流量传感器及其制造方法和流量传感器模块及其制造方法技术

本发明专利技术提供能够抑制每个流量传感器的性能偏差的技术。在本发明专利技术的流量传感器(FS1)中，形成为在使形成在半导体芯片(CHP1)上的流量检测部(FDU)露出的状态下利用树脂(MR)覆盖半导体芯片(CHP1)的一部分的结构。在与空气的流动方向平行的方向，树脂(MR)密封半导体芯片(CHP1)的上表面(SUR(CHP))的一部分，从而树脂(MR)的上表面(SUR(MR))的高度比半导体芯片(CHP1)的上表面(SUR(CHP))高，因此能够在流量检测部(FDU)使空气的流动稳定。而且，通过半导体芯片(CHP1)和树脂(MR)的接触面积增加，能够防止半导体芯片(CHP1)和树脂(MR)的界面剥离。

Flow sensor and manufacturing method thereof, flow sensor module and manufacturing method thereof

The present invention provides techniques capable of suppressing performance deviations of each flow sensor. In a flow sensor (FS1) of the present invention, a structure is formed that covers a portion of the semiconductor chip (CHP1) with resin (MR) in a state in which the flow detection section (FDU) that is formed on the semiconductor chip (CHP1) is exposed. In parallel to the flow direction and the air in the direction of the resin (MR) sealing the semiconductor chip (CHP1) on the surface (SUR (CHP)) and part of the resin (MR) on the surface (SUR (MR)) than height of the semiconductor chip (CHP1) on the surface (SUR (CHP)) so high, can the flow rate detector (FDU) to make the air flow stability. Moreover, by increasing the contact area of the semiconductor chip (CHP1) and the resin (MR), the interface between the semiconductor chip (CHP1) and the resin (MR) can be prevented from peeling off.

【技术实现步骤摘要】
流量传感器及其制造方法和流量传感器模块及其制造方法本申请为2012年2月28日进入国家阶段的、申请号为201180003582.3，专利技术名称为“流量传感器及其制造方法和流量传感器模块及其制造方法”的分案申请。
本专利技术涉及流量传感器及其制造技术和流量传感器模块及其制造技术，尤其涉及应用于流量传感器及流量传感器模块的封装结构的有效技术。
技术介绍
在特开2009-31067号公报(专利文献1)中记载了下述流量传感器结构，在支撑部件上搭载半导体芯片，利用金属丝连接该半导体芯片和配置在支撑部件的外侧的外部连接端子。公开了此时利用树脂来密封连接半导体芯片和外部连接端子的金属丝的结构。在特开2008-175780号公报(专利文献2)中记载了在支撑部件上搭载形成有流量传感器的流量检测部的第一半导体芯片、和形成有控制流量检测部的控制电路部的第二半导体芯片的结构。并且，利用金属丝连接第一半导体芯片和第二半导体芯片，第二半导体芯片及金属丝由树脂覆盖。另一方面，形成有流量检测部的第一半导体芯片其表面露出，并且以覆盖第一半导体芯片的侧面的方式形成有树脂。此时，以覆盖第一半导体芯片的侧面的方式形成的树本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种流量传感器，具备：(a)搭载形成有多个焊垫的半导体芯片的芯片搭载部；(b)配置在上述芯片搭载部的外侧的多个引线；(c)配置在上述芯片搭载部上的上述半导体芯片；以及(d)连接上述多个引线中的各引线和形成在上述半导体芯片上的上述多个焊垫中的各焊垫的多个金属丝，上述半导体芯片具有：(c1)形成在半导体基板的主面上的流量检测部；(c2)控制上述流量检测部的控制电路部；以及(c3)形成在上述半导体基板的与上述主面相反的一侧的背面之中，且与上述流量检测部相对的区域上的隔膜，在使形成在上述半导体芯片上的上述流量检测部露出的状态下，上述芯片搭载部的一部分、上述多个引线中的各引线的一部分、上述半导体芯片的一...

【技术特征摘要】
2010.10.13 JP PCT/JP2010/0679461.一种流量传感器，具备：(a)搭载形成有多个焊垫的半导体芯片的芯片搭载部；(b)配置在上述芯片搭载部的外侧的多个引线；(c)配置在上述芯片搭载部上的上述半导体芯片；以及(d)连接上述多个引线中的各引线和形成在上述半导体芯片上的上述多个焊垫中的各焊垫的多个金属丝，上述半导体芯片具有：(c1)形成在半导体基板的主面上的流量检测部；(c2)控制上述流量检测部的控制电路部；以及(c3)形成在上述半导体基板的与上述主面相反的一侧的背面之中，且与上述流量检测部相对的区域上的隔膜，在使形成在上述半导体芯片上的上述流量检测部露出的状态下，上述芯片搭载部的一部分、上述多个引线中的各引线的一部分、上述半导体芯片的一部分及上述多个金属丝利用由树脂构成的密封体密封，上述流量传感器的特征在于，在与在露出的上述流量检测部上流动的气体的前进方向平行的任意截面中，在上述密封体与上述半导体芯片接触的第一区域，上述树脂的上表面比上述半导体芯片的上表面低，并且在比上述第一区域远离上述半导体芯片的第二区域的至少一部分，上述树脂的上表面的高度比上述半导体芯片的上表面高。2.根据权利要求1所述的流量传感器，其特征在于，在上述半导体芯片的与气体的前进方向平行的方向上，在将从上述半导体芯片的上表面到上述第二区域的上述树脂的上表面的高度尺寸设为H1，将从上述树脂露出的上述半导体芯片的尺寸设为L1的情况下，满足0＜H1/L1≤1.5的关系。3.根据权利要求1所述的流量传感器，其特征在于，在与在露出的上述流量检测部上流动的气体的前进方向平行的任意截面中，上述密封体未覆盖上述半导体芯片的上表面。4.一种流量传感器，具备：(a)搭载形成有多个第一焊垫的第一半导体芯片的第一芯片搭载部；(b)搭载形成有多个第二焊垫的第二半导体芯片的第二芯片搭载部；(c)配置在上述第一芯片搭载部的外侧的多个第一引线；(d)配置在上述第二芯片搭载部的外侧的多个第二引线；(e)配置在上述第一芯片搭载部上的上述第一半导体芯片；(f)配置在上述第二芯片搭载部上的上述第二半导体芯片；(g)连接上述多个第一引线中的各引线和形成在上述第一半导体芯片上的上述多个第一焊垫中的各焊垫的多个第一金属丝；以及(h)连接上述多个第二引线中各引线和形成在上述第二半导体芯片上的上述多个第二焊垫中的各焊垫的多个第二金属丝，上述第一半导体芯片具有：(e1)形成在第一半导体基板的主面上的流量检测部；以及(e2)形成在上述第一半导体基板的与上述主面相反的一侧的背面之中，且与上述流量检测部相对的区域上的隔膜，上述第二半导体芯片具有：(f1)形成在第二半导体基板的主面上并控制上述流量检测部的控制电路部，在使形成在上述第一半导体芯片上的上述流量检测部露出的状态下，上述第一芯片搭载部的一部分、上述第二芯片搭载部、上述多个第一引线中的各引线的一部分、上述多个第二引线中的各引线的一部分、上述第一半导体芯片的一部分、上述第二半导体芯片、上述多个第一金属丝及上述多个第二金属丝利用由树脂构成的密封体密封，上述流量传感器的特征在于，在与在露出的上述流量检...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野务，半泽惠二，森野毅，冈本裕树，德安升，田代忍，
申请(专利权)人：日立汽车系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP