一种低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈制造技术

技术编号:14980557 阅读:77 留言:0更新日期:2017-04-03 12:20
本实用新型专利技术公开了一种低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈,包括有导电圆环(1),导电圆环(1)的端面上设有两个或两个以上的半缺口(2),半缺口(2)的宽度为所述导电圆环(1)环壁厚度的1/3-2/3,所述半缺口(2)的下方连接有斜槽(3),斜槽(3)的厚度等于导电圆环(1)环壁的厚度,所述斜槽(3)沿导电圆环(1)的中部圆周旋转,其另一端与所述导电圆环(1)底部的底槽(4)连接。本实用新型专利技术具有结构强度小,回路电阻低,弹跳时间短的有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种真空灭弧室纵磁线圈,特别是一种低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈
技术介绍
纵磁线圈是一种应用在真空灭弧室中,用于灭弧的触头设备,现有的小型真空灭弧室中,其灭弧所用的杯状纵磁线圈的触头座线圈的构成包括一个导电圆环,圆环的环壁上开有沿圆环圆周旋转的斜槽,斜槽为非贯通结构,斜槽的顶端低于圆环的端面,这种结构的纵磁线圈结构强度较大,回路电阻较高,弹跳时间长(约为2-3.5ms)。
技术实现思路
本技术的目的在于,提供一种低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈。本技术具有结构强度小,回路电阻低,弹跳时间短的特点。本技术的技术方案:一种低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈,包括有导电圆环,导电圆环的端面上设有两个或两个以上的半缺口,半缺口的宽度为所述导电圆环环壁厚度的1/3-2/3,所述半缺口的下方连接有斜槽,斜槽的厚度等于导电圆环环壁的厚度,所述斜槽沿导电圆环的中部圆周旋转,其另一端与所述导电圆环底部的底槽连接。前述的低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈,所述半缺口为6个。前述的低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈,所述半缺口的宽度为所述导电圆环环壁厚度的1/2。本技术的有益效果:本技术通过将斜槽的顶端延伸至导电圆环的端面,并在端面上开设宽度小于导电圆环环壁厚度的半缺口,减少了斜槽两侧的导电圆环环壁之间连接部位的尺寸,降低了线圈的结构强度,同时降低了回路电阻,减少了弹跳时间。实验证明,本技术的弹跳时间小于或等于2ms。附图说明附图1为本技术的透视图;附图2为本技术的正视图;附图3为本技术的俯视图。附图标记说明:1-导电圆环,2-半缺口,3-斜槽,4-底槽。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的说明,但并不作为对本技术限制的依据。本技术的实施例:一种低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈,如附图1-3所示,包括有导电圆环1,导电圆环1的端面上开设有两个或两个以上的半缺口2,半缺口2位于导电圆环1端面的外侧,半缺口2的宽度为所述导电圆环1环壁厚度的1/3-2/3,沿所述半缺口2的下方切割出一个斜槽3,斜槽3的厚度等于导电圆环1环壁的厚度,所述斜槽3沿导电圆环1的中部圆周旋转,使斜槽3从导电圆环1的上端面延伸至下端面,并与所述导电圆环1底部的底槽4连通。较好的是,所述半缺口2为6个。较好的是,所述半缺口2的宽度为所述导电圆环1环壁厚度的1/2。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈,其特征在于:包括有导电圆环(1),导电圆环(1)的端面上设有两个或两个以上的半缺口(2),半缺口(2)的宽度为所述导电圆环(1)环壁厚度的1/3‑2/3,所述半缺口(2)的下方连接有斜槽(3),斜槽(3)的厚度等于导电圆环(1)环壁的厚度,所述斜槽(3)沿导电圆环(1)的中部圆周旋转,其另一端与所述导电圆环(1)底部的底槽(4)连接。

【技术特征摘要】
1.一种低弹跳结构的真空灭弧室纵磁线圈,其特征在于:包括有导电圆环(1),导电圆环(1)的端面上设有两个或两个以上的半缺口(2),半缺口(2)的宽度为所述导电圆环(1)环壁厚度的1/3-2/3,所述半缺口(2)的下方连接有斜槽(3),斜槽(3)的厚度等于导电圆环(1)环壁的厚度,所述斜槽(3)沿导电圆环(1)的...

【专利技术属性】
技术研发人员:张毅周吉冰陈志会欧阳广龙顾黎阳
申请(专利权)人:中国振华电子集团宇光电工有限公司国营第七七一厂
类型:新型
国别省市:贵州;52

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