【技术实现步骤摘要】
本公开涉及衬底处理系统,更具体地,涉及包括具有主动冷却型格栅的气体分配装置的衬底处理系统。
技术介绍
此处提供的
技术介绍
描述是出于大体上呈现本公开的背景的目的。当前署名的发明人的工作,就其在该技术背景部分以及说明书方面中所描述的、可能不符合作为提交时的现有技术的工作而言,既不明示地也不暗示地承认是本公开的现有技术。衬底处理系统典型地用于在诸如半导体晶片之类的衬底上图案化、沉积、蚀刻以及灰化出各种类型的薄膜。衬底处理系统典型地包括具有诸如衬底基座、静电卡盘、板等的衬底支架的处理室。诸如半导体晶片之类的衬底可以布置于衬底支架上。在化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)处理中,可以将包括一种或更多种前体的气体混合物引入处理室中,以使膜沉积于衬底上。在一些衬底处理系统中,可以将射频(RF)等离子体用于激活化学反应。RF等离子体可以通过气体分配装置而远程地输送至处理室或直接地在处理室中创建。例如,在处理的期间,可以将光阻层用于限定膜中的特征。然后,典型地去除光阻层。可以将灰化用于去除光阻层。可以使用远程等离子体源来执行灰化。远程等离子体源典型地通过使用射频或微波信号来激励诸如氧气或氟气之类的反应性气体而生成等离子体。可以将诸如喷头之类的气体分配装置布置在远程等离子体源与衬底之间。喷头可以包括由铝制成的板,该板包括限定孔图案的多个孔。板中的孔图案可以大约延伸至位于下面的衬底的边缘。孔充当离子过滤器。在使用期间, ...
【技术保护点】
一种用于衬底处理系统的格栅组件,其包括:第一部分,其包括:第一主体,其限定中心开口;入口;出口;以及上歧管,其位于所述第一主体中,并且,与所述入口或所述出口流体连通;和第二部分,其布置成与所述第一部分相邻,并且,包括:第二主体,其限定中心开口;多个管,其布置于所述第二主体的所述中心开口中,其中,所述多个管中的第一管与所述上歧管流体连通;以及下歧管,其位于所述第二主体中,并且,与所述入口或所述出口中的另一个流体连通,其中,所述多个管中的第二管与所述下歧管流体连通,并且,其中,所述格栅组件布置在远程等离子体源与衬底之间。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
2014.09.26 US 14/498,0491.一种用于衬底处理系统的格栅组件,其包括:
第一部分,其包括:
第一主体,其限定中心开口;
入口;
出口;以及
上歧管,其位于所述第一主体中,并且,与所述入口或所述出口流体连通;和
第二部分,其布置成与所述第一部分相邻,并且,包括:
第二主体,其限定中心开口;
多个管,其布置于所述第二主体的所述中心开口中,其中,所述多个管中的第一管与所
述上歧管流体连通;以及
下歧管,其位于所述第二主体中,并且,与所述入口或所述出口中的另一个流体连通,
其中,所述多个管中的第二管与所述下歧管流体连通,并且,
其中,所述格栅组件布置在远程等离子体源与衬底之间。
2.根据权利要求1所述的格栅组件,其中,所述第一主体和所述第二主体为环形,并且,
其中,所述多个管平行地布置于所述第二部分的所述中心开口中。
3.根据权利要求1所述的格栅组件,其中,所述上歧管包括具有分别与所述多个管中的
所述第一管中的多个第二孔流体连通的多个第一孔的底面。
4.根据权利要求3所述的格栅组件,还包括围绕所述多个第一孔布置于所述第一主体
的底面的O环,以提供在所述第一主体的所述底面与所述第二主体的上表面之间的密封。
5.根据权利要求1所述的格栅组件,其中,所述第二部分包括所述第二主体的外周向侧
表面上的多个第一孔,并且,其中,所述多个管布置于所述第一孔中。
6.根据权利要求5所述的格栅组件,还包括:
第一塞,其布置于所述多个管中的所述第一管中;和
第二塞,其布置于所述多个管中的所述第二管中,其中,所述第二塞具有与所述第一塞
不同的长度。
7.根据权利要求1所述的格栅组件,还包括:
通过所述第一主体的孔,其与所述入口或所述出口中的另一个流体连通,其中,所述孔
还与所述下歧管流体连通;和
O环,其围绕所述孔布置于所述第一主体的底面,以提供所述第一主体的所述底面与所
述第二主体的上表面之间的密封。
8.根据权利要求1所述的格栅组件,还包括:
技术研发人员:艾夫林·安格洛夫,瑟奇·科施,
申请(专利权)人:朗姆研究公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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