高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长装置制造方法及图纸
Inclined seed holder for growth of high quality silicon carbide crystal and growth device
The utility model relates to an inclined seed crystal holder for high quality silicon carbide crystal growth and a growth device, wherein the angle range between the plane and the horizontal direction of the seed crystal holder and the seed crystal is 0
【技术实现步骤摘要】
高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长装置
本技术属于碳化硅晶体领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长用的斜籽晶托、以及具备该斜籽晶托的生长装置。
技术介绍
碳化硅(SiC)单晶材料具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，与第一代半导体材料和第二代半导体材料相比有着明显的优越性，被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、电力电子器件理想的半导体材料，在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化等方面有广泛应用。目前制约碳化硅器件大范围应用的主要问题在于低缺陷密度碳化硅晶体衬底的制备成本。大尺寸低缺陷密度碳化硅晶体的制备始终是碳化硅晶体研究的重点，研究经验表明籽晶缺陷沿c轴生长方向很容易延伸，而如果沿a轴方向生长缺陷会大幅减少，但是物理气相传输(PVT)法目前还无法获得大尺寸的a方向籽晶，所以研究人员为了降低SiC晶体缺陷密度，通常采用偏角籽晶生长晶体，使籽晶缺陷逐渐延伸排出晶体。同时为了降低成本，碳化硅衬底从最初采用偏角8°的籽晶调整为目前采用偏角4°的籽晶。众所周知，晶体采取偏角对于其利用率会降低，获...
【技术保护点】
一种碳化硅晶体生长用的斜角度籽晶托，其特征在于，所述籽晶托与籽晶接触的平面与水平方向的夹角范围为0
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长用的斜角度籽晶托，其特征在于，所述籽晶托与籽晶接触的平面与水平方向的夹角范围为0°<α≤30°。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长用的斜角度籽晶托，其特征在于，所述籽晶托为石墨籽晶托。3....
【专利技术属性】
技术研发人员：高攀，严成锋，忻隽，孔海宽，刘学超，施尔畏，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：新型
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。