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本发明公开了一种基于多项目晶圆一次切割的切割设计方法，包括版图设计步骤：以预设目标，设计多项目晶圆的布局结构，布局结构包括多组单次曝光区域，每组单次曝光区域均包括排列布局相同的多款待切割芯片、且待切割芯片之间具有符合热影响宽度的切割道；对于...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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