基板处理装置制造方法及图纸

基板处理装置具有腔室、基板保持部、基板旋转机构、受液部及上下喷嘴。腔室具有腔室主体和腔室盖部，并且腔室盖部能够进行升降。在腔室盖部与腔室主体相接触的状态下，形成小的密闭空间，并且进行伴随着减压或者加压进行的处理。当腔室盖部上升时，在腔室盖部和腔室主体之间形成环状开口。第一罩部以及第二罩部位于环状开口的外侧。从基板飞散的处理液被第一罩部或者第二罩部接受。在基板处理装置中，能够在小的腔室内进行各种处理。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置本申请是申请号为201310388692.7、申请日为2013年8月30日、专利技术名称为“基板处理装置”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用于处理基板的基板处理装置。
技术介绍
以往，在半导体基板(下面，仅称为“基板”)的制造工序中，利用各种基板处理装置对基板进行各种处理。例如，向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液，由此对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻处理结束后，还进行除去基板上的抗蚀剂或对基板进行清洗的处理。在日本特开平9-246156号公报(文献1)的装置中，通过冲洗液冲掉晶片上的显影液等之后，对晶片进行干燥处理。具体地说，在晶片被搬入至冲洗处理部中并被晶片吸附部吸附，且冲洗处理部的开口被闸门堵塞之后，对冲洗处理部的内部空间进行排气。然后，在变为减压环境的内部空间内，一边使晶片与晶片吸附部一起进行低速旋转，一边供给冲洗液，然后使晶片进行高速旋转，由此对晶片进行干燥处理。另外，在日本特开2006-105524号公报(文献2)中，公开了如下的减压干燥装置，即，在使容置有基板的腔室内形成减压环境的状态下，对在基板的主面上形成的薄膜进行干燥。但是，要在同一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：腔室，其形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使包括所述腔室的上部的腔室盖部相对于其它部位进行升降；基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；顶板，其呈与所述中心轴相垂直的板状，以能够以所述中心轴为中心旋转的方式安装在所述腔室盖部上，并且在所述腔室形成密闭的所述内部空间的状态下，在以所述中心轴为中心的周向上与所述基板保持部相卡合。

【技术特征摘要】
2012.08.31 JP 2012-191284;2012.08.31 JP 2012-191281.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：腔室，其形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使包括所述腔室的上部的腔室盖部相对于其它部位进行升降；基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；顶板，其呈与所述中心轴相垂直的板状，以能够以所述中心轴为中心旋转的方式安装在所述腔室盖部上，并且在所述腔室形成密闭的所述内部空间的状态下，在以所述中心轴为中心的周向上与所述基板保持部相卡合。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液供给部包括喷嘴，该喷嘴在所述顶板和所述基板保持部相卡合的状态下，从所述顶板的中央喷出处理液，由此向所述顶板和所述基板之间供给处理液。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，还具有气体供给部，该气体供给部在所述顶板和所述基板保持部相卡合的状态下，向所述顶板和所述基板之间供给气体。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有位于所述腔室的周围的罩部，在通过所述腔室盖部的移动而在所述基板的周围形成环状开口的状态下，所述罩部位于所述环状开口的径向外侧，且接受从旋转的所述基板飞散的处理液。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述顶板以能够变更与所述腔室盖部之间的距离的状态安装在所述腔室盖部上，在所述腔室盖部和所述腔室的所述其它部位之间的距离为第一距离的情况下，所述顶板在所述周向上与所述基板保持部相卡合，在所述腔室盖部和所述腔室的所述其它部位之间的距离为大于所述第一距离的第二距离的情况下，所述顶板与所述基板保持部分离。6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，还具有罩升降机构，该罩升降机构通过使所述罩部进行升降，使所述罩部在所述环状开口的径向外侧的位置和该位置的下方的其它位置之间进行移动。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，还具有位于所述腔室的径向外侧的其它罩部，通过所述罩升降机构使所述罩部进行升降，由此在所述罩部接受来自所述基板的处理液的状态和所述其它罩部接受来自所述基板的处理液的状态之间进行切换。8.根据权利要求4至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，在所述罩部接受从所述基板飞散的处理液的状态下，所述罩部的上部与所述腔室的所述上部相接近或者相接触。9.根据权利要求4至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液供给部向所述基板供给纯水和药液，在所述腔室内密闭的状态下，所述腔室接受从所述基板飞散的IPA或者水，在形成所述环状开口的状态下，所述罩部接受从所述基板飞散的药液。10.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间，腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在上下方向上进行移动，基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板，基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，处理液供给部，其向所述基板上供给处理液，罩部，其在整周上位于通过使所述腔室盖部与所述腔室主体分离而形成在所述基板的周围的环状开口的径向外侧，接受从旋转的所述基板飞散的处理液，罩移动机构，其使所述罩部在位于所述环状开口的径向外侧的第一位置和所述第一位置的下方的第二位置之间在所述上下方向上进行移动；所述罩部具有：大致圆筒状的侧壁部，在所述第一位置，在所述径向上与所述环状开口相向，第一密封部，在所述第一位置，在整周上在与所述腔室盖部之间形成第一密封结构，第二密封部，在所述第一位置，在整周上在与所述腔室主体之间形成第二密封结构；形成所述环状开口的状态下的所述腔室盖部以及所述腔室主体、位于所述第一位置的所述罩部形成密闭的空间。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一密封部呈从所述侧壁部的上端部向径向内侧延伸的大致圆环状，通过使所述第一密封部与所述腔室盖部相接触，来在所述第一密封部和所述腔室盖部之间形成所述第一密封结构。12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述腔室主体具有液体贮存部，该液体贮存部设置在以所述中心轴为中心的整个周向上，且用于贮存密封用液体，所述第二密封部呈大致圆筒状，且配置在所述侧壁部的周围，通过使所述第二密封部的下端部位于在所述液体贮存部中所贮存的所述密封用液体内，在第二密封部和所述腔室主体之间形成所述第二密封结构。13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二密封部为在整周上设置在所述侧壁部的周围的波纹管，所述第二密封部的上端部与所述侧壁部相连接，所述第二密封部的下端部与所述腔室主体相连接。14.根据权利要求10至13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板旋转机构具有：环状的转子部，其配置在所述腔室的所述内部空间内，且安装有所述基板保持部；定子部，其配置在所述腔室外的所述转子部的周围，并且在与所述转子部之间产生旋转力。15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，所述转子部借助作用于所述转子部和所述定子部之间的磁力，在所述内部空间内以悬浮状态进行旋转。16.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：基板支撑部，其以水平状态从下侧支撑基板，上侧旋转构件，其配置在所述基板支撑部的上方，位置限制构件，其在以朝向上下方向的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中井仁司，大桥泰彦，
申请(专利权)人：斯克林集团公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP