【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体加工设备领域,尤其涉及一种应用于MOCVD机台腔室的组件。
技术介绍
在半导体工业中,现行氮化镓发光二极体的量产机台是以Aixtron与Veeco的机型为主。而Aixtron机台其中之一的机型腔室设计包括多个晶圆承载盘,多个不同形状的遮挡板围绕于晶圆承载盘四周或其上方。目前,所有遮挡板均采用表面平整的结构,但此结构在生长过程中较易产生大量的颗粒落尘,这是因为生长过程中,反应源不仅在晶圆衬底表面形成外延层,同时在遮挡板表面亦形成覆盖物,而由于遮挡板的材料与衬底材料差异,使得遮挡板表面的覆盖物与遮挡板之间的附着力较弱,从而导致生长过程中因温度变化及气流作用而易掉落至晶圆表面造成晶圆表面脏污,影响晶圆的表面良率。现有工艺中虽可通过程序工艺进行一定程度的改良,但仍无法有效减少或避免此脏污。
技术实现思路
针对上述问题,本技术提出了一种应用于MOCVD机台腔室的组件,旨在解决因遮挡板表面的覆盖物与遮挡板之间的附着力较弱,从而导致生长过程中因温度变化及气流作用而易掉落至晶圆表面造成晶圆表面脏污的异常。本技术解决上述问题的技术方案为:在其一实施例中,一种应用于MO ...
【技术保护点】
一种应用于MOCVD机台腔室的组件,包括多个遮挡板和若干个晶圆承载盘,所述遮挡板包括围绕于晶圆承载盘周围并与晶圆承载盘位于同一水平面的第一结构和位于晶圆承载盘上方的第二结构,其特征在于:所述遮挡板第一结构上表面为经过粗化处理的粗糙结构,所述粗糙结构在连续变化范围内最高点与最低点的差值大于0.01微米,防止生产过程中遮挡板上沉积物因附着不紧密而掉落至晶圆承载盘所容纳晶圆的表面。
【技术特征摘要】
1.一种应用于MOCVD机台腔室的组件,包括多个遮挡板和若干个晶圆承载盘,所述遮挡板包括围绕于晶圆承载盘周围并与晶圆承载盘位于同一水平面的第一结构和位于晶圆承载盘上方的第二结构,其特征在于:所述遮挡板第一结构上表面为经过粗化处理的粗糙结构,所述粗糙结构在连续变化范围内最高点与最低点的差值大于0.01微米,防止生产过程中遮挡板上沉积物因附着不紧密而掉落至晶圆承载盘所容纳晶圆的表面。2.根据权利要求1所述的一种应用于MOCVD机台腔室的组件,其特征在于:所述遮挡板第二结构为环形,所述第二结构面向晶圆承载盘的表面为经过粗化处理的粗糙结构。3.根据权利要求1所述的一种应用于MOCVD机台腔室的组件,其特征在于:所述第一结构表面的粗糙结构数量为均匀分布或由临近于所述晶圆承载盘一端向远离晶圆承载盘一端依次递减。4.根据权利要求2所述的一种应用于MOCVD机台腔室的组件,其特征在于:所述第二结构面向晶圆承...
【专利技术属性】
技术研发人员:李政鸿,毛洪涛,张飞,郭晃亨,林兓兓,张家宏,
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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