一种锐角金属图形剥离方法技术

本发明专利技术涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种锐角金属图形剥离方法，包括以下步骤：S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干；S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶，采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置；S3、根据所述打开位置，采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层，定义出锐角位置，锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠；S4、在所述锐角位置再次沉积金属；S5、去除光刻胶，得到具有完整锐角的金属图形。本发明专利技术在传统lift‑off工艺的基础上，进行二次金属沉积，由于第二次锐角位置的两个自由端仅与锐角缺损的金属图形部分重叠，区域较小，有利于湿法药水进入锐角处，便于光刻胶去除，更易于完成具有完整锐角的金属图形。

Method for peeling sharp angle metal figure

The invention relates to the technical field of semiconductor manufacture, in particular to a sharp metal pattern stripping method, which comprises the following steps: S1, in the metal pattern defect on acute polyimide layer and drying; S2, in which the polyimide layer is coated with photoresist, lithography developer defined polyimide layer open position; open position S3 according to the above, by means of etching open the polyimide layer, define the angle position, the metal part of the graphics two free end position of the defect and acute angle angle overlap; S4, in the acute position again deposited metal; S5, removing the photoresist, get the metal pattern with complete acutangular. The invention is based on traditional lift off process, two metal deposition, because the two freedom second angle position end metal pattern only and acute angle defect overlap area is small, is conducive to the wet medicine into an angle, for photoresist removal, easy to complete with full metal graphics acutangular.

【技术实现步骤摘要】
一种锐角金属图形剥离方法
本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种锐角金属图形剥离方法。
技术介绍
金属lift-off工艺由于剥离精度高、形貌好、控制容易，已广泛地应用于半导体制造业。整个lift-off工艺为：（1）在衬底上涂覆一层光刻胶，把掩膜版图案在衬底表面上准确对准，通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上，并通过显影把掩膜版图案复刻到光刻胶上，得到图形化衬底，如图1（a）所示；（2）采用金属蒸发、溅射或化学气相淀积薄膜工艺，在图形化衬底上沉积一层金属1，如图1（b）所示；（3）去除光刻胶，得到金属图形，如图1（c）所示。在整个半导体工艺中，为了节约成本，提高效率，在去除光刻胶时，一般采用物理撕除（tape-peeling）结合湿法的方式快速去除光刻胶。在金属图形存在锐角时，湿法药水不易进入锐角区域，加之物理撕除的引入，极易造成金属图形的锐角缺损，如图4（a）所示。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种锐角金属图形剥离方法，该夹具可以很好地解决传统lift-off工艺极易造成金属图形缺损，无法得到具有完成锐角的金属图形的问题。为达到上述要求，本专利技术采取的技术方案是：提供一种锐角金属图形剥离方法，包括采用lift-off工艺形成锐角缺损的金属图形的步骤，还包括以下步骤：S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干；S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶，采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置；S3、根据所述打开位置，采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层，定义出锐角位置，锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠；S4、在所述锐角位置再次沉积金属；S5、去除光刻胶，得到具有完整锐角的金属图形。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：（1）在传统lift-off工艺的基础上，进行二次金属沉积，由于第二次锐角位置的两个自由端仅与锐角缺损的金属图形部分重叠，区域较小，有利于湿法药水进入锐角处，便于光刻胶去除，更易于完成具有完整锐角的金属图形；（2）聚酰亚胺作为锐角定义层，容易刻蚀出坡度较缓的表面图形，利于金属爬坡。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1为lift-off工艺过程中形成的器件结构的剖视图；图2为本专利技术方法的流程图；图3为本专利技术工艺过程中形成的器件结构的剖视图；图4（a）为lift-off工艺形成的具有缺损锐角的金属图形的俯视图；图4（b）为聚酰亚胺层打开位置的俯视图；图4（c）为具有完整锐角的金属图形的俯视图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。如图2所示，本实施例提供一种锐角金属图形剥离方法，包括采用lift-off工艺形成锐角缺损的金属图形的步骤，锐角缺损的金属图形如图4（a）所示；还包括以下步骤：S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层2并烘干，作为锐角定义层，如图3（a）所示；S2、在聚酰亚胺层2上涂覆光刻胶PR，采用光刻显影在光刻胶PR上定义出聚酰亚胺层2的打开位置，打开位置即图3（b）中光刻胶PR的缺口；S3、根据打开位置，采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层2，定义出锐角位置，锐角位置即图3（c）中聚酰亚胺层2的缺口，也为图4（b）中的虚线位置；锐角位置的一个自由端与锐角缺损的金属图形的一条边部分重叠，锐角位置的另一个自由端与锐角缺损的金属图形的另一条边部分重叠，如图3（c）和图4（b）所示，单边重叠的长度m不小于0.5μm；S4、在锐角位置再次沉积金属3，且再次沉积的金属3单边长度n不超过10μm，如图3（d）和图4（c）所示；由于步骤S3中的部分重叠，能保证再次沉积的金属3与原缺损锐角金属1完全连接；S5、去除光刻胶，得到具有完整锐角的金属图形，如图3（e）所示；S6、在具有完整锐角的金属图形晶圆表面沉积SiO2或SiN，克服聚酰亚胺层2的吸水性。当然，通过任意其他工艺制成的锐角缺损的金属图形，采用该方法制得具有完整锐角金属图形的情况，也落入本申请的保护范围。以上实施例仅表示本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本专利技术范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术保护范围。因此本专利技术的保护范围应该以权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锐角金属图形剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干；S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶，采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置；S3、根据所述打开位置，采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层，定义出锐角位置，锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠；S4、在所述锐角位置再次沉积金属；S5、去除光刻胶，得到具有完整锐角的金属图形。

【技术特征摘要】
1.一种锐角金属图形剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干；S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶，采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置；S3、根据所述打开位置，采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层，定义出锐角位置，锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠；S4、在所述锐角位置再次沉积金属；S5、去除光刻胶，得到具有完整锐角的金属图形。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一峰，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51