一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料及其晶体生长方法技术

本发明专利技术公开了一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料，具有以下化学式组成：TmyHozBi1-y-zNbO4，其中0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明专利技术还公开了上述铥、钬掺杂铌酸铋发光材料的晶体生长方法，包括如下步骤：将含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含铌化合物混合均匀后，进行合成反应得到化学式为TmyHozBi1-y-zNbO4的多晶原料；将化学式为TmyHozBi1-y-zNbO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铥、钬掺杂铌酸铋发光材料。本发明专利技术可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光材料和晶体生长
，尤其涉及一种铥、钬掺杂铌酸铋发光 材料及其晶体生长方法。
技术介绍
在低对称性的晶体中，对于处于低对称性的发光激活离子如稀土离子来说，低对 称性有利于解除跃迀宇称禁戒，增强发光效率，同时低对称性晶体有各向异性物理性质，利 用其作为激光工作物质时可直接获得偏振激光。铌酸铋属于三斜晶系，其中Bi离子的格位 对称性为&，当掺杂激活离子替代Bi离子的格位时，激活离子将占据(^对称格位，且有两种 格位，有利于晶场能级分裂加宽及发光跃迀的宇称禁戒解除，提高发光效率，有望用作荧光 和激光材料，在显示、激光技术等领域获得应用。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料及 其晶体生长方法，获得性能优良的发光材料，有望用于显示和激光
本专利技术提出的一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料，具有以下化学式组成： TmyHozBii-y-zNb〇4,其中0.0001 <y<0.1，0.0001 <z <0.1〇 本专利技术还提出的上述铥、钬掺杂铌酸铋发光材料的晶体生长方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料，其特征在于，具有以下化学式组成：TmyHozBi1‑y‑zNbO4，其中0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆礼，林东晖，刘文鹏，孙贵花，罗建乔，彭方，殷绍唐，窦仁勤，
申请(专利权)人：中科九曜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34