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高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长装置制造方法及图纸
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文档序号:15826863
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本实用新型涉及高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长装置,所述籽晶托与籽晶接触的平面与水平方向的夹角范围为0...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。
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