光学邻近校正前的图形预处理方法技术

本发明专利技术提供一种光学邻近校正前的图形预处理方法，用于去除掩膜图案中不利于光学邻近校正的图形边缘，具体为提供一个初始图形，在初始图形上找出相对于初始图形的边界凸起的凸起短边，然后选择包含该凸起短边的第一多边形，第一多边形中包含初始图形；步骤二：将第一多边形朝初始图形的外部移动，得到若干个第二多边形，将第二多边形去除初始图形得到若干个第三多边形；当第三多边形中的一条边与凸起短边重合时定义为第四多边形，将所有第四多边形与初始图形合并后得到最终目标图形。通过上述方法能消除位于斜边上的图形边凸起，光学邻近校正后结果一致性更好，相同目标图形经过光学邻近校正后，图形差异在一个最小图形格点之内。

Graph preprocessing method before optical proximity correction

The invention provides an optical proximity correction pretreatment method for image edge graphics, optical proximity correction is not conducive to the removal of the mask pattern, in particular to provide an initial pattern in the initial graph to find relative to the short side boundary bulge raised the original graph, and then select the projection polygon containing the first short side first, the polygon contains initial graphics; step two: the first polygon toward the initial graphics external movement, some second polygons, second polygon graphics into third removing the initial polygon; when the third polygon in a side and short side projections overlap is defined as fourth polygons, all fourth polygons and the initial graphics combined to obtain the ultimate goal of graphics. By the above method can eliminate in the graphics on the edge bevel bulge, optical proximity correction after the better consistency, the same target pattern after optical proximity correction, graphic differences in a minimum figure within the lattice.

【技术实现步骤摘要】
光学邻近校正前的图形预处理方法
本专利技术涉及掩膜图形设计领域，特别涉及一种光学邻近校正前的图形预处理方法。
技术介绍
在精度在0.13um技术节点以下的半导体制造中，基于模型的OPC(OpticalProximityCorrection，光学邻近校正)方法已经广泛地应用在关键层次以及包括离子注入的光刻工艺中，基于模型的OPC方法通过建立能够很好模拟曝光过程(有时也包括蚀刻)的模型，结合根据一定规则的图形切割，能够很好的完成各种复杂图形的局部图形失真补偿。基于模型的OPC基本原理是把原始图形按一定规则切割成很多小的片段，每个小片段上有一个或者数个目标点，通过边模拟边修正图形片段使得经过光学邻近校正后的图形模拟结果与目标点一致。然而在原始版图中，可能存在一些符合设计规则但不利于光学邻近校正的图形，或在光学邻近校正前处理过程中，也可能产生一些不利于光学邻近校正的图形，比如一些小凸起，或者小的图形缺口，这些图形本身并不违反设计规则，但是它们的存在会导致光学邻近校正的结果不合理。原因之一是模型OPC在光学邻近校正过程中把这些小凸起或者小缺口作为目标图形修正，这样容易导致相邻正常图形无法达到目标，而我们校正的本意并不需要上述的小凸起或者小缺口等不利图形达到目标。传统的OPC处理流程中，利用图形填充或者图形去除来消除图形中的小凸起或者小缺口，图1～图4揭示了其中的一个处理方法，图1为初始目标图形，存在小凸起，利用Mentor公司的DRC工具首先找到符合条件的小凸起Jog，如图2所示，Jog与其邻边JA之间成270°角，根据Jog与图形边JA的距离关系形成包含两条边的最小矩形JF，如图3所示，合并初始目标图形和JF得到新的目标图形，结果如图4所示。由于常规的图形凸起(如图2中的Jog)与图形边垂直(比如成90°或270°角)，且与该图形凸起相邻的图形边与坐标系中的X轴或Y轴成0°或90°角，因此利用上述的传统的方法能很好的解决常规的图形凸起，消除对OPC的不利影响。然而对于一些位于斜边上的图形凸起，如图5～图7所示，现有的DRC工具无法直接形成Jog与其相邻图形边填充区域，因而不能用传统的处理方法进行解决。
技术实现思路
本专利技术提供一种光学邻近校正前的图形预处理方法，针对斜边上的图形凸起，进行预处理，得到最终用于光学邻近校正的目标图形，从而去除了这种图形中不利于光学邻近校正的因素。为达到上述目的，本专利技术提供一种光学邻近校正前的图形预处理方法，用于去除掩膜图案中不利于光学邻近校正的图形边缘，包括以下步骤：步骤一：提供一个掩膜图形，定义为初始图形，在所述初始图形上找出相对于所述初始图形的边界凸起的凸起短边，然后选择包含该凸起短边的多边形，定义为第一多边形，所述第一多边形中包含所述初始图形；步骤二：将步骤一中的所述第一多边形朝所述初始图形的外部移动，得到若干个第二多边形，其中移动的距离等于所述凸起短边的长度，将每个所述第二多边形去除所述初始图形得到若干个第三多边形；步骤三：当所述第三多边形中的一条边与所述凸起短边重合时，将该第三多边形定义为第四多边形，将所有所述第四多边形与所述初始图形合并后得到最终用于进行光学邻近校正的目标图形。作为优选，在所述初始图形上，以水平方向为X轴，在初始图形所在的平面上以与水平方向垂直的方向为Y轴，建立XY轴二维坐标系，所述初始图形具有斜边，所述凸起短边相对于所述斜边凸起。作为优选，所述斜边与X轴成45°或者135°的夹角，所述凸起短边与X轴成0°或者90°夹角。作为优选，所述凸起短边的长度小于10nm。作为优选，所述凸起短边的长度为2nm。作为优选，步骤二中将所述第一多边形分别沿着X轴向右、向左移动，然后沿着Y轴向上、向下移动，分别得到四个第二多边形。作为优选，通过软件CalibreSVRF工具实现。作为优选，所述凸起短边均在基于最小精度的图形格点上。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提供一种光学邻近校正前的图形预处理方法，用于去除掩膜图案中不利于光学邻近校正的图形边缘，具体包括三个步骤：步骤一：提供一个掩膜图形，定义为初始图形，在初始图形上找出相对于初始图形的边界凸起的凸起短边，然后选择包含该凸起短边的多边形，定义为第一多边形，第一多边形中包含初始图形；步骤二：将步骤一中的第一多边形朝初始图形的外部移动，得到若干个第二多边形，其中移动的距离等于凸起短边的长度，将每个第二多边形去除初始图形得到若干个第三多边形；步骤三：当第三多边形中的一条边与凸起短边重合时，将该第三多边形定义为第四多边形，将所有第四多边形与初始图形合并后得到最终用于进行光学邻近校正的目标图形。通过上述步骤能够消除位于斜边上的图形边凸起，光学邻近校正后结果一致性更好，相同目标图形经过光学邻近校正后，图形差异在一个最小图形格点之内。附图说明图1为现有技术中初始目标图形示意图；图2为图1中A处放大示意图；图3为现有技术中形成最小矩形JF示意图；图4为现有技术中得到目标图形示意图；图5～图7为在斜边上存在凸起的图形示意图；图8为本专利技术提供的初始图形示意图；图9为图8中B处放大示意图；图10为本专利技术提供的得到第一多边形的示意图；图11为本专利技术提供的沿X轴移动得到第二多边形的示意图；图12为本专利技术提供的根据图11得到第三多边形和第四多边形的示意图；图13为本专利技术提供的根据图11得到最终目标图形的示意图图14为本专利技术提供的沿Y轴移动得到第二多边形的示意图；图15为本专利技术提供的根据图14得到第三多边形和第四多边形的示意图；图16为本专利技术提供的根据图14得到最终目标图形的示意图；图17为本专利技术提供的图形预处理方法流程图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。请参照图17，以水平方向为X轴，在该平面上垂直于X轴的方向作为Y轴，建立XY二维坐标系，本专利技术提供一种光学邻近校正前的图形预处理方法，用于去除掩膜图案中不利于光学邻近校正的图形边缘，包括以下步骤：步骤一：请参照图8，输入初始目标图形Tgt，选择符合条件的图形边凸起短边Ja，所谓符合条件是指该凸起短边Ja与坐标系X轴成0°或90°角，凸起短边Ja相对于初始目标图形Tgt上与X轴成45°或者135°的夹角的斜边凸起，且与初始目标图形Tgt上与凸起短边Ja相邻的图形边分别成135°及225°角，凸起短边Ja本身长度等于2nm；请参照图9，选择所有凸起短边Ja中与坐标系X轴成0°角的图形边Jax，选择所有凸起短边Ja中与坐标系X轴成90°角的图形边为Jay；步骤二：请参照图10，选择所有包含凸起短边Ja和初始目标图形Tgt的第一多边形Plg；请参照图11，把第一多边形Plg沿着坐标系X轴向右移动2nm，得到第二多边形Plgx1；把多边形Plg沿着坐标系X轴向左移动2nm，得到第二多边形Plgx2；把多边形Plg沿着坐标系Y轴向上移动2nm，得到第二多边形Plgy3；请参照图14，把多边形Plg沿着坐标系Y轴向下移动2nm，得到第二多边形Plgy4；根据上述步骤得到的多边形，将移动后得到的多边形与初始目标图形Tgt进行逻辑非运算,请参照图12和图15，得到如图17中的填补多边形组，也叫第三多边形组Plg_EX1，P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学邻近校正前的图形预处理方法，用于去除掩膜图案中不利于光学邻近校正的图形边缘，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一个掩膜图形，定义为初始图形，在所述初始图形上找出相对于所述初始图形的边界凸起的凸起短边，然后选择包含该凸起短边的多边形，定义为第一多边形，所述第一多边形中包含所述初始图形；步骤二：将步骤一中的所述第一多边形朝所述初始图形的外部移动，得到若干个第二多边形，其中移动的距离等于所述凸起短边的长度，将每个所述第二多边形去除所述初始图形得到若干个第三多边形；步骤三：当所述第三多边形中的一条边与所述凸起短边重合时，将该第三多边形定义为第四多边形，将所有所述第四多边形与所述初始图形合并后得到最终用于进行光学邻近校正的目标图形。

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近校正前的图形预处理方法，用于去除掩膜图案中不利于光学邻近校正的图形边缘，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一个掩膜图形，定义为初始图形，在所述初始图形上找出相对于所述初始图形的边界凸起的凸起短边，然后选择包含该凸起短边的多边形，定义为第一多边形，所述第一多边形中包含所述初始图形；步骤二：将步骤一中的所述第一多边形朝所述初始图形的外部移动，得到若干个第二多边形，其中移动的距离等于所述凸起短边的长度，将每个所述第二多边形去除所述初始图形得到若干个第三多边形；步骤三：当所述第三多边形中的一条边与所述凸起短边重合时，将该第三多边形定义为第四多边形，将所有所述第四多边形与所述初始图形合并后得到最终用于进行光学邻近校正的目标图形。2.如权利要求1所述的光学邻近校正前的图形预处理方法，其特征在于，所述初始图形具有斜边，所述凸起短边相对于所述斜边凸起。3.如权利要求2所述的光学邻近校正前...

【专利技术属性】
技术研发人员：何大权，魏芳，朱骏，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31