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本实用新型公开一种具有部分埋氧结构的IGBT，包括：N-型基区；位于所述N-型基区下表面内两侧的两个埋氧；位于所述N-型基区下表面内中部、所述两个埋氧之间的背P+发射区；位于所述N-型基区上表面内两侧的两个P型基区；位于所述两个P型基区上表...该专利属于厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司授权不得商用。