The invention discloses a double frequency laser pulse separation method combined with SiC, through the laser focus calibration of composite SiC wafer, the first use of the first pulse frequency laser scanning SiC epitaxial wafer positive internal part near the surface, the formation of the first V slot; and then use the second pulse frequency laser scanning SiC epitaxial wafer positive internal number of different depth. The formation of a number of V slots; finally, lobes of composite SiC scanned wafer to form a composite SiC chip. The invention adopts double frequency laser pulse separation composite SiC, reduces the requirement of laser scribing groove, improve the yield of SiC chip rate; the first pulse frequency laser scanning solution with laser scribing groove, metal or composite medium brings graphics not to go into the problem, at the same time deepened into the depth of laser pulse frequency second first, the pulse frequency and laser pulse energy is small, can achieve low surface damage, will not damage the metal, medium or composite graphic layer surface.
【技术实现步骤摘要】
一种双脉冲频率激光分离复合SiC的方法
本专利技术涉及一种激光分离复合SiC的方法,尤其涉及一种双脉冲频率激光分离复合SiC的方法。
技术介绍
SiC是第三代半导体材料的核心材料之一,与Si、GaAs相比,SiC具有带隙宽、热导率高、电子饱和迁移率大、化学稳定性好等优点,因此被用于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度的集成电子器件。利用它的宽禁带特点还可以制作蓝光、绿光和紫外光的发光器件和光电探测器件等。SiC还可以形成自然氧化层,这对制作以MOS为基础的器件十分有利。SiC材料以其宽禁带、高击穿临界电场、高饱和速度、高热导率、小介电常数、高电子迁移率、抗辐射能力强和结实耐磨等特性成为制作高频、大功率、耐高温和抗辐射器件的理想材料。在器件研制方面,碳化硅蓝光LED已经商业化,高温高压二极管已经逐渐走向成熟。在高温半导体器件方面,利用碳化硅材料制作的碳化硅JFET和碳化硅器件可以在无任何冷却散热系统下在高温下正常工作,在航空航天、高温辐射环境、石油勘探等方面发挥了重要作用。SiC材料十分坚硬,在自然界中硬度仅次于金刚石,是一种非常难切割的材料。用砂轮切割必须选用主轴功率较大的设备,刀具的选择也非常有讲究,在切割过程中需要修刀才能保持刀片金刚石的尖锐性,其切割速度最大只能达到4mm/s,对于小芯片的效率极为低下,并且用砂轮切出的SiC芯片会形成一个V角,并且伴随着背面崩边,这样一方面会在后期封装的过程中存在一定尺寸风险,另一方面也会形成SiC芯片失效。用激光进行分离大大缩短了切割速率,最高速率能够达到600mm/s,并且划片槽的尺寸相比砂轮缩短到原来的1/2 ...
【技术保护点】
一种双脉冲频率激光分离复合SiC的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)在SiC外延片(103)上完成复合SiC圆片的制备;(2)测量复合SiC圆片切割道区域的厚度;(3)把复合SiC圆片贴在划片膜上,划片膜设于切割片架上;(4)测量复合SiC圆片切割道区域与划片膜的总厚度;(5)用激光对复合SiC圆片进行焦点校准;(6)SiC外延片(103)正面依次是第一层介质(101)、第二层介质(102)和SiC外延片(103);使用第一脉冲频率激光扫描SiC外延片(103)正面内部靠近表面处,形成第一个V槽;(7)使用第二脉冲频率激光扫描SiC外延片(103)正面内部若干不同深度,形成若干V槽;(8)SiC外延片(103)背面依次是SiC外延片(103)、第一层金属(104)、第二层金属(105)、第三层金属(106)、第四层金属(107)和膜(108);使用第二脉冲频率激光扫描第一层金属(104)和膜(108)之间的位置,形成最后一个V槽;(9)对扫描后的复合SiC圆片进行裂片,形成复合SiC芯片。
【技术特征摘要】
1.一种双脉冲频率激光分离复合SiC的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)在SiC外延片(103)上完成复合SiC圆片的制备;(2)测量复合SiC圆片切割道区域的厚度;(3)把复合SiC圆片贴在划片膜上,划片膜设于切割片架上;(4)测量复合SiC圆片切割道区域与划片膜的总厚度;(5)用激光对复合SiC圆片进行焦点校准;(6)SiC外延片(103)正面依次是第一层介质(101)、第二层介质(102)和SiC外延片(103);使用第一脉冲频率激光扫描SiC外延片(103)正面内部靠近表面处,形成第一个V槽;(7)使用第二脉冲频率激光扫描SiC外延片(103)正面内部若干不同深度,形成若干V槽;(8)SiC外延片(103)背面依次是SiC外延片(103)、第一层金属(104)、第二层金属(105)、第三层金属(106)、第四层金属(107)和膜(108);使用第二脉冲频率激光扫描第一层金属(104)和膜(108)之间的位置,形成最后一个V槽;(9)对扫描后的复合SiC圆片进行裂片,形成复合SiC芯片。2.根据权利要求1所述的双脉冲频率激光分离复合SiC的方法,其特征在于:所述步骤(6)中,使用第一脉冲频率激光扫描SiC外延片(103)正面内部1/10处,形成第一个V槽。3.根据权利要求1所述的双脉冲频率激光分离复合SiC的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘昊,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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