【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多项目晶圆领域，尤其涉及一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法。
技术介绍
1、在半导体领域，在芯片研发设计初期，工艺流片成本高，为减少研发成本，提高成功率，加快研发周期，会将多种不同功能、尺寸不一的芯片，设计在同一个版图上，在标准工艺线流片完成后，每个设计可以得到数十种类的芯片样品，这样生产出来的晶圆叫多项目晶圆。
2、多项目晶圆(图1右)就是由数十甚至上百个单次曝光区域shot(图1中“s”)重复组成，图1中的每个单次曝光区域包含a、b、c、d四款芯片。在一个晶圆上，通常有几千甚至上万个芯片连在一起。它们之间留有一定的间隙，即图1中“2”，此间隙被称之为切割道。切割就是将每一个具有独立电气性能的芯片沿切割道分割成一颗一颗的晶粒的过程。
3、在切割中，多项目晶圆因为多种芯片尺寸不一，会出现“t”型路口，即图1中的“1”，无法实现一次切割，一般需要多次切割才能得到所需芯片，否则会损坏周围其它芯片如“a”，“d”。如图2所示，芯片沿单次曝光区域完成一次切割后，手动取出待切割的剩余芯片，将剩余芯片再切...
【技术保护点】
1.一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，其特征在于：所述一次切割为多项目晶圆切割过程无需手动取放的切割方式；所述方法包括版图设计步骤，所述版图设计步骤包括以下子步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，其特征在于：所述预设目标为高效利用晶圆面积和/或切割难易程度。
3.根据权利要求1所述的一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，其特征在于：在设计加宽的切割道的过程中，以加宽数量最少为原则。
4.根据权利要求1所述的一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，其特征在于：所述方法还包括位于版图设计...
【技术特征摘要】
1.一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，其特征在于：所述一次切割为多项目晶圆切割过程无需手动取放的切割方式；所述方法包括版图设计步骤，所述版图设计步骤包括以下子步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，其特征在于：所述预设目标为高效利用晶圆面积和/或切割难易程度。
3.根据权利要求1所述的一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，其特征在于：在设计加宽的切割道的过程中，以加宽数量最少为原则。
4.根据权利要求1所述的一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，其特征在于：所述方法还包括位于版图设计步骤之后的切割设计步骤，所述切割设计步骤用于对版图设计步骤设计得到的版图进行切割规划。
5.根据权利要求3所述的一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，其特征在于：所述切割设计步骤包括以下子...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓辉，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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