，所述旁路环基本上为矩形，并且所述旁路导线包括所述旁路环的两边，以及所述密封环包括所述旁路环的两边。10.如权利要求3所述的IC，其中，所述旁路环基本上为矩形，并且所述旁路导线包括所述旁路环的三边，以及所述密封环包括所述旁路环的一边。11.一种射频(RF)通信设备的装置，所述装置包括：包括集成电路(IC)的RF收发机，其中，所述IC包括：多个金属层；密封环，所述密封环被安排在所述IC边界周围的所述多个金属层的至少一部分中；本地振荡器电路，所述本地振荡器电路包括所述密封环内形成的第一电感器线圈，其中，所述RF收发机被配置为使用所述本地振荡器电路的频率来下混合所接收的RF信号；以及旁路线圈，所述旁路线圈被布置于所述多个金属层的至少一个金属层中，并且具有被电耦合至所述密封环的至少第一终端和第二终端以在所述第一线圈周围形成旁路环。12.如权利要求11所述的装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：智涛·罗伯特·蔡，寇蒂斯·D·罗伯茨，莉莲·G·伦特，
申请(专利权)人：英特尔IP公司，
类型：发明
国别省市：美国,US