对基板进行的空间有限的加工制造技术

一种化学加工方法，包括：使基板材料从第一传输输送装置经过流体贮存器传递到第二传输输送装置，使得基板的第一表面与贮存器内的流体相接触，并使得基板的第二表面大体上不与贮存器内的流体相接触，并且第一和第二传输输送装置大体上位于贮存器的外部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用保留。
本专利技术涉及对基板材料进行的化学加工，尤其涉及对基板材料进行的选择性化学加工。概述在基板的化学加工中，在基板的一个或多个侧面上发生化学反应同时减少或基本上避免类似的反应在基板的一个或多个其他侧面上发生是有利的。过去为了产生这样的效果进行了许多尝试，而且尽管在时间和精力上进行了长期的、大量的投入，但是由于多种原因，这些尝试都没有实现现在由本专利技术所展示出的所有理想的效果。根据下方结合附图而对本专利技术进行的详细说明，本专利技术的这些和其他的优点和特征将会被更容易地理解。应当注意，虽然多个附图示出了本专利技术的各个方面，但是没有一个附图可以用来显示整个专利技术。相反，附图共同示出了本专利技术的多个方面和原理。正因如此，不应将任何特定的附图推测为仅仅与本专利技术的个别的方面或类别相关。相反地，本领域的技术人员将理解，附图共同反映了用于举例说明本专利技术的多个实施例。附图说明图1以框图的形式示出了与本专利技术的某些方面相对应的光伏电池的制造过程；图2以框图的形式示出了与本专利技术的某些方面相对应的另一种光伏电池的制造过程；图3以示意图的形式示出了本专利技术的一个实施例的抬高后的截面图；图4以摄影的形式示出了本专利技术的一个实施例的示例性部件；以及图5A-5D以摄影的形式示出了根据本专利技术的一个实施例的基板材料进行加工的过程。图6A示出了根据本专利技术的原理的装置的贮存部的某些方面的示意性截面图；图6B示出了根据本专利技术的原理的装置的贮存部的某些方面的示意性立体图；图7示出了根据本专利技术的原理的装置的另一贮存部的某些方面的示意性立体图；图8示出了根据本专利技术的原理的装置的另一贮存部的某些方面的示意性立体图；图9示出了根据本专利技术的原理的装置的再一贮存部的某些方面的示意性立体图；图10示出了根据本专利技术的原理的装置的又一贮存部的某些方面的示意性立体图；图11示出了根据本专利技术的原理的装置的另一贮存部的某些方面的示意性截面图；图12示出了根据本专利技术的原理的装置的另一部分的某些方面的示意性截面图；以及图13示出了根据本专利技术的原理的装置的完整的贮存部的某些方面的示意性截面图。具体实施方式在许多化学加工方案中，对基板的单侧进行加工，且尤其避免对基板的另一侧进行加工是有利的。例如，在制备印刷电路板时，期望的是通过蚀刻或溶解来将物质从印刷电路基板的一侧移除，而保留存在于基板的另一侧上的类似的材料。以同样的方式，选择性地添加材料可能是有利的。在示例性的应用中，基板可包括玻璃纤维强化聚酯、双轴取向聚对苯二甲酸酯(BoPET–)材料、陶瓷材料或任何其他合适的材料。类似地，在制造集成电路和光伏器件的过程中，有时加工规范要求例如在诸如硅片的基板的一侧进行特定的化学反应，而在基板的另一侧则不进行特定的化学反应。本专利技术包括设置成利用输送装置来支撑基板材料并传输该基板材料经过基本上为流体(例如液体)相的加工材料，以使基板材料的至少一侧基本上不与流体相加工材料相接触(可以理解，可采用流化床材料)的系统、方法及设备。在一个示例性的布置方案中，液相材料包含在具有第一边缘和第二边缘的贮存器中，以使液相材料基本上保持在两条边之间。第一传输输送装置与第一边缘邻近设置，第二传输输送装置与第二边缘邻近设置。基板材料设置成由第一传输输送件支撑，第一传输输送件在操作中将目标材料从第一传输输送件传递给第二传输输送件。第二传输输送件设置成接收来自第一传输输送件的基板材料，并在第一传输输送件对基板材料不起支撑作用时承担对基板材料的支撑。设置在这两个传输输送件之间的贮存器设置成使基本上为流体相的加工材料的上表面维持在某一空间位置处，使得当基板材料从由第一传输输送装置支撑过渡到第二传输输送装置时，基板材料的下表面(在一些情况下为基板材料的边缘表面)会与基本上为液相的材料相接触。在此接触过程中，可在基板材料和基本上为流体相的材料之间的交界面处会发生预期的物理和/或化学反应。根据基板材料与液相材料的物理特性，一些液相材料可在基板传递到第二输送装置时粘附到基板材料上。在其余的情况下，微不足道数量的液相材料会在基板传递到第二输送装置时粘附在基板材料上。在另一实施例中，第二输送装置可包括另一装置或邻近于该另一装置设置，该另一装置适于在基板材料从贮存器移动到第二输送装置期间积极地将液相材料从基板材料上移除。相比于包括纯雾化的流体装置以及将一个或多个传输输送装置浸在加工流体中的装置，上述设置以及本文将要描述的变形都展示出了显著的优势。在将传输输送装置浸在加工流体中(例如通过化学作用或通过物理摩擦来腐蚀传输装置的部件)可导致不期望的加工流体污染。应理解的是，在根据本专利技术的原理所形成的多个实施例中可采用多种多样布置方案的贮存器。例如，液位可通过主动控制直接抽汲流体、通过主动控制远处的贮存器中的液位或通过溢流堰结构，以及通过多种其他被动控制结构来维持。另外，可采用多种人工和/或自动控制方法来维持加工流体的某一特定的化学和/或物理特性。另外，贮存器可包括基本上打开的顶部、穿孔式封闭的顶部、开槽的顶部以及本领域技术人员根据本公开能容易地理解的多种其他构造。这里附上用于说明所公开的专利技术的经挑选的附图。应用本专利技术(以多种实施方案的形式)取得良好效果的一个示例性的工业加工方法为光伏太阳能电池的制造方法。通常，制造光伏电池包括对半导体基板进行加工，以产生位于电池内部并大体上平行于电池的上表面的横向掺杂结。因此，在一个示例性的电池中，将大体上平坦的晶片作为基板。对晶片进行加工，以产生掺杂结，并产生具有抗反射特性的上表面。这会产生对入射至上表面的光子最优的俘获。图1示出了由专利技术人所呈现的用于制造这样的光伏电池的第一示例性方法100。在所示的方法100中，所准备的基板薄板102进行所述过程的第一步骤处理，其为纹理蚀刻104。通常，根据特定方法的要求，所制备的基板薄板会包括大量掺杂质(正极或负极)。纹理蚀刻产生了对基板的外表面的粗加工，以形成增强的光子俘获能力。在完成纹理蚀刻工艺104后，将晶片引入扩散炉中，在扩散炉中通过热扩散将替代的掺杂质引入到基板晶片的表面区域中。通常，这涉及将气态反应物引入热扩散炉中并同时加热基体晶片和气态反应物。由于热扩散炉内的高温，一些气态反应物趋于扩散到晶片上暴露的表面中，从而改变这些区域的导电特性。通常，期望在邻近将会成为光伏电池的上表本文档来自技高网...

【技术保护点】
化学加工装置，包括：具有第一边缘和第二边缘的贮存器；邻近所述第一边缘设置的第一输送装置；以及邻近所述第二边缘设置的第二输送装置，使得所述第一边缘和第二边缘设置在所述第一输送装置和第二输送装置之间，所述第二输送装置适于接收并支撑来自所述第一输送装置的基板材料，从而在所述基板材料从所述第一输送装置传递到所述第二输送装置期间，所述基板材料的一个表面与设置在所述贮存器内的流体材料相接触，而所述基板材料的另一个表面保持基本上没有接触到所述流体材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.29 US 61/859，357;2013.08.12 US 61/865，1211.化学加工装置，包括：
具有第一边缘和第二边缘的贮存器；
邻近所述第一边缘设置的第一输送装置；以及
邻近所述第二边缘设置的第二输送装置，使得所述第一边缘和第二边缘设置
在所述第一输送装置和第二输送装置之间，所述第二输送装置适于接收并支撑来
自所述第一输送装置的基板材料，从而在所述基板材料从所述第一输送装置传递
到所述第二输送装置期间，所述基板材料的一个表面与设置在所述贮存器内的流
体材料相接触，而所述基板材料的另一个表面保持基本上没有接触到所述流体材
料。
2.根据权利要求1所述的化学加工装置，其中，所述贮存器包括用于接收一
定量的所述流体材料到所述贮存器中的流体供给连接件，并且其中所述第一边缘
和第二边缘中的至少一个构造成允许所述一定量的流体材料的一部分从所述贮
存器流出。
3.根据权利要求1所述的化学加工装置，其中，所述第一边缘和第二边缘中
的至少一个包括位于所述贮存器的第一表面区域和所述贮存器的第二表面区域
之间的接合部，所述贮存器的第一表面区域沿大体上水平的方向设置，所述贮存
器的第二表面区域沿大体上垂直的方向设置。
4.根据权利要求3所述的化学加工装置，其中，所述贮存器的所述第一表面
区域包括大体上平坦的表面区域。
5.根据权利要求3所述的化学加工装置，其中，所述贮存器的所述第一表面
区域包括弯曲的表面区域。
6.根据权利要求1所述的化学加工装置，其中，所述贮存器部包括外表面区
域，所述外表面区域具有开口，所述开口构造并设置成允许所述流体材料从位于
所述贮存器内的内腔向外流出并朝所述第一边缘和第二边缘中的至少一个流动
而经过所述外表面区域。
7.根据权利要求6所述的化学加工装置，其中，所述开口由基本上为圆形的
边缘限定出。
8.根据权利要求6所述的化学加工装置，其中，所述开口包括具有槽纵向轴

\t线的槽。
9.根据权利要求6所述的化学加工装置，其中，所述槽纵向轴线设置成大体
上平行于所述贮存器的纵向轴线。
10...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥斯卡·狄格瑞，格雷戈里·奈特，迈克尔·伯格曼，
申请(专利权)人：贝克太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US