流量传感器制造技术

本发明专利技术提供一种能够抑制每个流量传感器的性能偏差且实现性能提高的技术。根据实施方式的流量传感器，通过在树脂(MR)的上表面SUR(MR)设置局部的凹部(CAV)，产生绕逆时针的涡流，由此，使与半导体芯片(CHP1)的露出的侧面碰撞的气体(空气)的前进方向不为相差90度的半导体芯片(CHP1)的上方方向，而是改变为卷绕涡的方向。因此，根据实施方式的流量传感器，能够不使流量检测部(FDU)的上方的气体(空气)的流动紊乱，能稳定且顺畅地流动，因此，能提高流量检测部(FDU)的流量检测精度。

【技术实现步骤摘要】
流量传感器本申请为分案申请；其母案的申请号为“201380029511X”，专利技术名称为“流量传感器”。
本专利技术涉及流量传感器，尤其涉及对流量传感器的结构有效的技术。
技术介绍
在日本特开2008-175780号(专利文献1)中记载了搭载有在支撑部件上形成流量传感器的流量检测部的第一半导体芯片、控制流量检测部的控制电路部的第二半导体芯片的结构。并且，第一半导体芯片与第二半导体芯片由金属丝连接，第二半导体芯片及金属丝由树脂覆盖。另一方面，形成有流量检测部的第一半导体芯片以其表面露出，且覆盖第一半导体芯片的侧面的方式形成树脂。此时，以覆盖第一半导体芯片的侧面的方式形成的树脂的高度与露出的第一半导体芯片的表面构成为相同面。在日本特开2004-74713号公报(专利文献2)中，作为半导体包装的制造方法，公开了通过设置了脱模薄膜板的金属模具夹紧部件，并使树脂流入的技术。在日本特开2011-122984号公报(专利文献3)中，对于使气体(空气)流的流量检测部露出的流量传感器，使用利用弹簧支撑在金属模具上的凸模或弹性体薄膜并制造流量传感器的技术。现有技术文献技术文献专利文献1：日本特开2008-175780号公报专利文献2：日本特开2004-74713号公报专利文献3：日本特开2011-122984号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题例如，以往在汽车等内燃机关中设有电子控制燃料喷射装置。该电子控制燃料喷射装置通过适当地调整流入内燃机关中的气体(空气)与燃料的量，具有有效地使内燃机关进行工作的作用。因此，在电子控制燃料喷射装置中，需要正确地把握流入内燃机关的气体(空气)。因此，在电子控制燃料喷射装置上设有测定气体(空气)的流量的流量传感器(气流传感器)。即使在流量传感器中，尤其利用半导体微机械加工技术制造的流量传感器能够减小成本，并且能够以低电力驱动，因此备受瞩目。这种流量传感器例如在由硅构成的半导体基板的背面形成由各向异性蚀刻形成的隔膜(薄板部)，在与该隔膜相对的半导体基板的表面形成由发热电阻与测温电阻构成的流量检测部。在实际的流量传感器中，例如除了形成隔膜及流量检测部的第一半导体芯片外，还具有形成控制流量检测部的控制电路部的第二半导体芯片。上述第一半导体芯片及第二半导体芯片例如搭载在基板上，与形成在基板上的配线(端子)电连接。具体地说，例如第一半导体芯片利用由金属线构成的金属丝与形成在基板上的配线连接，第二半导体芯片使用形成在第二半导体芯片上的冲击电极，与形成在基板上的配线连接。这样，搭载在基板上的第一半导体芯片与第二半导体芯片通过形成在基板上的配线电连接。其结果，能利用形成在第二半导体芯片上的控制电路部控制形成在第一半导体芯片上的流量检测部，从而构成流量传感器。此时，连接第一半导体芯片与基板的金属线(金属丝)为了防止由变形引起的接触等，通常由浇注树脂固定。即，金属线(金属丝)由浇注树脂覆盖并固定，利用该浇注树脂，保护金属线(金属丝)。另一方面，构成流量传感器的第一半导体芯片及第二半导体芯片通常未由浇注树脂封闭。即，在通常的流量传感器中，呈只有金属线(金属丝)由浇注树脂覆盖的结构。在此，金属线(金属丝)的利用浇注树脂的固定由于在未由金属模具等固定第一半导体芯片的状态下进行，因此，存在由于浇注树脂的收缩，第一半导体芯片从搭载位置偏离的问题。另外，浇注树脂通过滴下而形成，因此，存在浇注树脂的尺寸精度下降的问题。其结果，每个流量传感器在形成有流量检测部的第一半导体芯片的搭载位置产生偏离，并且浇注树脂的形成位置也微妙地不同，各流量传感器的检测性能产生偏差。因此，为了控制各流量传感器的性能偏差，需要对每个流量传感器进行检测性能的修正，产生追加流量传感器的制造工序的性能修正工序的必要性。尤其当性能修正工序变长时，流量传感器的制造工序的吐吞量下降，还存在流量传感器的成本上升的问题点。另外，浇注树脂未进行利用加热的固化促进，因此，浇注树脂到固化的时间变长，流量传感器的制造工序的吞吐量下降。本专利技术的目的在于提供能够抑制每个流量传感器的性能偏差且实现性能提高(也包括提高可靠性且实现性能提高的场合)的技术。本专利技术的上述及其他目的与新的特征从本说明书的记述及附图中变得明确。用于解决课题的方法如下那样简单地说明在本申请中公开的、作为代表技术的概要。代表的实施方式的流量传感器具备第一芯片搭载部、配置在上述第一芯片搭载部上的第一半导体芯片。其中，上述第一半导体芯片具有形成在第一半导体基板的主面上的流量检测部、形成在上述第一半导体基板的与上述主面相反侧的背面中、与上述流量检测部相对的区域的隔膜。并且，在使形成在上述第一半导体芯片上的上述流量检测部露出的状态下，由包括树脂的封闭体封闭上述第一半导体芯片的一部分。另外，在与在露出的流量检测部上流动的气体的前进方向并行的任意剖面中，在与上述第一半导体芯片的端部接触的上述树脂的上表面形成凹部。专利技术效果如下简单地说明由在本申请中公开的专利技术中、作为代表的技术得到的效果。能够抑制每个流量传感器的性能偏差且实现性能提高。附图说明图1是表示实施方式一的流量传感器的电路结构的电路方框图。图2是表示构成实施方式一的流量传感器的一部分的半导体芯片的布局结构的俯视图。图3是表示第一相关技术的流量传感器的结构的剖视图。图4是表示对第一相关技术的流量传感器进行树脂封闭的工序的剖视图。图5是表示对第二相关技术的流量传感器进行树脂封闭的工序的剖视图。图6是表示第二相关技术的流量传感器的空气(气体)的流动方向的剖面结构的图。图7是表示在第二相关技术的流量传感器上，气体(空气)从纸面的左侧向右侧流动的状态的图。图8(a)是表示实施方式一的流量传感器的安装结构的俯视图，(b)是由(a)的A-A线剖切的剖视图，(c)是表示半导体芯片的背面的俯视图。图9(a)是表示实施方式一的流量传感器的安装结构的俯视图，(b)是由(a)的A-A线剖切的剖视图，(c)是由(a)的B-B线剖切的剖视图。图10是表示在实施方式一的流量传感器中，与在露出的流量检测部上流动的气体(空气)的前进方向并行的一剖面的图。图11是放大了图10的一部分的图。图12是表示除去了挡板后的流量传感器的安装结构的俯视图。图13是表示实施方式一的流量传感器的制造工序的剖视图。图14是表示紧接着图13的流量传感器的制造工序的剖视图。图15是表示紧接着图14的流量传感器的制造工序的剖视图。图16是表示紧接着图15的流量传感器的制造工序的剖视图。图17是表示变形例一的流量传感器的结构的剖视图。图18是放大了图17的一部分区域的图。图19是说明变形例一的树脂封闭工序的图。图20是表示在变形例二中，树脂封闭前的流量传感器的结构的俯视图。图21是由图20的A-A线剖切的剖视图。图22是由图20的B-B线剖切的剖视图。图23(a)是表示实施方式二的流量传感器的安装结构的俯视图，(b)是由(a)的A-A线剖切的剖视图，(c)是由(a)的B-B线剖切的剖视图。具体实施方式在以下的实施方式中，在需要方便时，分割为多个区域或实施方式进行说明，但除了特别明示的场合，这些并不是互相无关，存在一方或另一方的一部分或全部变形例、详细、补充说明等关系。另外，在以下的实施方式中，在言及要素的数量等(包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种流量传感器，具备：第一芯片搭载部；以及配置在上述第一芯片搭载部上的第一半导体芯片，上述第一半导体芯片具有：形成在第一半导体基板的主面上的流量检测部；以及形成在上述第一半导体基板的与上述主面相反侧的背面中、与上述流量检测部相对的区域的隔膜，该流量传感器的特征在于，在使形成在上述第一半导体芯片上的上述流量检测部露出的状态下，由包括树脂的封闭体封闭上述第一半导体芯片的一部分，在与在露出的上述流量检测部上流动的气体的前进方向并行的任意剖面中，在与上述第一半导体芯片的端部接触的上述树脂的上表面形成凹部。

【技术特征摘要】
2012.04.06 JP 2012-0875611.一种流量传感器，具备：第一芯片搭载部；以及配置在上述第一芯片搭载部上的第一半导体芯片，上述第一半导体芯片具有：形成在第一半导体基板的主面上的流量检测部；以及形成在上述第一半导体基板的与上述主面相反侧的背面中、与上述流量检测部相对的区域的隔膜，该流量传感器的特征在于，在使形成在上述第一半导体芯片上的上述流量检测部露出的状态下，由包括树脂的封闭体封闭上述第一半导体芯片的一部分，在与在露出的上述流量检测部上流动的气体的前进方向并行的任意剖面中，在与上述第一半导体芯片的端部接触的上述树脂的上表面形成凹部。2.根据权利要求1所述的流量传感器，其特征在于，在上述树脂与上述第一半导体芯片的边界区域，上述凹部沿上述第一半导体芯片的侧面形成。3.根据权利要求1所述的流量传感器，其特征在于，从上述凹部的最下部到上述第一半导体芯片的上表面的距离是上述第一半导体芯片的端部的厚度的1/2以下。4.根据权利要求1所述的流量传感器，其特征在于，从上述凹部的最下部到上述半导体芯片的端部的距离是上述第一半导体芯片在露出的上述流量检测部上流动的气体的前进方向上的宽度的1/4以下。5.根据权利要求1所述的流量传感器，其特征在于，上述树脂的上表面以随着靠近上述第一半导体芯片的端部而变低的方式倾斜。6.根据权利要求1所述的流量传感器，其特征在于，上述第一半导体芯片还具有控制上述流量检测部的控制部。7.根据权利要求1所述的流量传感器，其特征在于，还具备：第二芯片搭载部；以及配置在上述第二芯片搭载部上的第二半导体芯片，上述第二半导体芯片具有控制部，该控制部形成在第二半导体基板的主面上，并控制上述流量检测部，上述第二半导体芯片由上述封闭体封闭。8.一种流量传感器，具备：搭载形成有多个焊垫的半导体芯片的芯片搭载部；配置在上述芯片搭载部的外侧的多个引线；配置在上述芯片搭载部上的上述半导体芯片；以及连接上述多个引线的各个与形成在上述半导体芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野务，半泽惠二，德安升，田代忍，
申请(专利权)人：日立汽车系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP