【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种具有部分埋氧结构的IGBT。
技术介绍
SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅)技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。
技术实现思路
本技术为解决上述问题，提供了一种具有部分埋氧结构的IGBT。为实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于，包括：N-型基区(1)；位于所述N-型基区(1)下表面内两侧的两个埋氧(4)；位于所述N-型基区(1)下表面内中部、所述两个埋氧(4)之间的背P+发射区(3)；位于所述N-型基区(1)上表面内两侧的两个P型基区(2)；位于所述两个P型基区(2)上表面内中部的两个N+集电区(5)；位于所述N-型基区(1)上表面以及所述P型基区(2)和N+集电区(5)部分上表面的栅氧化层(6)；位于所述栅氧化层(6)上表面的多晶栅(7)。优选的，还包括位于所述P型基区(2)和N+集电区(5)另一部分上表面的发射极(9)。优选的，所述发...
【技术保护点】
一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于，包括：N‑型基区(1)；位于所述N‑型基区(1)下表面内两侧的两个埋氧(4)；位于所述N‑型基区(1)下表面内中部、所述两个埋氧(4)之间的背P+发射区(3)；位于所述N‑型基区(1)上表面内两侧的两个P型基区(2)；位于所述两个P型基区(2)上表面内中部的两个N+集电区(5)；位于所述N‑型基区(1)上表面以及所述P型基区(2)和N+集电区(5)部分上表面的栅氧化层(6)；位于所述栅氧化层(6)上表面的多晶栅(7)。
【技术特征摘要】
1.一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于，包括：
N-型基区(1)；
位于所述N-型基区(1)下表面内两侧的两个埋氧(4)；
位于所述N-型基区(1)下表面内中部、所述两个埋氧(4)之间的背P+
发射区(3)；
位于所述N-型基区(1)上表面内两侧的两个P型基区(2)；
位于所述两个P型基区(2)上表面内中部的两个N+集电区(5)；
位于所述N-型基区(1)上表面以及所述P型基区(2)和N+集电区(5)
部分上表面的栅氧化层(6)；
位于所述栅氧化层(6)上表面的多晶栅(7)。
2.根据权利要求1所述的一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈利，徐承福，高耿辉，姜帆，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，大连连顺电子有限公司，友顺科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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