一种散热的多芯片框架封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种散热的多芯片框架封装结构及其制备方法，所述封装结构包括：至少一个导电焊盘，所述导电焊盘用于提供芯片管脚与封装体外部管脚的电性连接路径；导热焊盘；放置在所述导热焊盘上方的至少两个底层半导体芯片；设置在最上层半导体芯片上方的金属散热器，所述金属散热器用于为下方的半导体芯片提供散热通道。

【技术实现步骤摘要】
一种散热的多芯片框架封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件封装领域中的散热技术，尤其涉及一种散热的多芯片框架封装结构及其制备方法。
技术介绍
随着电子工程的发展，小型化、轻量化及功能化的需求日渐增加，导致半导体封装密度不断增加。从一个组件的开发，逐渐进入到了集结多个组件成为一个系统的阶段，在随着产品高效能及外观轻薄的要求的带动下，不同功能的芯片迈向整合的阶段。在此期间，封装技术的不断发展和突破，成为推动整合的力量之一。多芯片封装技术的一个最重要的应用—系统级封装(SiP，SysteminPackage)概念随即被提出，SiP的封装形态多样，不同的芯片排列方式及内部接合技术可依照客户或产品的需求加以克制化或弹性生产，适用于各种消费性产品市场。SiP技术对于半导体芯片封装的整体成本、性能及可靠度有着巨大的贡献。方形扁平无引脚封装(QFN，QuadFlatNo-leadPackage)，其外观多为矩形，元件底部具有水平焊端，在中央有一个用来导热的焊盘，围绕大焊盘的外围四周有实现电气连接的焊端，芯片把热量通过封装底部的导热焊盘传导到PCB上，来进行散热。现有的框架SiP封装，集成了多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种散热的多芯片框架封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：至少一个导电焊盘，所述导电焊盘用于提供芯片管脚与封装体外部管脚的电性连接路径；导热焊盘；放置在所述导热焊盘上方的至少两个底层半导体芯片；设置在最上层半导体芯片上方的金属散热器，所述金属散热器用于为下方的半导体芯片提供散热通道。

【技术特征摘要】
1.一种散热的多芯片框架封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：至少一个导电焊盘，所述导电焊盘用于提供芯片管脚与封装体外部管脚的电性连接路径；导热焊盘；放置在所述导热焊盘上方的至少两个底层半导体芯片；设置在最上层半导体芯片上方的金属散热器，所述金属散热器用于为下方的半导体芯片提供散热通道。2.根据权利要求1所述的多芯片框架封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：放置在所述底层半导体芯片的上方的一个或者多个上层半导体芯片。3.根据权利要求2所述的多芯片框架封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：塑封体，所述导电焊盘、导热焊盘、底层半导体芯片、上层半导体芯片以及金属散热器位于所述塑封体内部，所述塑封体上表面与所述金属散热器的上表面平齐，且所述金属散热器上表面裸露于所述塑封体。4.根据权利要求3所述的多芯片框架封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：金属散热盖，所述金属散热盖位于所述塑封体的上表面且与所述金属散热器相接触。5.根据权利要求1所述的多芯片框架封装结构，其特征在于，所述底层半导体芯片通过金属打线的形式与所述导电焊盘电连接，所述上层半导体芯片通过金属打线的形式与所述底层半导体芯片以及所述导电焊盘电连接。6.一种散热的多芯片框架封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢业磊，
申请(专利权)人：深圳市中兴微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44