具有粘合剂管芯附接的扇出式层叠封装制造技术

扇出式层叠封装(PoP)组件，其中第二芯片粘附到第一芯片的非有源侧。第一芯片的嵌入在第一封装材料中的有源侧可以通过一个或多个再分布层电耦合，所述一个或多个再分布层扇出到PoP的第一侧上的封装互连。可以用第二封装材料将第二芯片粘附到第一芯片的非有源侧。第二芯片的有源侧可以通过延伸穿过第一封装材料的过孔结构电耦合到封装互连。第二芯片或其封装之间的第二互连可以接触过孔结构。将第二封装材料用作粘合剂可以改善第二芯片的位置稳定性，以促进晶圆级组装技术。

Fan out laminated package with adhesive core attachment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有粘合剂管芯附接的扇出式层叠封装相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月16日提交的题为“FANOUTPACKAGE-ON-PACKAGEWITHADHESIVEDIEATTACH”的美国专利申请No.15/981,830的优先权，其全部内容通过引用被并入。
技术介绍
在电子产品制作中，集成电路(IC)封装是半导体器件制造的阶段，在该阶段中，将已经在包括半导体材料的管芯或芯片上制造的IC包封在支撑盒或“封装”中，该支撑盒或“封装”可以保护IC免受物理损坏并支撑将器件连接到主电路板的电接触部。在IC工业中，制造封装的工艺常常称为封装或组装。层叠封装(PoP)技术是垂直地集成多个部件(例如，IC芯片)的3D封装架构，其中两个或更多封装安装(即堆叠)在彼此顶部上。可以在PoP架构内以各种方式组装IC芯片。例如，第一IC芯片可以具有球栅阵列(BGA)封装，而堆叠在第一IC芯片上的第二IC芯片可以通过附加的BGA连接部连接到第一IC芯片。作为另一个示例，第一IC芯片可以具有倒装芯片BGA封装(例如，FCBGA)，而堆叠在第一芯片的背面上的第二IC芯片通过引线键合部(例如，混合式堆叠FBGA)连接到第一IC芯片。PoP和倒装芯片引线键合封装的当前趋势在封装的大批量可制作性和物理尺寸方面带来了新的挑战。即使器件设计的复杂性增加，器件也要承受更大的压力以在形状因数上实现新的里程碑。在PoP封装架构中，z高度(厚度)是非常重要的特性。例如，在一些器件应用中，0.3-0.4mm或更小的封装z高度是非常需要的。对于大批量可制作性，其中在载体晶圆或面板上并行封装许多芯片的晶圆级封装(WLP)技术是有利的。例如，在扇出式封装中，在重构工艺期间将管芯嵌入到模制化合物中。然后，可以用管芯和焊料特征之间的导电布线来再分布管芯的I/O，该导电路径可以在由模制化合物支撑的情况下从管芯边缘延伸任意距离。然而，很多WLP技术扩展到PoP架构是具有挑战性的。例如，一项挑战是为顶部管芯附接工艺添加足够的稳定性。附图说明在附图中，以示例的方式而非限制的方式示出了本文所描述的主题。为了说明的简单和清楚起见，附图中所示的元件不必按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件的尺寸可能相对于其他元件被放大。此外，在认为适当的地方，在附图中重复了附图标记以指示对应或类似的元件。在附图中：图1A是示出了根据一些实施例的制造具有粘合剂管芯附接的扇出式PoP的方法的流程图；图1B是示出了根据一些实施例的制造具有粘合剂管芯附接的扇出式PoP的方法的流程图；图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、和图2G示出了根据一些实施例的随着制造扇出式PoP的方法中的选定操作的执行而发展的具有粘合剂管芯附接的扇出式PoP的截面图；图3A示出了根据一些实施例的具有粘合剂管芯附接的扇出式PoP的俯视平面图；图3B示出了根据一些实施例的具有粘合剂管芯附接的扇出式PoP的截面图；图3C示出了根据一些实施例的两个邻接的具有粘合剂管芯附接的扇出式PoP的截面图；图4示出了根据实施例的采用具有粘合剂管芯附接的扇出式PoP的移动计算平台和数据服务器机器；以及图5是根据一些实施例的电子计算设备的功能块图。具体实施方式参考附图描述了一个或多个实施例。尽管详细地描述和讨论了具体的构造和布置，但是应当理解，这样做仅出于说明性目的。相关领域中的技术人员将认识到，在不脱离本说明书的精神和范围的情况下，其他构造和布置也是可能的。对于相关领域中的技术人员将显而易见的是，除了本文详细描述的技术和/或布置之外，本文描述的技术和/或布置可以用于多种其他系统和应用。在下面的具体实施方式中参考了形成了其一部分并且示出了示例性实施例的附图。此外，应当理解，在不脱离所要求保护的主题的范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以做出结构和/或逻辑的改变。还应当注意，方向和参考(例如，上、下、顶部、底部等)可以仅用于促进附图中的特征的描述。因此，下面的具体实施方式不应当被视为限制性意义，并且所要求保护的主题的范围仅由所附权利要求及其等同物来限定。在下面的说明书中，阐述了许多细节。然而，对于本领域中的技术人员将显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践实施例。在一些实例中，以块图的形式而不是详细地示出了公知的方法和器件，以避免使实施例难以理解。贯穿本说明书，对“实施例”或“一个实施例”或“一些实施例”的引用是指结合该实施例描述的特定的特征、结构、功能、或特性包括在至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各处出现的短语“在实施例中”或“在一个实施例中”或“一些实施例”不一定是指相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中可以以任何适当的方式组合特定的特征、结构、功能、或特性。例如，在与两个实施例相关联的特定的特征、结构、功能、或特性不互相排斥的任何情况下，第一实施例可以与第二实施例组合。如说明书和所附权利要求中所使用的，除非上下文中另外明确地指出，否则单数形式“一”和“所述”也旨在包括复数形式。还应当理解，本文所使用的术语“和/或”是指并涵盖一个或多个相关联的所列出的项目的任何和所有可能的组合。本文可以使用术语“耦合”和“连接”以及它们的派生词来描述部件之间的功能或结构关系。应当理解，这些术语并不旨在作为彼此的同义词。相反，在特定的实施例中，“连接”可以用于指示两个或更多个元件彼此直接物理接触、光接触、或电接触。“耦合”可以用于指示两个或更多个元件彼此直接或间接(它们之间具有其他居间元件)物理接触或电接触，和/或两个或更多个元件彼此协作或相互作用(例如，因果关系)。本文使用的术语“之上”、“之下”、“之间”和“上”是指其中这种物理关系显著的一个部件或材料相对于其他部件或材料的相对位置。例如，在材料的上下文中，一种材料或设置在另一种材料之上或之下的材料可以直接接触或可以具有一种或多种中间材料。此外，材料或设置在两种材料之间的一种材料可以与这两层直接接触，或者可以具有一个或多个中间层。相反，在材料或第二材料“上”的材料或第一材料与第二材料/材料直接接触。在部件组件的上下文中做出了类似的区分。如贯穿本说明书以及在权利要求中所使用的，由术语“中的至少一个”或“中的一个或多个”连接的项目列表可以表示所列出术语的任何组合。例如，短语“A、B或C中的至少一个”可以表示A；B；C；A和B；A和C；B和C；或A、B和C。本文描述的是其中芯片粘附到另一芯片的示例性扇出式层叠封装(PoP)组件。在一些示例中，嵌入在第一封装材料中的第一芯片的有源侧可以通过一个或多个再分布层电耦合，该一个或多个再分布层扇出到PoP组件的第一侧上的封装互连。第二芯片可以例如利用第二封装材料粘附到第一芯片的非有源侧。第二封装材料可以是适合于保持第二芯片相对于第一芯片和/或相对于延伸穿过第一封装材料并且将第二芯片的有源侧电耦合到再分布层的过孔结构和/或在PoP组件的第一侧上的封装互连的位置的任何适当材料。因此，PoP组件的第一侧上的再分布层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微电子器件封装组件，包括：/n包括第一集成电路(IC)的第一芯片；/n与所述第一芯片相邻的过孔结构；/n第一封装材料，所述第一封装材料在所述第一芯片的侧壁和所述过孔结构的侧壁之间；/n一个或多个再分布层，所述一个或多个再分布层电耦合到所述第一芯片的第一侧并电耦合到所述过孔结构的第一侧；/n包括第二IC的第二芯片，其中，所述第二芯片在所述第一芯片的与所述第一侧相对的第二侧之上，并且其中，所述第二芯片电耦合到所述过孔结构的第二侧；以及/n第二封装材料，所述第二封装材料在所述第一芯片的至少一部分与所述第二芯片的至少一部分之间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180516 US 15/981,8301.一种微电子器件封装组件，包括：
包括第一集成电路(IC)的第一芯片；
与所述第一芯片相邻的过孔结构；
第一封装材料，所述第一封装材料在所述第一芯片的侧壁和所述过孔结构的侧壁之间；
一个或多个再分布层，所述一个或多个再分布层电耦合到所述第一芯片的第一侧并电耦合到所述过孔结构的第一侧；
包括第二IC的第二芯片，其中，所述第二芯片在所述第一芯片的与所述第一侧相对的第二侧之上，并且其中，所述第二芯片电耦合到所述过孔结构的第二侧；以及
第二封装材料，所述第二封装材料在所述第一芯片的至少一部分与所述第二芯片的至少一部分之间。


2.根据权利要求1所述的器件封装组件，其中，所述第一封装材料在所述第一芯片的所述第二侧与所述第二封装材料之间。


3.根据权利要求1-2中任一项所述的器件封装组件，其中：
所述第二封装材料在所述过孔结构的至少一部分与所述第二芯片的至少一部分之间；并且
所述第一封装材料在所述过孔结构的所述第二侧与所述第二封装材料之间。


4.根据权利要求1-2中任一项所述的器件封装组件，还包括将所述第二芯片电耦合到所述过孔结构的多个互连。


5.根据权利要求3所述的器件封装组件，其中，所述互连包括焊料特征，并且在所述焊料特征之间不存在所述第二封装材料。


6.根据权利要求5所述的器件封装组件，还包括在所述焊料特征之间的第三封装材料。


7.根据权利要求6所述的器件封装组件，其中，所述第三封装材料在所述第二芯片与所述第一封装材料之间，并且其中，所述第三封装材料的侧壁与所述第二封装材料的侧壁相邻。


8.根据权利要求4所述的器件封装组件，其中：
所述互连在与所述第二芯片的第一边缘相邻的行中对准；
所述第二芯片的覆盖区的被互连的所述行占据的第一部分悬垂超过所述第二封装材料的边缘；并且
所述第二芯片的所述覆盖区的未被互连的所述行占据的第二部分与所述第二封装材料接触。


9.根据权利要求8所述的器件封装组件，其中，所述第二封装材料至少延伸超过所述第二芯片的与所述第二芯片的所述第一边缘相对的第二边缘。


10.根据权利要求1-9中任一项所述的器件封装组件，其中：
所述第一封装材料包括第一环氧树脂；
所述第二封装材料包括第二环氧树脂；并且其中，
所述组件还包括所述第二芯片之上的第三环氧树脂。


11.一种封装的微电子器件，包括：
微处理器芯片，其中，所述微处理器芯片的第一侧电耦合到封装的一个或多个再分布层；
与所述微处理器芯片相邻的过孔结构，其中，所述过孔结构的第一侧电耦合到所述一个或多个再分布层；
第一封装材料，所述第一封装材料在所述微处理器芯片的侧壁与所述过孔结构的侧壁之间；
存储器芯片，所述存储器芯片在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·奥沙利文，B·魏达斯，T·休伯，
申请(专利权)人：英特尔IP公司，
类型：发明
国别省市：美国;US