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聚硅氧树脂组合物制造技术

技术编号:15255872 阅读:124 留言:0更新日期:2017-05-02 23:57
本发明专利技术提供一种聚硅氧树脂组合物,其包含具有至少一端氢基的聚硅氧树脂、具有至少一C1‑6烷氧基的金属烷氧化物及具有至少一乙烯基及至少一C1‑6烷氧基或羟基的端基的硅烷,该组合物经固化后具有大于1.4的折射率。本发明专利技术亦关于利用此组合物所封装的光电装置。

Silicone resin composition

The present invention provides a silicone resin composition comprising silane having at least one end hydrogen based silicone resin, metal alkoxide group has at least one C1 6 alkoxy and has at least one vinyl and at least one C1 6 alkoxy or hydroxy group, the composition of the solid with more than 1.4 refractive index. The invention also relates to a photoelectric device encapsulated by the composition.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于一种聚硅氧树脂组合物,以及藉由该组合物的固化产物所封装的光电装置。
技术介绍
太阳能似乎是一种用之不竭的能源,因此太阳能的相关研究引起了许多注意。光伏电池便是为了将太阳能直接转换成电能而开发的装置。通常,太阳能模块机械性地支撑光伏电池,且保护光伏电池免受环境影响而劣化。太阳能模块通常包括一个刚性且透明的保护前板(例如玻璃)以及一个后板或背板。前板及背板将光伏电池封装起来,并因此保护光伏电池免受环境影响而劣化。当太阳能电池组件在其太阳能电池和组件的另一部分之间以大电势运行时,经常会发生电势诱导衰减(“PID”)的问题。这导致太阳能电池降低或停止电力的产生。PID是当组件的电压电势和漏电流在半导体材料和组件的其它元件(例如玻璃和边框)之间驱动组件内的离子迁移时发生的。PID的发生所需的条件涉及(i)环境因素、(ii)系统因素、(iii)组件因素和(iv)电池因素。在组件这一级别,玻璃的选择、封装和扩散阻阻隔层都已显示出对PID具有影响。例如,人们假定扩散的水和离子可引起不利的电化学反应,使太阳能电池的p-n结失效。对于此,在Aitken等人的国际专利申请公布WO2013/020128中,他们声称通过将不含或基本上不含碱金属离子,例如钠离子,的玻璃替换光伏组件中的标准钙钠玻璃可降低或消除PID。人们还已建议EVA封装材料可对PID起重要作用。尤其是,在Schuetze等人的“LaboratoryStudyofPotentialInducedDegradationofSiliconPhotovoltaicModules”,Q-CellsSE,Sonnenallee17-21,06766Bitterfel-Wolfen中,他们提出EVA中包含的乙酸与水分的共存可能是导致被称为“玻璃腐蚀”的玻璃界面处的金属离子溶解的原因,并且他们认为PID与经由玻璃和EVA之间的界面、以及经由EVA和电池表面之间的界面的传递过程有关。如上所述,显然对于可以防止或减少光伏组件的PID的聚合物封装材料存在较大需求。
技术实现思路
本专利技术的一目的系提供一种聚硅氧树脂组合物,其包含(a)聚硅氧树脂,其具有至少一端氢基;(b)金属烷氧化物,其具有至少一C1-6烷氧基;(c)硅烷,其具有至少一乙烯基及至少一C1-6烷氧基或羟基的端基;(d)驻极体化碳化硅、氮化硅或氧化硅粒子;及(e)荧光组合物。本专利技术另一目的系提供一种发光半导体装置。本专利技术另一目的系提供一种调整聚硅氧树脂折射率的方法具体实施方式本专利技术系一种聚硅氧树脂组合物,其包含:(a)聚硅氧树脂,其具有至少一端氢基;(b)金属烷氧化物,其具有至少一C1-6烷氧基;(c)硅烷,其具有至少一乙烯基及至少一C1-6烷氧基或羟基的端基;(d)驻极体化碳化硅、氮化硅或氧化硅粒子;及(e)荧光组合物。为使本专利技术的特征和优点能更明显易懂,下文特举本专利技术的较佳实施方式,详细说明如下:聚硅氧树脂本专利技术组合物的组份(a)为具有至少一端氢基的聚硅氧树脂,其包含如下所示结构的化合物:(HR1SiO)x-(R2R3SiO)y其中R1、R2及R3可为相同或不同的C1-6烷基,较佳为C1-4烷基;x及y为聚合数,x至少为1。聚硅氧树脂可根据所需性质(如耐热性、耐用性及机械强度)而加以选择,其可为单一聚硅氧或包含两种或两种以上不同黏度、结构、平均分子量、硅氧单元及序列的聚二硅氧的组合。聚硅氧树脂的分子量并无特别限制,较佳的重量平均分子量可自500至200,000的范围,更佳为自700至60,000的范围。本专利技术组合物中,聚硅氧树脂的含量,以整体组合物总重量计,系约20重量%至约60重量%,较佳约30重量%至约40重量%。金属烷氧化物本专利技术组合物的组份(b)为如下所示结构的金属烷氧化物:Rm-M(OR′)n,其中R及R′可为相同或不同的C1-6烷基,较佳为C1-4烷基;M为具有空轨域的金属或半导体材料,较佳为钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铌(Nb)、铟(In)、铈(Ce)、铪(Hf)、钽(Ta)、硅(Si)或锗(Ge),更佳为钛、锆及铝;m为0至3的整数,n为1至4的整数,且1≤m+n≤4。较佳的金属烷氧化物包括Zr(OBu)4、Ti(OBu)4或其混合物。本专利技术组合物中,金属烷氧化物的含量,以整体组合物总重量计,系约30重量%至约70重量%,较佳约50重量%至约60重量%。硅烷本专利技术组合物的组份(c)为具有至少一乙烯基及至少一C1-6烷氧基或羟基的端基的硅烷,适用于本专利技术组合物的硅烷可包含但不限于乙烯三甲氧硅烷、乙烯三乙氧硅烷、乙烯叁(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯甲基二甲氧硅烷、乙烯甲基二乙氧硅烷、乙烯苯基二甲氧硅烷或其混合物。本专利技术组合物中,硅烷的含量,以整体组合物总重量计,系约1重量%至约10重量%。封装光电装置本专利技术组合物可用于封装光电装置,诸如发光半导体装置,该发光半导体装置可为LED,光电装置所用的封装技术为此项技术中所熟知者。举例而言,在将光电装置封装于未经固化的聚硅氧树脂组合物中后,通常在模具中进行组合物的固化。可将此等组合物藉由加热在一或多个阶段中固化。举例而言,固化可在室温至200℃范围内的温度下进行。本专利技术将经由下列实施例进一步加以详细描述,唯该叙述仅系用以例示说明本专利技术,而非对本专利技术范围作任何限制,任何熟悉此项技艺的人士可轻易达成的修饰及改变均包括于本案说明书揭示内容及所附申请专利范围所载的范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种聚硅氧树脂组合物,其包含(a)聚硅氧树脂,其具有至少一端氢基;(b)金属烷氧化物,其具有至少一C1‑6烷氧基;(c)硅烷,其具有至少一乙烯基及至少一C1‑6烷氧基或羟基的端基;(d)驻极体化碳化硅、氮化硅或氧化硅粒子;及(e)荧光组合物。

【技术特征摘要】
1.一种聚硅氧树脂组合物,其包含(a)聚硅氧树脂,其具有至少一端氢基;(b)金属烷氧化物,其具有至少一C1-6烷氧基;(c)硅烷,其具有至少一乙烯基及至少一C1-6烷氧基或羟基的端基;(d)驻极体化碳化硅、氮化硅或氧化硅粒子;及(e)荧光组合物。2.根据权利要求1所述的组合物,其包含20重量%至60重量%的聚硅氧树脂。3.根据权利要求1所述的组合物,其包含30重量%至70重量...

【专利技术属性】
技术研发人员:庞倩桃
申请(专利权)人:庞倩桃
类型:发明
国别省市:广东;44

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