The invention discloses a chromium thulium holmium doped bismuth tantalate luminescent material, which is composed of the following chemical formula: CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4 0, x < = 0.2, 0.0001 = y = 0.1, z = 0.0001 ~ 0.1. The invention also discloses the chromium thulium holmium doped bismuth tantalate luminescent crystal growth method, including: chromium containing compounds, compounds containing compounds, holmium, thulium containing bismuth compounds, tantalum containing compounds were synthesized by reaction of mixing, chemical formula CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4 polycrystalline material; the chemical formula of polycrystalline the ingredients of CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4 suppressed the growth of crystal materials; the crystal growth of raw material is heated to a molten state by initial melt crystal growth, and the melt crystal growth by Cr, TM, Ho: YAG growth method of tantalum doped bismuth luminescent materials.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光材料和晶体生长
,尤其涉及一种铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料及其晶体生长方法。
技术介绍
在低对称性的晶体中,对于处于低对称性的发光激活离子如稀土离子Ho3+、过渡族离子Cr3+来说,低对称性有利于解除跃迁宇称禁戒,增强发光效率,同时低对称性晶体有各向异性物理性质,利用其作为激光工作物质时可直接获得偏振激光。钽酸铋属于三斜晶系,其中Bi离子的格位对称性为C1,当掺杂激活离子替代Bi离子的格位时,激活离子将占据C1对称格位,且有两种格位,有利于晶场能级分裂加宽及发光跃迁的宇称禁戒解除,提高发光效率,有望用作荧光和激光材料,在显示、激光技术等领域获得应用。
技术实现思路
本专利技术提出了一种铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料及其晶体生长方法,获得性能优良的发光材料,有望用于显示和激光
本专利技术提出的一种铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料,具有以下化学式组成:CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4,其中0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本专利技术还提出的上述铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料的晶体生长方法,包括如下步骤:S1、将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含钽化合物混合均匀后,进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4的多晶原料;S2、将化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料; ...
【技术保护点】
一种铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料,其特征在于,具有以下化学式组成:CrxTmyHozBi1‑x‑y‑zTaO4,其中0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。
【技术特征摘要】
1.一种铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料,其特征在于,具有以下化学式组成:
CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4,其中0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。
2.一种如权利要求1所述铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料的晶体生长方法,其特征在于,
包括如下步骤:
S1、将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含钽化合物混合均匀后,进
行合成反应得到化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4的多晶原料;
S2、将化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料;
S3、将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体,然后采用熔体法晶体生
长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料。
3.根据权利要求2所述铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料的晶体生长方法,其特征在于,S1
中,合成反应为高温固相反应、液相合成或气相合成。
4.根据权利要求2或3所述铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料的晶体生长方法,其特征在
于,S1的具体操作如下:按摩尔份将x份Cr2O3、y份Tm2O3、z份Ho2O3、(1-x-y-z)份Bi2O3和1份
Ta2O5混合均匀后,升温至800~1100℃进行固相反应得到化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4的
多晶原料。
5.根据权利要求2-4任...
【专利技术属性】
技术研发人员:张庆礼,林东晖,刘文鹏,孙贵花,罗建乔,彭方,殷绍唐,窦仁勤,
申请(专利权)人:中科九曜科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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