含稠环基聚硅烷制备方法技术

技术编号:1561346 阅读:208 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种含稠环基聚硅烷制备新方法,本发明专利技术需要解决的技术问题是,提供一种操作简单、安全,聚硅烷聚合度较高,所得共聚物分离较方便的含稠环基聚硅烷制备新方法。本发明专利技术方法,乙烯基硅烷共聚物B在高沸点溶剂α-氯萘中,氮气保护下与稠环基环戊二烯酮A发生加成反应,在聚硅烷的侧链中引入稠环基,得含稠环基聚硅烷产品。本发明专利技术的乙烯基硅烷共聚物B还可以通过烷基乙烯基二氯硅烷,烷基苯基二氯硅烷和/或二烷基二氯硅烷聚合而得。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机高分子聚合物领域,具体是一种含稠环基聚硅烷制备新方法。
技术介绍
聚硅烷是一类主链完全由硅原子组成的新型聚合物,其Si-Si主链的σ电子沿主链广泛离域,是σ共轭的线性聚合物。由于聚硅烷特定的分子与电子结构,由此赋予了它特殊的电子光谱、热致变色、光谱烧孔、光电导性、场致发光、电致发光、导电性以及许多独特的性质,使其在制备高强度SiC陶瓷、作为导电、光电导及电荷转移复合材料、作为高分辨光致抗蚀剂、作为非线性光学材料、制造发光二极管等多种电子器件方面已得到了广泛的应用。然而,已合成得到的聚硅烷,还有很多问题亟需解决,如一般稳定性较差,在热、氧等条件下,容易被裂解和氧化;三阶非线性电极化率χ(3)较低,尚不足制造使用的光学器件;能实际应用的品种少;电荷转移复合物容易受潮气的影响而降低其导电性等等。由于稠环基()都是大的π电子共轭体系,有离域大л键,当其被引入聚硅烷侧基后,可与具有空3p电子轨道的硅原子发生dπ-pπ相互作用,增强Si-Si键的σ电子离域性。因此,含稠环基聚硅烷具有较好的热氧稳定性,优异的光电特性等性能(杜作栋,陈剑华,冯圣玉高等学校化学学报,1986,6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含稠环基聚硅烷制备方法,乙烯基硅烷共聚物B在高沸点溶剂α-氯萘中,氮气保护下与稠环基环戊二烯酮A发生加成反应,在聚硅烷的侧链中引入稠环基,得含稠环基聚硅烷产品,合成路线为:***,R↓[1],R↓[2],R↓[3],R↓ [4]为甲基、乙基、丙基、丁基、氢、乙烯基;A为***;Ar为***;n=0-1000;m=1-1000;P=0-1000;所述的稠环基环戊二烯酮A为四苯基环戊二烯酮、菲式环戊二烯酮、苊式环戊二烯酮中的一种; 所述的稠环基Ar为四苯基苯基、2,9-二苯基-7,8苯并菲基、2,9-二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:来国桥李美江刘志芳吕素芳邱化玉刘勇
申请(专利权)人:杭州师范学院
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]

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