【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅VDMOS器件
专利技术属于功率半导体
,涉及一种碳化硅VDMOS器件。
技术介绍
SiC(碳化硅)作为第三代宽禁带半导体材料,具有高的临界击穿电场,适合制造高压大功率半导体器件。在制作平面栅碳化硅VDMOS器件时,为了降低器件的JFET区电阻,常整体提高JFET区的掺杂剂量,通过减小JFET区的耗尽区宽度以增加JFET区的导电通路同时减小JFET区的单位面积电阻。然而由于SiC自身的高临界击穿电场以及相对于二氧化硅更高的介电常数,致使SiCMOSFET在阻断状态下其栅氧化层承受高电场,且电场分布为从栅氧化层中心向源端急速递减。对于平面栅SiCMOSFET而言,JFET区掺杂剂量越高,栅氧化层在相同耐压下的最高电场也越高,通常认为栅氧化层上的最高电场大于3MV/cm时即不能保证MOSFET的长期可靠性工作,这一限制大大降低了JFET区掺杂剂量的上限。
技术实现思路
本专利技术的目的,就是针对上述问题,提出一种具有低导通电阻的平面栅SiCVDMOS器件。本专利技术的技术方案是:一种碳化硅VDMOS器件,包括栅极结构、源极结构、漏极结构、漂移区7和JFET区8。其中漂移区7位于漏极结构之上,源极结构位于漂移区7之上,源极结构之间形成JFET区8;所述源极结构包括P型阱区3以及位于P型阱区上部的N型源区4和P型体接触区5,所述N型源区4和P型体接触区5共同引出端为源极;N型源区4远离P型体接触区5一侧与P型阱区3边缘之间形成沟道区;所述栅极结构覆盖于沟道区和JFET区8之上,所述栅极结构包括栅绝缘层1和位于栅绝缘层上的多晶硅或金属栅区2,所述栅区2引 ...
【技术保护点】
一种碳化硅VDMOS器件,包括栅极结构、源极结构、漏极结构、漂移区(7)和JFET区(8);其中漂移区(7)位于漏极结构之上,源极结构位于漂移区(7)之上,源极结构之间形成N型JFET区(8);所述源极结构包括P型阱区(3)以及位于P型阱区上部的N型源区(4)和P型体接触区(5),所述N型源区(4)和P型体接触区(5)共同引出端为源极;N型源区(4)远离P型体接触区(5)一侧与P型阱区(3)边缘之间形成沟道区;所述栅极结构覆盖于沟道区和JFET区(8)之上,所述栅极结构包括栅绝缘层(1)和位于栅绝缘层上的多晶硅或金属栅区(2),所述多晶硅或金属栅区(2)引出端为栅极;所述漏极结构位于漂移区之下,包括N型漏区(6),所述N型漏区(6)引出端为漏极;其特征是:所述JFET区(8)的掺杂剂量从JFET区(8)和P型阱区(3)的接触面到JFET区(8)的中部逐渐降低。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅VDMOS器件,包括栅极结构、源极结构、漏极结构、漂移区(7)和JFET区(8);其中漂移区(7)位于漏极结构之上,源极结构位于漂移区(7)之上,源极结构之间形成N型JFET区(8);所述源极结构包括P型阱区(3)以及位于P型阱区上部的N型源区(4)和P型体接触区(5),所述N型源区(4)和P型体接触区(5)共同引出端为源极;N型源区(4)远离P型体接触区(5)一侧与P型阱区(3)边缘之间形成沟道区;所述栅极结构覆盖于沟道区和JFET区(8)之上,所述栅极结构包括栅绝缘层(1)和位于栅绝缘层上的多晶硅或金属栅区(2),所述多晶硅或金属栅区(2)引出端为栅极;所述漏极结...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗小蓉,张凯,孙涛,葛薇薇,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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