The invention discloses a cold trap device LPCVD system, including the sleeve flange assembly and coil flange assembly, side outlet sleeve flange assembly includes a cylinder body, a cylinder, a cylinder inlet port and axially arranged cylinder body and one end connected with the air outlet of the diversion pipe, flange coil assembly includes a cooling water flange, flange is arranged on the inlet and outlet, respectively, and the cooling water inlet and outlet are connected to the cooling water pipe, flange and the other end of the cylinder body is relatively seal, other end of the guiding pipe is sheathed on the cooling water coil. This device has the advantages of simple structure, fast cooling, produced in the LPCVD reaction system can be sublimation reacting gaseous by-products into the cold trap, airflow through the diversion pipe and the cooling water coil and fins of sufficient heat exchange, gas temperature decreases rapidly because of sublimation into a solid, cold trap device can be disassembled for cleaning up, both to ensure the the vacuum pipe is not blocked, but also to avoid the gas sublimation in vacuum pump to vacuum pump stuck.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于LPCVD系统,具体涉及一种LPCVD系统冷阱装置。
技术介绍
目前,市场上的高压半导体分立器件均通过LPCVD系统(LPCVD--LowPressureChemicalVaporDeposition,低压力化学气相沉积法,被广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积)在晶片表面形成一层表面钝化薄膜来进行保护。LPCVD系统在运行过程中使用的气体,在其反应室内进行化学反应并产生气态副产物,这部分气态副产物随气流方向进入真空管道和真空泵。一些特殊的气态副产物会因应为温度的变化凝华为固体,凝华物不断积累会使真空管道口越来越小,最后导致堵塞;另外,真空泵因为凝华物的进入而卡死。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种LPCVD系统冷阱装置,保证了真空管道不被堵塞,同时也避免了真空泵卡死。为了解决上述技术问题,本专利技术采用如下的技术方案:一种LPCVD系统冷阱装置,包括套筒法兰组件和盘管法兰组件,套筒法兰组件包括筒体、设于筒体一端的出气口、设于筒体一侧的进气口以及轴向设于筒体内且一端与出气口相连通的导流管,盘管法兰组件包括法兰盘,设于法兰盘上的冷却水进 ...
【技术保护点】
一种LPCVD系统冷阱装置,其特征在于:包括套筒法兰组件和盘管法兰组件,套筒法兰组件包括筒体、设于筒体一端的出气口、设于筒体一侧的进气口以及轴向设于筒体内且一端与出气口相连通的导流管,盘管法兰组件包括法兰盘,设于法兰盘上的冷却水进、出口,分别与冷却水进、出口相连通的冷却水盘管,法兰盘与筒体另一端相对接密封,所述导流管套设于所述冷却水盘管上。
【技术特征摘要】
1.一种LPCVD系统冷阱装置,其特征在于:包括套筒法兰组件和盘管法兰组件,套筒法兰组件包括筒体、设于筒体一端的出气口、设于筒体一侧的进气口以及轴向设于筒体内且一端与出气口相连通的导流管,盘管法兰组件包括法兰盘,设于法兰盘上的冷却水进、出口,分别与冷却水进、出口相连通的冷却水盘管,法兰盘与筒体另一端相对接密封,所述导流管套设于所述冷却水盘管上。2.根据权利要求1所述的LPCVD系统冷阱装置,其特征在于:所述冷却水盘管盘成整体与导流管同轴的管状结构,且与导流管之间存在间隙。3.根据权利要求1或2所述的LPCVD系统冷阱装置...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁波,陈瀚,李轶,侯金松,徐伟涛,张文亮,杭海燕,
申请(专利权)人:上海微世半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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