摄像装置及摄像装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种摄像装置及摄像装置的制造方法。在包含光电二极管(PD)的芯片形成区域(TFR)的周围区域，形成有贯穿硅层(SOI)及第一层间绝缘膜(IL1)的槽型贯穿孔(TH3)。在该槽型贯穿孔(TH3)中，形成有与槽型贯穿孔(TH3)对应的壁状的壁型导电性贯穿部(TB1)。电极焊盘(PAD)与壁型导电性贯穿部(TB1)接触。电极焊盘(PAD)经由该壁型导电性贯穿部(TB1)与第一布线(M1)等电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及摄像装置及其制造方法，例如，能够良好地用于具有光电二极管和电极焊盘的摄像装置。
技术介绍
对数码相机等应用例如具有CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器的摄像装置。在摄像装置中，为了将入射的光转换成电荷而形成有光电二极管。在光电二极管中产生的电荷通过传输晶体管被传输到浮动扩散区域。被传输的电荷通过放大晶体管被转换成电信号并作为图像信号输出。以往，作为使光向光电二极管入射的方法已知有使光从半导体衬底的表面入射的方法。这种CMOS图像传感器被称为表面照射型的CMOS图像传感器。然而，在表面照射型的CMOS图像传感器中，存在如下问题：伴随摄像装置的小型化，入射的光被在光电二极管上形成的多层的布线遮挡，向光电二极管入射的光变弱。因此，为了解决该问题，例如，在专利文献1(日本特开2011-14674号公报)及专利文献2(日本特开2005-150463号公报)中提出了使光从形成有布线的一侧表面的相反一侧的、半导体衬底的背面入射的背面照射型的CMOS图像传感器。即，提出了如下方法，使光从通过研磨变薄的半导体衬底的背面入射，将光导向形成在半导体衬底的表面侧的光电二极管。在这样的具有背面照射型的CMOS传感器的摄像装置中，出于使光从半导体衬底的背面入射的关系，使得用于与外部进行电连接的电极焊盘形成在半导体衬底的背面，在该电极焊盘上引线键合有金属线。形成在半导体衬底的背面上的电极焊盘、和形成在半导体衬底的表面侧的布线通过贯穿半导体衬底的导体而电连接。以往的背面照射型的摄像装置以上述方式构成。在具有背面照射型的CMOS传感器的摄像装置中，进行晶圆测试等的电气试验时，需要使探针接触电极焊盘。另外，最终，成为在电极焊盘上引线键合有金属线。因此，在包含位于配置有电极焊盘的区域的、贯穿半导体衬底的导体的构造中，谋求机械强度。但是，在以往的摄像装置中，作为这样的贯穿半导体衬底的导体，而形成有由在具有规定的开口直径的接触孔内形成的金属材料构成的贯穿连接柱(via)，因此，谋求进一步的机械强度。
技术实现思路
其他课题和新的特征从本说明书的记载及附图变得明确。一个实施方式的摄像装置具有受光传感部、支承衬底、多个布线层、供光入射的区域、电极焊盘和导电性贯穿部。受光传感部形成在具有相对的第一主表面及第二主表面的半导体层的第一主表面一侧。支承衬底隔着层间绝缘层形成在半导体层的第一主表面一侧。多个布线层形成在层间绝缘层的层之间。供光入射的区域形成在半导体层的第二主表面一侧。电极焊盘形成在半导体层的第二主表面一侧。导电性贯穿部包括壁状的壁型导电性贯穿部，该壁型导电性贯穿部以贯穿半导体层来与电极焊盘接触的方式形成，并将电极焊盘与多个布线层中的一个布线层电连接。另一个实施方式的摄像装置的制造方法具有以下工序。在被第一支承衬底支承的半导体层的第一主表面上形成受光传感部。形成包含从半导体层的第一主表面侧到与第一主表面相对的第二主表面的、贯穿半导体层的槽状的槽型贯穿孔在内的贯穿孔。形成包括以与半导体层电气绝缘的方式将导电膜形成于贯穿孔且形状为与槽型贯穿孔对应的壁状的壁型导电性贯穿部在内的导电性贯穿部。在半导体层的第一主表面侧，形成包括与导电性贯穿部电连接的布线层在内的多个布线层及层间绝缘膜。将第二支承衬底粘贴在层间绝缘膜。去除第一支承衬底。在半导体层的第二主表面侧，形成以与导电性贯穿部接触的方式电连接的电极焊盘。根据一个实施方式的摄像装置，能够提高配置有电极焊盘的区域的机械强度。根据另一个实施方式的摄像装置的制造方法，能够制造配置有电极焊盘的区域的机械强度升高的摄像装置。本专利技术的上述及其他目的、特征、方面及优点从与附图相关联地理解的与本专利技术相关的以下详细说明变得明确。附图说明图1是表示实施方式1的摄像装置的切割前的状态的局部俯视图。图2是在该实施方式中，沿图1所示的剖面线II-II的剖视图。图3是表示在该实施方式中，配置有电极焊盘的区域的局部放大俯视图。图4是表示在该实施方式中，摄像装置的制造方法的一个工序的剖视图。图5是表示在该实施方式中，在图4所示的工序之后进行的工序的剖视图。图6是表示在该实施方式中，在图5所示的工序之后进行的工序的剖视图。图7是表示在该实施方式中，在图6所示的工序之后进行的工序的剖视图。图8是表示在该实施方式中，在图7所示的工序之后进行的工序的剖视图。图9是表示在该实施方式中，在图8所示的工序之后进行的工序的剖视图。图10是表示在该实施方式中，在图9所示的工序之后进行的工序的剖视图。图11是表示在该实施方式中，在图10所示的工序之后进行的工序的剖视图。图12是表示在该实施方式中，在图11所示的工序之后进行的工序的剖视图。图13是表示在该实施方式中，在图12所示的工序之后进行的工序的剖视图。图14是表示在该实施方式中，在图13所示的工序之后进行的工序的剖视图。图15是表示在该实施方式中，在图14所示的工序之后进行的工序的剖视图。图16是表示在该实施方式中，在图15所示的工序之后进行的工序的剖视图。图17是表示在该实施方式中，在图16所示的工序之后进行的工序的剖视图。图18是表示在该实施方式中，在图17所示的工序之后进行的工序的剖视图。图19是表示比较例的摄像装置的制造方法的一个工序的剖视图。图20是表示在图19所示的工序之后进行的工序的剖视图。图21是表示在图20所示的工序之后进行的工序的剖视图。图22是表示在图21所示的工序之后进行的工序的剖视图。图23是表示在图22所示的工序之后进行的工序的剖视图。图24是表示在图23所示的工序之后进行的工序的剖视图。图25是表示在图24所示的工序之后进行的工序的剖视图。图26是表示在图25所示的工序之后进行的工序的剖视图。图27是表示在图26所示的工序之后进行的工序的剖视图。图28是表示在图27所示的工序之后进行的工序的剖视图。图29是表示在图28所示的工序之后进行的工序的剖视图。图30是表示在图29所示的工序之后进行的工序的剖视图。图31是表示比较例的摄像装置的制造工序的一部分的流程图。图32是表示在该实施方式中，摄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种摄像装置，其特征在于，具有：受光传感部，其形成在具有相对的第一主表面及第二主表面的半导体层的所述第一主表面一侧；支承衬底，其隔着层间绝缘层形成在所述半导体层的所述第一主表面一侧；多个布线层，其形成在所述层间绝缘层的层之间；光入射区域，其为形成在所述半导体层的所述第二主表面一侧的供光入射的区域；电极焊盘，其形成在所述半导体层的所述第二主表面一侧；和导电性贯穿部，其包括壁状的壁型导电性贯穿部，该壁型导电性贯穿部以贯穿所述半导体层来与所述电极焊盘接触的方式形成，并将所述电极焊盘与多个所述布线层中的一个布线层电连接。

【技术特征摘要】
2014.12.12 JP 2014-2518551.一种摄像装置，其特征在于，
具有：
受光传感部，其形成在具有相对的第一主表面及第二主表面的半
导体层的所述第一主表面一侧；
支承衬底，其隔着层间绝缘层形成在所述半导体层的所述第一主
表面一侧；
多个布线层，其形成在所述层间绝缘层的层之间；
光入射区域，其为形成在所述半导体层的所述第二主表面一侧的
供光入射的区域；
电极焊盘，其形成在所述半导体层的所述第二主表面一侧；和
导电性贯穿部，其包括壁状的壁型导电性贯穿部，该壁型导电性
贯穿部以贯穿所述半导体层来与所述电极焊盘接触的方式形成，并将
所述电极焊盘与多个所述布线层中的一个布线层电连接。
2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
所述导电性贯穿部形成为从所述半导体层的所述第二主表面突
出。
3.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
所述导电性贯穿部的所述壁型导电性贯穿部以分别沿一个方向
延伸、且彼此在与所述一个方向交叉的第二方向上隔开间隔的方式配
置有多个。
4.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
所述导电性贯穿部包括将所述壁型导电性贯穿部配置成框状的
框型导电性贯穿部。
5.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
具有密封环，该密封环形成为包围配置有所述受光传感部及所述
电极焊盘的区域，
所述密封环由与形成所述导电性贯穿部的层相同的层形成。
6.如权利要求5所述的摄像装置，其特征在于，
所述导电性贯穿部包括在俯视时所述壁型导电性贯穿部沿着所
述密封环延伸的方向延伸的部分。
7.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
在所述光入射区域中，形成有遮光膜、彩色滤光片及微透镜。
8.一种摄像装置的制造方法，其特征在于，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀真也，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP