The invention relates to an alignment mark in the lithography process is formed on the dielectric layer, medium layer comprises a first dielectric layer on the polysilicon layer and a metal layer positioned between the two metal layer between the dielectric layer and the first dielectric layer, a polysilicon layer and a first dielectric layer on the corresponding position alignment mark regions are removed the alignment marks, etching depth marks form in the region is greater than the first dielectric layer thickness; for metal interlayer dielectric layer, the metal layer and the alignment mark area corresponding to the location of a dielectric layer on the metal layer is removed, the etching depth marks metal interlayer dielectric layer is formed on the metal layer is larger than that of the between the dielectric layer thickness. Also provided is a method for forming a mark in a semiconductor process. The contraposition mark and the method for forming the contraposition mark in the semiconductor process can obtain a deeper contraposition mark and avoid the alignment error caused by the wafer manufacturing process. In addition, the invention provides a semiconductor device.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制作领域,特别是涉及对位标记、形成对位标记的方法及半导体器件。
技术介绍
在半导体器件制造过程中,几乎每一步光刻工艺都涉及对位或对准的过程。所谓对位或对准过程,是指通过光刻设备上的机器识别或人眼识别衬底表面特殊的对位标记,从而使后道工艺和前道工艺具有位置上的重叠。对于晶圆来说,第一次光刻的对位标记需要根据需要制作在衬底表面。在晶圆上的介质层或者金属层上通过光刻再进行干法或者湿法腐蚀出对位标记,可以为后续的浅沟槽隔离结构的光刻步骤提供前层对位的标记。在光刻的过程中,如果由于对位不准而引起错位,会造成图形歪曲或套准失准,最终影响到所制造的半导体器件的电特性。在后段的金属层次光刻时,由于金属不透明,因此光刻机只能对晶圆上的介质层有高低台阶的对位标记。但是随着线宽不断变小,金属层之间的介质层也不断变薄,造成介质层的台阶越来越低,虽然沉积的金属较薄,随型性较好,但是介质层的台阶太低,沉积金属后,可能造成对位标记太浅,对位失败时有发生。
技术实现思路
基于此,有必要针对金属层之间的介质层越来越薄,造成介质层的台阶越来越低,对位不准确的问题,提供对位标记、在半导体工艺中形成对位标记的方法及半导体器件。一种对位标记,在光刻工艺中形成于介质层,所述介质层包括:位于多晶硅层上的第一介质层和位于两个金属层之间的金属层间介质层;对于所述第一介质层,与所述第一介质层上的对位标记区域对应位置的多晶硅层部分或全部被去除,使得该对位标记区域形成的对位标记的蚀刻深度大于所述第一介质层的厚度;对于所述金属层间介质层,与所述金属层间介质层上的对位标记区域 ...
【技术保护点】
一种对位标记,在光刻工艺中形成于介质层,所述介质层包括:位于多晶硅层上的第一介质层和位于两个金属层之间的金属层间介质层,其特征在于:对于所述第一介质层,与所述第一介质层上的对位标记区域对应位置的多晶硅层被部分或全部去除,使得该对位标记区域形成的对位标记的蚀刻深度大于所述第一介质层的厚度;对于所述金属层间介质层,与所述金属层间介质层上的对位标记区域对应位置的金属层被去除,使得相邻的两层介质层在对位标记区域接触;且所述金属层间介质层上形成的对位标记的蚀刻深度大于该金属层间介质层的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种对位标记,在光刻工艺中形成于介质层,所述介质层包括:位于多晶硅层上的第一介质层和位于两个金属层之间的金属层间介质层,其特征在于:对于所述第一介质层,与所述第一介质层上的对位标记区域对应位置的多晶硅层被部分或全部去除,使得该对位标记区域形成的对位标记的蚀刻深度大于所述第一介质层的厚度;对于所述金属层间介质层,与所述金属层间介质层上的对位标记区域对应位置的金属层被去除,使得相邻的两层介质层在对位标记区域接触;且所述金属层间介质层上形成的对位标记的蚀刻深度大于该金属层间介质层的厚度。2.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,位于第一介质层的对位标记的蚀刻深度小于或等于第一介质层和多晶硅层的厚度之和。3.根据权利要求2所述的对位标记,其特征在于,位于金属层间介质层的对位标记的蚀刻深度小于或等于所述金属层间介质层、其前一层介质层和金属层间介质层与前一层介质层之间金属层的厚度之和;所述前一层介质层为第一介质层或另一金属层间介质层。4.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,当介质层的层数大于3层时,设于第一介质层的对位标记位于第一位置、设于第一金属层间介质层的对位标记位于第二位置、设于第二金属层间介质层的对位标记位于第三位置;所述第一位置、第二位置以及第三位置相互错开;若第N层介质层的N除于三的余数为一,则第N层介质层中的对位标记位于第一位置;若第N层介质层的N除于三的余数为二,则第N层介质层中的对位标记位于第二位置;若第N层介质层的N被三整除,则第N层介质层中...
【专利技术属性】
技术研发人员:栾会倩,
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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