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本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种锐角金属图形剥离方法，包括以下步骤：S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干；S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶，采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置；S3、根据所述打开位置，采用刻蚀方式...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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